單向可控硅的檢測
萬用表選用電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳,此時黑筆接的引腳為控制極G,紅筆接的引腳為陰極K,另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A,紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G,此時萬用表指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆,陰極K接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。 淄博正高電氣有限公司一切從實際出發(fā)、注重實質內容。泰安小功率可控硅模塊價格
可控硅模塊的特性
單向晶閘管模塊具有其獨特的特性:當陽極連接到反向電壓時,或陽極連接到正向電壓時,但控制極不增加電壓,則不會導通,當陽極和控制極同時連接到正向電壓時,將變?yōu)榻油顟B(tài)。一旦接通,控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓,無論控制電壓的極性如何,都將始終處于接通狀態(tài)。若要關閉,只能將陽極電壓降到某個臨界值或反向。
雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列(當電極管腳朝著帶有字符的一側向下時)。當改變施加到控制極G的觸發(fā)脈沖的大小或時間時,其接通電流的大小可以改變。 菏澤小功率可控硅模塊淄博正高電氣有限公司不斷從事技術革新,改進生產工藝,提高技術水平。
可控硅元件在電氣設備中發(fā)揮重大作用,但可控硅使用中必須要注意運行環(huán)境和相關指標,防止可控硅損壞而影響到設備的正常使用。對此,在選用可控硅的額定電壓時,應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。
2、使用可控硅之前,應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,應立即更換。
3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。
5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。
6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。
正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極:一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。
只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點開關。 淄博正高電氣有限公司在行業(yè)的影響力逐年提升。
可控硅模塊的使用注意事項
1.在選擇可控硅模塊的額定電流時,應注意的是,除考慮通過元件的平均電流外,還必須注意正常運行過程中傳導角的大小、散熱和通風條件等因素,同時,管殼的溫度不得超過相應電流的允許值。
2.使用可控硅模塊時,使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài),如有短路或斷路,應立即更換。
3.嚴禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。
4.率大于5A的可控硅模塊,應安裝散熱器,并保證規(guī)定的冷卻條件。同時,為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好,應在兩者之間涂一層有機硅油或硅脂,以利于更好的散熱。
5.根據規(guī)定,主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護裝置。
6.防止控制極正向過載和反向擊穿。 淄博正高電氣有限公司以發(fā)展求壯大,就一定會贏得更好的明天。泰安小功率可控硅模塊價格
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雙向可控硅晶閘管使用中,應特別注意以下事項:
1.靈敏度
雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通,但是觸發(fā)靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。
2.可控硅過載的保護
可控硅元件優(yōu)點很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:
(1)外加電壓下允許超過正向轉折電壓,否則控制極將不起作用;
(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來??;
(3)為保證控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護措施,一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側或直流側,當在交流側時額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側的暫態(tài)過程產生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。
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