SiP主流的封裝結(jié)構(gòu)形式，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，2D封裝中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D結(jié)構(gòu)是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線鍵合、倒裝芯片或二者混合的組裝工藝，也可采用硅通孔技術(shù)進行互連。SiP 封裝采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小。河北SIP封裝工藝

SiP 與先進封裝也有區(qū)別：SiP 的關(guān)注點在于系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實現(xiàn)，所以系統(tǒng)是其重點關(guān)注的對象，和 SiP 系統(tǒng)級封裝對應(yīng)的為單芯片封裝；先進封裝的關(guān)注點在于：封裝技術(shù)和工藝的先進性，所以先進性的是其重點關(guān)注的對象，和先進封裝對應(yīng)的是傳統(tǒng)封裝。SiP 封裝并無一定形態(tài)，就芯片的排列方式而言，SiP 可為多芯片模塊（Multi-chipModule；MCM）的平面式 2D 封裝，也可再利用 3D 封裝的結(jié)構(gòu)，以有效縮減封裝面積；而其內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純地打線接合（WireBonding)，亦可使用覆晶接合（FlipChip)，但也可二者混用。山西模組封裝精選廠家SiP技術(shù)路線表明，越來越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實現(xiàn)更深層次的3D封裝。

SiP 與其他封裝形式又有何區(qū)別？SiP 與 3D、Chiplet 的區(qū)別Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技術(shù)制造，也不需要采用同樣的工藝，同時較小的硅片本身也不太容易產(chǎn)生制造缺陷。不同工藝制造的 Chiplet 可以通過先進封裝技術(shù)集成在一起。Chiplet 可以看成是一種硬核形式的 IP，但它是以芯片的形式提供的。3D 封裝就是將一顆原來需要一次性流片的大芯片，改為若干顆小面積的芯片，然后通過先進的封裝工藝，即硅片層面的封裝，將這些小面積的芯片組裝成一顆大芯片，從而實現(xiàn)大芯片的功能和性能，其中采用的小面積芯片就是 Chiplet。?因此，Chiplet 可以說是封裝中的單元，先進封裝是由 Chiplet /Chip 組成的，3D 是先進封裝的工藝手段，SiP 則指代的是完成的封裝整體。通過 3D 技術(shù)，SiP 可以實現(xiàn)更高的系統(tǒng)集成度，在更小的面積內(nèi)封裝更多的芯片。不過，是否采用了先進封裝工藝，并不是 SiP 的關(guān)注重點，SiP 關(guān)注系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實現(xiàn)。

SiP 技術(shù)在快速增長的車載辦公系統(tǒng)和娛樂系統(tǒng)中也獲得了成功的應(yīng)用。消費電子目前 SiP 在電子產(chǎn)品里應(yīng)用越來越多，尤其是 TWS 耳機、智能手表、UWB 等對小型化要求高的消費電子領(lǐng)域，不過占有比例較大的還是智能手機，占到了 70%。因為手機射頻系統(tǒng)的不同零部件往往采用不同材料和工藝，包括硅，硅鍺和砷化鎵以及其他無源元件。目前的技術(shù)還不能將這些不同工藝技術(shù)制造的零部件集成在一塊硅芯片上。但是 SiP 工藝卻可以應(yīng)用表面貼裝技術(shù) SMT 集成硅和砷化鎵芯片，還可以采用嵌入式無源元件，非常經(jīng)濟有效地制成高性能 RF 系統(tǒng)。SIP板身元件尺寸小，密度高，數(shù)量多，傳統(tǒng)貼片機配置難以滿足其貼片要求。

SMT制程在SIP工藝流程中的三部分都有應(yīng)用：1st SMT PCB貼片 + 3rd SMT FPC貼鎳片 + 4th SMT FPC+COB。SiP失效模式和失效機理，主要失效模式：(1) 焊接異常：IC引腳錫渣、精密電阻連錫。? 原因分析：底部UF (Underfill底部填充）膠填充不佳，導(dǎo)致錫進入IC引腳或器件焊盤間空洞造成短路。(2) 機械應(yīng)力損傷：MOS芯片、電容裂紋。? 原因分析：(1) SiP注塑后固化過程產(chǎn)生的應(yīng)力;（2）設(shè)備/治具產(chǎn)生的應(yīng)力。(3) 過電應(yīng)力損傷：MOS、電容等器件EOS損傷。? 原因分析：PCM SiP上的器件受電應(yīng)力損傷（ESD、測試設(shè)備浪涌等）。SiP系統(tǒng)級封裝技術(shù)將處理芯片、存儲芯片、被動元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上。河北SIP封裝工藝

SiP可以說是先進的封裝技術(shù)、表面安裝技術(shù)、機械裝配技術(shù)的融合。河北SIP封裝工藝

SiP具有以下優(yōu)勢：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當(dāng)對大批量組件應(yīng)用規(guī)模經(jīng)濟時，成本節(jié)約開始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設(shè)計成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識，從模塑料選擇，基板選擇和熱機械建模，可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。河北SIP封裝工藝