構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。前者包括基板，LTCC，SiliconSubmount(其本身也可以是一塊IC)。后者包括傳統(tǒng)封裝工藝(Wirebond和FlipChip)JI和SMT設(shè)備。無源器件是SiP的一個(gè)重要組成部分，其中一些可以與載體集成為一體(Embedded，MCM-D等)，另一些(精度高、Q值高、數(shù)值高的電感、電容等)通過SMT組裝在載體上。SiP的主流封裝形式是BGA。就目前的技術(shù)狀況看，SiP本身沒有特殊的工藝或材料。這并不是說具備傳統(tǒng)先進(jìn)封裝技術(shù)就掌握了SiP技術(shù)。由于SiP的產(chǎn)業(yè)模式不再是單一的代工，模塊劃分和電路設(shè)計(jì)是另外的重要因素。通信SiP在無線通信領(lǐng)域的應(yīng)用較早，也是應(yīng)用較為普遍的領(lǐng)域。四川WLCSP封裝市價(jià)

PiP (Package In Package)， 一般稱堆疊封裝又稱封裝內(nèi)的封裝，還稱器件內(nèi)置器件，是在同一個(gè)封裝腔體內(nèi)堆疊多個(gè)芯片形成3D 封裝的一種技術(shù)方案。封裝內(nèi)芯片通過金線鍵合堆疊到基板上，同樣的堆疊，通過金線再將兩個(gè)堆疊之間的基板鍵合，然后整個(gè)封裝成一個(gè)元件便是PiP（器件內(nèi)置器件）。PiP封裝技術(shù)較初是由KINGMAX公司研發(fā)的一種電子產(chǎn)品封裝技術(shù)，該技術(shù)整合了PCB基板組裝及半導(dǎo)體封裝制作流程，可以將小型存儲(chǔ)卡所需 要的零部件（控制器、閃存集成電路、基礎(chǔ)材質(zhì)、無源計(jì)算組件）直接封裝，制成功能完整的Flash存儲(chǔ)卡產(chǎn) 品。PiP一體化封裝技術(shù)具有下列技術(shù)優(yōu)勢(shì)：超大容量、高讀寫速度、堅(jiān)固耐用、強(qiáng)防水、防靜電、耐高溫等， 因此常運(yùn)用于SD卡、XD卡、MM卡等系列數(shù)碼存儲(chǔ)卡上。四川WLCSP封裝市價(jià)在電源、車載通訊方面也開始進(jìn)行了 SiP 探索和開發(fā)實(shí)踐。

SMT生產(chǎn)工藝挑戰(zhàn)：元件小型化，Chip元件逐步淘汰，隨著產(chǎn)品集成化程度越來越高，產(chǎn)品小型化趨勢(shì)不可避免，因此0201元件在芯片級(jí)制造領(lǐng)域受到微型化發(fā)展趨勢(shì)，將被逐步淘汰。Chip元件普及，隨著蘋果i-watch的面世，SIP的空間設(shè)計(jì)受到挑戰(zhàn)，伴隨蘋果，三星等移動(dòng)設(shè)備的高標(biāo)要求，01005 chip元件開始普遍應(yīng)用在芯片級(jí)制造領(lǐng)域。Chip元件開始推廣，SIP工藝的發(fā)展，要求元件板身必須小型化，隨著集成的功能越來越多，PCB承載的功能將逐步轉(zhuǎn)移到SIP芯片上，這就要求SIP在滿足功能的前提下，還能降尺寸控制在合理范圍，由此催生出0201元件的推廣與應(yīng)用。

元件密集化，Chip元件密集化，隨著SIP元件的推廣，SIP封裝所需元件數(shù)量和種類越來越多，在尺寸受限或不變的前提下，要求單位面積內(nèi)元件密集程度必須增加。貼片精度高精化，SIP板身元件尺寸小，密度高，數(shù)量多，傳統(tǒng)貼片機(jī)配置難以滿足其貼片要求，因此需要精度更高的貼片設(shè)備，才能滿足其工藝要求。工藝要求越來越趨于極限化，SIP工藝板身就是系統(tǒng)集成化的結(jié)晶，但是隨著元件小型化和布局的密集化程度越來越高，勢(shì)必度傳統(tǒng)工藝提出挑戰(zhàn)，印刷，貼片，回流面臨前所未有的工藝挑戰(zhàn)，因此需要工藝管控界限向著6 Sigma靠近，以提高良率。SiP系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)將處理芯片、存儲(chǔ)芯片、被動(dòng)元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上。

除了2D和3D的封裝結(jié)構(gòu)外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SiP的范圍。此技術(shù)主要是將不同組件內(nèi)藏于多功能基板中，亦可視為是SiP的概念，達(dá)到功能整合的目的。不同的芯片，排列方式，與不同內(nèi)部結(jié)合技術(shù)搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合，并可按照客戶或產(chǎn)品的需求加以客制化或彈性生產(chǎn)。SiP技術(shù)路線表明，越來越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實(shí)現(xiàn)更深層次的3D封裝。圖2.19 是8芯片堆疊SiP，將現(xiàn)有多芯片封裝結(jié)合在一個(gè)堆疊中。微晶片的減薄化是SiP增長面對(duì)的重要技術(shù)挑戰(zhàn)?，F(xiàn)在用于生產(chǎn)200mm和300mm微晶片的焊接設(shè)備可處理厚度為50um的晶片，因此允許更密集地堆疊芯片。一個(gè)SiP可以選擇性地包含無源器件、MEMS、光學(xué)元件以及其他封裝和設(shè)備。四川WLCSP封裝市價(jià)

除了2D與3D的封裝結(jié)構(gòu)外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SiP的涵蓋范圍。四川WLCSP封裝市價(jià)

SiP主流的封裝結(jié)構(gòu)形式，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，2D封裝中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D結(jié)構(gòu)是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線鍵合、倒裝芯片或二者混合的組裝工藝，也可采用硅通孔技術(shù)進(jìn)行互連。四川WLCSP封裝市價(jià)