SIP產(chǎn)品封裝介紹，什么是SIP?SiP模組是一個(gè)功能齊全的子系統(tǒng)，它將一個(gè)或多個(gè)IC芯片及被動(dòng)元件整合在一個(gè)封裝中。此IC芯片(采用不同的技術(shù)：CMOS、BiCMOS、GaAs等)是Wire bonding芯片或Flipchip芯片，貼裝在Leadfream、Substrate或LTCC基板上。被動(dòng)元器件如RLC及濾波器(SAW/BAW/Balun等)以分離式被動(dòng)元件、整合性被動(dòng)元件或嵌入式被動(dòng)元件的方式整合在一個(gè)模組中。SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。湖北半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)

包裝，主要目的是保證運(yùn)輸過(guò)程中的產(chǎn)品安全，及長(zhǎng)期存放時(shí)的產(chǎn)品可靠性。對(duì)包裝材料的強(qiáng)度、重量、溫濕度特性、抗靜電性能都有一定的要求。主要材料有Tray盤(pán)，抗靜電袋，干燥劑、濕度卡，紙箱等。包裝完畢后，直接入庫(kù)或按照要求裝箱后直接發(fā)貨給客戶。倒裝焊封裝工藝工序介紹，焊盤(pán)再分布，為了增加引線間距并滿足倒裝焊工藝的要求，需要對(duì)芯片的引線進(jìn)行再分布。制作凸點(diǎn)，焊盤(pán)再分布完成之后，需要在芯片上的焊盤(pán)添加凸點(diǎn)，焊料凸點(diǎn)制作技術(shù)可采用電鍍法、化學(xué)鍍法、蒸發(fā)法、置球法和焊膏印盡4法。目前仍以電鍍法較為普遍，其次是焊膏印刷法。天津SIP封裝價(jià)位SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動(dòng)組件SMT及塑封技術(shù)。

合封電子、芯片合封和SiP系統(tǒng)級(jí)封裝經(jīng)常被提及的概念。但它們是三種不同的技術(shù)，還是同一種技術(shù)的不同稱呼？本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封電子與SiP系統(tǒng)級(jí)封裝的定義，首先合封電子和芯片合封都是一個(gè)意思合封電子是一種將多個(gè)芯片（多樣選擇）或不同的功能的電子模塊（LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管）封裝在一起的定制化芯片，從而形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。以實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜、更高效的任務(wù)。云茂電子可定制組成方式包括CoC封裝技術(shù)、SiP封裝技術(shù)等。

3D封裝結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是使數(shù)據(jù)傳輸率更高。對(duì)于具有 GHz 級(jí)信號(hào)傳輸?shù)母咝阅軕?yīng)用，導(dǎo)體損耗和介電損耗會(huì)引起信號(hào)衰減，并導(dǎo)致低壓差分信號(hào)中的眼圖不清晰。信號(hào)走線設(shè)計(jì)的足夠?qū)捯缘窒鸊Hz傳輸?shù)募w效應(yīng)，但走線的物理尺寸，包括橫截面尺寸和介電層厚度都要精確制作，以更好的與spice模型模擬相互匹配。另一方面，晶圓工藝的進(jìn)步伴隨著主要電壓較低的器件，這導(dǎo)致噪聲容限更小，較終導(dǎo)致對(duì)噪聲的敏感性增加。散布在芯片上的倒裝凸塊可作為具有穩(wěn)定參考電壓電平的先進(jìn)芯片的穩(wěn)定電源傳輸系統(tǒng)。Sip系統(tǒng)級(jí)封裝通過(guò)將多個(gè)裸片（Die）和無(wú)源器件融合在單個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了集成電路封裝的創(chuàng)新突破。

SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動(dòng)組件SMT及塑封技術(shù)，封裝成型可依據(jù)客戶設(shè)計(jì)制作不同形狀模塊，甚至是3D立體結(jié)構(gòu)，藉此可將整體尺寸縮小，預(yù)留更大空間放置電池，提供更大電力儲(chǔ)存，延長(zhǎng)產(chǎn)品使用時(shí)間，但功能更多、速度更快，因此特別適用于射頻相關(guān)應(yīng)用如5G毫米波模塊、穿戴式裝置及汽車電子等領(lǐng)域。微小化制程三大關(guān)鍵技術(shù)，在設(shè)計(jì)中元器件的數(shù)量多寡及排布間距，即是影響模塊尺寸的較主要關(guān)鍵。要能夠?qū)崿F(xiàn)微小化，較重要的莫過(guò)于三項(xiàng)制程技術(shù)：塑封、屏蔽及高密度打件技術(shù)。SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進(jìn)行組合進(jìn)行一體化封裝。天津SIP封裝價(jià)位

不同的芯片排列方式，與不同的內(nèi)部接合技術(shù)搭配，使 SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。湖北半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)

為了在 SiP 應(yīng)用中得到一致的優(yōu)異細(xì)間距印刷性能，錫膏的特性如錫粉尺寸、助焊劑系統(tǒng)、流變性、坍塌特性和鋼網(wǎng)壽命都很重要，都需要被仔細(xì)考慮。合適的鋼網(wǎng)技術(shù)、設(shè)計(jì)和厚度，配合印刷時(shí)使用好的板支撐系統(tǒng)對(duì)得到一致且優(yōu)異的錫膏轉(zhuǎn)印效率也是很關(guān)鍵的?；亓髑€需要針對(duì)不同錫膏的特性進(jìn)行合適的設(shè)計(jì)來(lái)達(dá)到空洞較小化。從目前的01005元件縮小到008004，甚至于下一代封裝的0050025，錫膏的印刷性能變得非常關(guān)鍵。從使用 3 號(hào)粉或者 4 號(hào)粉的傳統(tǒng)表面貼裝錫膏印刷發(fā)展到更為復(fù)雜的使用 5、6 號(hào)粉甚至 7 號(hào)粉的 SiP 印刷工藝。新的工藝鋼網(wǎng)開(kāi)孔更小且鋼網(wǎng)厚度更薄，對(duì)可接受的印刷錫膏體積的差異要求更為嚴(yán)格。除了必須要印刷更小和更薄的錫膏沉積，相鄰焊盤(pán)的間隙也更小了。有些廠家已經(jīng)開(kāi)始嘗試50 μm 的焊盤(pán)間隙。湖北半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)