系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)種類繁多，裸片與無源器件貼片，植球——將焊錫球置于基板焊盤上，用于電氣連接，回流焊接（反面）——通過控制加溫熔化焊料達(dá)到器件與基板間的，鍵合，塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保護(hù)裸片及器件，減薄——通過研磨將多余的塑封材料去除，BGA植球——進(jìn)行成品的BGA（球柵陣列封裝）植球，切割——將整塊基板切割為多個(gè)SiP成品。通過測(cè)試后的芯片成品，將被集成在各類智能產(chǎn)品內(nèi)，較終應(yīng)用在智能生活的各個(gè)領(lǐng)域。構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。河北IPM封裝廠商

SIP工藝解析，引線鍵合封裝工藝工序介紹：圓片減薄，為保持一定的可操持性，F(xiàn)oundry出來的圓厚度一般在700um左右。封測(cè)廠必須將其研磨減薄，才適用于切割、組裝，一般需要研磨到200um左右，一些疊die結(jié)構(gòu)的memory封裝則需研磨到50um以下。圓片切割，圓片減薄后，可以進(jìn)行劃片，劃片前需要將晶元粘貼在藍(lán)膜上，通過sawwing工序，將wafer切成一個(gè) 一個(gè) 單獨(dú)的Dice。目前主要有兩種方式：刀片切割和激光切割。芯片粘結(jié)，貼裝的方式可以是用軟焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封裝中較常用的方法是使用聚合物粘結(jié)劑粘貼到金屬框架上。湖南MEMS封裝行價(jià)SIP（System In Package，系統(tǒng)級(jí)封裝）為一種封裝的概念。

由于物聯(lián)網(wǎng)“智慧”設(shè)備的快速發(fā)展，業(yè)界對(duì)能夠在更小的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多功能的系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 器件的需求高漲，這種需求將微型化趨勢(shì)推向了更高的層次：使用更小的元件和更高的密度來進(jìn)行組裝。 無源元件尺寸已從 01005 （ 0.4 mm× 0.2 mm) 縮小到 008004（ 0.25 mm×0.125 mm) ，細(xì)間距錫膏印刷對(duì) SiP 的組裝來說變得越來越有挑戰(zhàn)性。 對(duì)使用不同助焊劑和不同顆粒尺寸錫粉的 3 種錫膏樣本進(jìn)行了研究； 同時(shí)通過比較使用平臺(tái)和真空的板支撐系統(tǒng)，試驗(yàn)了是否可以單獨(dú)使用平臺(tái)支撐來獲得一致性較好的印刷工藝；并比較了激光切割和電鑄鋼網(wǎng)在不同開孔尺寸下的印刷結(jié)果。

至于較初對(duì)SiP的需求，我們只需要看微處理器。微處理器的開發(fā)和生產(chǎn)要求與模擬電路、電源管理設(shè)備或存儲(chǔ)設(shè)備的要求大不相同。這導(dǎo)致系統(tǒng)層面的集成度明顯提高。盡管SiP一詞相對(duì)較新，但在實(shí)踐中SiP長(zhǎng)期以來一直是半導(dǎo)體行業(yè)的一部分。在1970年代，它以自由布線、多芯片模塊（MCM）和混合集成電路（HIC） 的形式出現(xiàn)。在 1990 年代，它被用作英特爾奔騰 Pro3 集成處理器和緩存的解決方案。如今，SiP已經(jīng)變成了一種解決方案，用于將多個(gè)芯片集成到單個(gè)封裝中，以減少空間和成本。SIP與SOC，SOC(System On a Chip，系統(tǒng)級(jí)芯片)是將原本不同功能的IC，整合到一顆芯片中。

SiP具有以下優(yōu)勢(shì)：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個(gè)受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當(dāng)對(duì)大批量組件應(yīng)用規(guī)模經(jīng)濟(jì)時(shí)，成本節(jié)約開始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設(shè)計(jì)成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會(huì)受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個(gè)不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識(shí)，從模塑料選擇，基板選擇和熱機(jī)械建模，可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級(jí)封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時(shí)減少了對(duì)外圍器件的依賴。湖南MEMS封裝行價(jià)

SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動(dòng)組件SMT及塑封技術(shù)。河北IPM封裝廠商

除了2D和3D的封裝結(jié)構(gòu)外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SiP的范圍。此技術(shù)主要是將不同組件內(nèi)藏于多功能基板中，亦可視為是SiP的概念，達(dá)到功能整合的目的。不同的芯片，排列方式，與不同內(nèi)部結(jié)合技術(shù)搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合，并可按照客戶或產(chǎn)品的需求加以客制化或彈性生產(chǎn)。SiP技術(shù)路線表明，越來越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實(shí)現(xiàn)更深層次的3D封裝。圖2.19 是8芯片堆疊SiP，將現(xiàn)有多芯片封裝結(jié)合在一個(gè)堆疊中。微晶片的減薄化是SiP增長(zhǎng)面對(duì)的重要技術(shù)挑戰(zhàn)?，F(xiàn)在用于生產(chǎn)200mm和300mm微晶片的焊接設(shè)備可處理厚度為50um的晶片，因此允許更密集地堆疊芯片。河北IPM封裝廠商