Su等人28利用氫碘酸和抗壞血酸對(duì)PET基底上的多層氧化石墨烯薄膜進(jìn)行化學(xué)還原，得到30nm厚的RGO薄膜，并測(cè)試了其滲透性能。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對(duì)He原子和水分子完全不能透過(guò)。而厚度超過(guò)100 nm的RGO薄膜對(duì)幾乎所有氣體、液體和腐蝕性化學(xué)試劑（如HF）是高度不可滲透的。特殊的阻隔性能歸因于石墨烯層壓板的高度石墨化和在還原過(guò)程中幾乎沒(méi)有結(jié)構(gòu)損壞。與此結(jié)果相反，Liu等人29已經(jīng)證明了通過(guò)HI蒸氣和水輔助分層制備**式超薄rGO膜的簡(jiǎn)便且可重復(fù)的方法，利用rGO膜的毛細(xì)管力和疏水性，通過(guò)水實(shí)現(xiàn)**終的分層。采用真空抽濾在微孔濾膜基底上制備厚度低至20nm的**式rGO薄膜。常州第六元素公司可以生產(chǎn)多個(gè)型號(hào)的氧化石墨。哪里有氧化石墨改性

TO具有光致親水特性，可保證高的水流速率，在沒(méi)有外部流體靜壓的情況下，與GO/TO情況相比，通過(guò)RGO/TO雜化膜的離子滲透率可降低至0.5%，而使用同位素標(biāo)記技術(shù)測(cè)量的水滲透率可保持在原來(lái)的60%，如圖8.5（d-g）所示。RGO/TO雜化膜優(yōu)異的脫鹽性能，表明TO對(duì)GO的光致還原作用有助于離子的有效排斥，而在紫外光照射下光誘導(dǎo)TO的親水轉(zhuǎn)化是保留優(yōu)異的水滲透性的主要原因。這種復(fù)合薄膜制備方法簡(jiǎn)單，在水凈化領(lǐng)域具有很好的潛在應(yīng)用。。官能化氧化石墨生產(chǎn)企業(yè)氧化石墨能夠應(yīng)用在交通運(yùn)輸、建筑材料、能量存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)化等領(lǐng)域。

氧化石墨烯（GO）與石墨烯的另一個(gè)區(qū)別是在吸收紫外/可見(jiàn)光后會(huì)發(fā)出熒光。通?？梢栽诳梢?jiàn)光波段觀測(cè)到兩個(gè)峰值，一個(gè)在藍(lán)光段（400-500nm），另一個(gè)在紅光段（600-700nm）。關(guān)于氧化石墨烯發(fā)射熒光的機(jī)理，學(xué)界仍有爭(zhēng)論。此外，氧化石墨烯的熒光發(fā)射會(huì)隨著還原的進(jìn)行逐漸變化，在輕度化學(xué)還原過(guò)程中觀察到GO光致發(fā)光光譜發(fā)生紅移， 這一發(fā)現(xiàn)與其他人觀察到的發(fā)生藍(lán)移的現(xiàn)象相矛盾。這從另一個(gè)方面說(shuō)明了氧化石墨烯結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性和性質(zhì)的多樣性。

氧化石墨烯（GO）的光學(xué)性質(zhì)與石墨烯有著很大差別。石墨烯是零帶隙半導(dǎo)體，在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光吸收系數(shù)近乎常數(shù)（～2.3%）；相比之下，氧化石墨烯的光吸收系數(shù)要小一個(gè)數(shù)量級(jí)（～0.3%）[9][10]。而且，氧化石墨烯的光吸收系數(shù)是波長(zhǎng)的函數(shù)，其吸收曲線峰值在可見(jiàn)光與紫外光交界附近，隨著波長(zhǎng)向近紅外一端移動(dòng)，吸收系數(shù)逐漸下降。對(duì)紫外光的吸收（200-320nm）會(huì)表現(xiàn)出明顯的π-π*和 n-π*躍遷，而且其強(qiáng)度會(huì)隨著含氧基團(tuán)的出現(xiàn)而增加[11]。氧化石墨烯（GO）的光響應(yīng)對(duì)其含氧基團(tuán)的數(shù)量十分敏感[12]。隨著含氧基團(tuán)的去除，氧化石墨烯（GO）在可見(jiàn)光波段的的光吸收率迅速上升，**終達(dá)到2.3%這一石墨烯吸收率的上限。氧化石墨烯可以有效去除溶液中的金屬離子。

還原氧化石墨烯（RGO）在邊緣處和面內(nèi)缺陷處具有豐富的分子結(jié)合位點(diǎn)，使其成為一種很有希望的電化學(xué)傳感器材料。結(jié)合原位還原技術(shù)，有很多研究使用諸如噴涂、旋涂等基于溶液的技術(shù)手段，利用氧化石墨烯（GO）在不同基底上制造出具備石墨烯相關(guān)性質(zhì)的器件，以期在一些場(chǎng)合替代CVD制備的石墨烯。結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)。氧化石墨烯（GO）的能級(jí)結(jié)構(gòu)由sp3雜化和sp2雜化的相對(duì)比例決定[6]，調(diào)節(jié)含氧基團(tuán)相對(duì)含量可以實(shí)現(xiàn)氧化石墨烯（GO）從絕緣體到半導(dǎo)體再到半金屬性質(zhì)的轉(zhuǎn)換減少面內(nèi)難以修復(fù)的孔洞，從而提升還原石墨烯的本征導(dǎo)電性。哪里有氧化石墨改性

石墨烯微片的缺陷有時(shí)使其無(wú)法滿足某些復(fù)合材料在抗靜電或?qū)щ?、隔熱或?qū)岬确矫娴奶厥庖?。哪里有氧化石墨改?/p>

GO膜在水處理中的分離機(jī)理尚存在諸多爭(zhēng)議。一種觀點(diǎn)認(rèn)為通過(guò)尺寸篩分以及帶電的目標(biāo)分離物與納米孔之間的靜電排斥機(jī)理實(shí)現(xiàn)分離，如圖8.3所示。氧化石墨烯膜的分離通道主要由兩部分構(gòu)成：1）氧化石墨烯分離膜中不規(guī)則褶皺結(jié)構(gòu)形成的半圓柱孔道；2）氧化石墨烯分離膜片層之間的空隙。除此之外，由氧化石墨烯結(jié)構(gòu)缺陷引起的納米孔道對(duì)于水分子的傳輸提供了額外的通道19-22。Mi等23研究認(rèn)為干態(tài)下通過(guò)真空過(guò)濾制備的氧化石墨烯片層間隙的距離約為0.3 nm。哪里有氧化石墨改性