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多層氧化石墨技術

來源: 發(fā)布時間:2025-08-02

當前社會的快速發(fā)展造成了嚴重的重金屬離子污染,重金屬離子毒性大、分布廣、難降解,一旦進入生態(tài)環(huán)境,嚴重威脅人類的生命健康。目前,含重金屬離子廢水的處理方法主要有化學沉淀法、膜分離法、離子交換法、吸附法等等。而使用納米材料吸附重金屬離子成為當前科研人員的研究熱點。相對活性炭、碳納米管等碳基吸附材料,氧化石墨烯的比表面積更大,表面官能團(如羧基、環(huán)氧基、羥基等)更為豐富,具有很好的親水性,可以與金屬離子作用富集分離水相中的金屬離子;同時,氧化石墨烯片層可交聯(lián)極性小分子或聚合物制備出氧化石墨烯納米復合材料,吸附特性更加優(yōu)異。氧化石墨烯(GO)的厚度只有幾納米,具有兩親性。多層氧化石墨技術

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在光通信領域,徐等人開發(fā)了飛秒氧化石墨烯鎖模摻鉺光纖激光器,與基于石墨烯的可飽和吸收體相比,具有性能有所提升,并且具有易于制造的優(yōu)點[95],這是GO/RGO在與光纖結合應用**早的報道之一。在傳感領域,Sridevi等提出了一種基于腐蝕布拉格光柵光纖(FBG)外加GO涂層的高靈敏、高精度生化傳感器,該方法在檢測刀豆球蛋白A中進行了試驗[96]。為了探索光纖技術和GO特性結合的優(yōu)點,文獻[97]介紹了不同的GO涂層在光纖樣品上應用的特點,還分析了在傾斜布拉格光柵光纖FBG(TFBG)表面增加GO涂層對折射率(RI)變化的影響,論證了這種構型對新傳感器的發(fā)展的適用性。圖9.14給出了歸一化的折射率變化數(shù)據(jù),顯示了這種構型在多種傳感領域應用的可能。新型氧化石墨濾餅關于GO與水泥基復合材料的作用機制,研究者也有不同的觀點,目前仍沒有定論。

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氧化應激是指體內(nèi)氧化與抗氧化作用失衡,傾向于氧化,導致中性粒細胞炎性浸潤,蛋白酶分泌增加,產(chǎn)生大量氧化中間產(chǎn)物,即活性氧。大量的實驗研究已經(jīng)確認細胞經(jīng)不同濃度的GO處理后,都會增加細胞中活性氧的量。而活性氧的量可以通過商業(yè)化的無色染料染色后利用流式細胞儀或熒光顯微鏡檢測到。氧化應激是由自由基在體內(nèi)產(chǎn)生的一種負面作用,并被認為是導致衰老和疾病的一個重要因素。氧化應激反應不僅與GO的濃度[17,18]有關,還與GO的氧化程度[19]有關。如將蠕蟲分別置于10μg/ml和20μg/ml的PLL-PEG修飾的GO溶液中,GO會引起蠕蟲細胞內(nèi)活性氧的積累,其活性氧分別增加59.2%和75.3%。

多層氧化石墨烯(GO)膜在不同pH水平下去除水中有機物質(zhì)的系統(tǒng)性能評價和機理研究。該研究采用逐層組裝法制備了PAH/GO雙層膜,對典型單價離子(Na+,Cl-)和多價離子(SO42-,Mg2+)以及有機染料(亞甲藍MB,羅丹明R-WT)和藥物和個人護理品(三氯生TCS,三氯二苯脲TCC)在反滲透膜系統(tǒng)中通過GO膜的行為進行研究。結果發(fā)現(xiàn),在pH=7時,無論其電荷、尺寸或疏水性質(zhì)如何,GO膜能夠高效去除多價陽離子/陰離子和有機物,但對于單價離子的去除率較低。傳統(tǒng)的納濾膜通常帶負電,且只能去除帶有負電荷的多價離子和有機物。隨著pH的變化,GO膜的關鍵性質(zhì)(例如電荷,層間距)發(fā)生***變化,導致不同的pH依賴性界面現(xiàn)象和分離機制,一些有機物(例如三氯二苯脲)的分子形狀由于這種有機物與GO膜的碳表面的遷移性和π-π相互作用而極大地影響了它們的去除。氧化石墨烯的表面官能團與水中的金屬離子反應形成復雜的絡合物。

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光電器件是在微電子技術基礎上發(fā)展起來的一種實現(xiàn)光與電之間相互轉(zhuǎn)換的器件,其**是各種光電材料,即能夠?qū)崿F(xiàn)光電信息的接收、傳輸、轉(zhuǎn)換、監(jiān)測、存儲、調(diào)制、處理和顯示等功能的材料。光電傳感器件指的是能夠?qū)δ撤N特征量進行感知或探測的光電器件,狹義上*指可將特征光信號轉(zhuǎn)換為電信號進行探測的器件,廣義而言,任何可將被測對象的特征轉(zhuǎn)換為相應光信號的變化、并將光信號轉(zhuǎn)換為電信號進行檢測、探測的器件都可稱之為光電傳感器。靜電作用的強弱與氧化石墨烯表面官能團產(chǎn)生的負電荷相關。新型氧化石墨濾餅

氧化石墨的親水性好,易于分散到水泥基復合材料中。多層氧化石墨技術

太赫茲技術可用于醫(yī)學診斷與成像、反恐安全檢查、通信雷達、射電天文等領域,將對技術創(chuàng)新、國民經(jīng)濟發(fā)展以及**等領域產(chǎn)生深遠的影響。作為極具發(fā)展?jié)摿Φ男录夹g,2004年,美國**將THz科技評為“改變未來世界的**技術”之一,而日本于2005年1月8日更是將THz技術列為“國家支柱**重點戰(zhàn)略目標”**,舉全國之力進行研發(fā)。傳統(tǒng)的寬帶THz波可以通過光整流、光電導天線、激光氣體等離子體等方法產(chǎn)生,窄帶THz波可以通過太赫茲激光器、光學混頻、加速電子、光參量轉(zhuǎn)換等方法產(chǎn)生。多層氧化石墨技術

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