賽瑞達(dá)智能電子裝備（無(wú)錫）有限公司2025-04-19

在薄膜沉積工藝中，立式爐能在低壓環(huán)境下，通過(guò)精確控制氣體流量和溫度，讓氣體前驅(qū)體在晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，沉積出如多晶硅、氮化硅等高質(zhì)量薄膜，為后續(xù)半導(dǎo)體器件的制作奠定基礎(chǔ)。在氧化工藝?yán)?，可生成用于絕緣、隔離等功能的氧化層，像柵氧化層、場(chǎng)氧化層等，這些氧化層對(duì)半導(dǎo)體器件的性能起著關(guān)鍵作用。退火工藝時(shí)，立式爐能消除晶圓在制造過(guò)程中產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力，改善晶體結(jié)構(gòu)，提升半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能和穩(wěn)定性。

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