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MOSFET的柵極閾值電壓Vgs(th)是什么?

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-25

標(biāo)準(zhǔn)條件:ID=250μA(SOT-23)或1mA(TO247),芯技標(biāo)注VGS(th)@ID=1mA

深圳市芯技科技有限公司
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簡(jiǎn)介:深圳市芯技科技有限公司專注于保護(hù)器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。
簡(jiǎn)介: 深圳市芯技科技有限公司專注于保護(hù)器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。
保護(hù)器件2
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其余 2 條回答

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

    溫度特性:ΔVGS(th)/ΔT≈-6mV/℃,芯技SiC器件溫漂-3mV/℃

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

    工藝影響:VGS(th)離散性±20%,芯技AEC-Q車規(guī)級(jí)篩選至±10%

  • MOSFET
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