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MOSFET體二極管的反向恢復時間指什么?

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-24

定義:反向偏置時存儲電荷耗盡時間,標準測試條件IF→IR/dI/dt=100A/μs

深圳市芯技科技有限公司
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簡介:深圳市芯技科技有限公司專注于保護器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品,廣泛應用于消費電子等多個領域。
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保護器件2
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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

    損耗關(guān)聯(lián):Prr∝Qrr×VRRM×f,芯技Si MOSFET trr<100ns(競品>150ns)

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

    同步整流限制:trr決定死區(qū)時間下限,芯技低Qrr設計支持tdead=50ns

  • MOSFET
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