深圳市科星恒達(dá)電子有限公司2024-11-13

根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理的不同，鐵電存儲(chǔ)器可分為以下幾類(lèi)： 1.固溶體鐵電存儲(chǔ)器（Solid Solution FRAM，SSF）：采用固溶體鐵電材料制成，具有良好的電學(xué)和磁學(xué)性能。SSF具有較高的存儲(chǔ)密度和較快的讀寫(xiě)速度，但制備工藝相對(duì)復(fù)雜。 2.薄膜鐵電存儲(chǔ)器（Thin Film FRAM，TFF）：采用薄膜技術(shù)制備的鐵電材料制成，具有較低的制備成本。TFF具有較高的耐壓性和較長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保持時(shí)間，但存儲(chǔ)密度相對(duì)較低。 3.鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FERAM）：FERAM采用鐵電材料制作存儲(chǔ)單元，可在高速度和低功耗之間實(shí)現(xiàn)良好平衡。FERAM適用于高性能嵌入式系統(tǒng)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。 4.磁阻鐵電存儲(chǔ)器（Magnetoelectric FRAM，MFRAM）：結(jié)合了鐵電材料和磁性材料的優(yōu)點(diǎn)，具有更高的存儲(chǔ)密度和更快的讀寫(xiě)速度。MFRAM適用于高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。

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