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鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的分類(lèi)有哪些?

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深圳市科星恒達(dá)電子有限公司2024-11-13

根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理的不同,鐵電存儲(chǔ)器可分為以下幾類(lèi): 1.固溶體鐵電存儲(chǔ)器(Solid Solution FRAM,SSF):采用固溶體鐵電材料制成,具有良好的電學(xué)和磁學(xué)性能。SSF具有較高的存儲(chǔ)密度和較快的讀寫(xiě)速度,但制備工藝相對(duì)復(fù)雜。 2.薄膜鐵電存儲(chǔ)器(Thin Film FRAM,TFF):采用薄膜技術(shù)制備的鐵電材料制成,具有較低的制備成本。TFF具有較高的耐壓性和較長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保持時(shí)間,但存儲(chǔ)密度相對(duì)較低。 3.鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FERAM):FERAM采用鐵電材料制作存儲(chǔ)單元,可在高速度和低功耗之間實(shí)現(xiàn)良好平衡。FERAM適用于高性能嵌入式系統(tǒng)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。 4.磁阻鐵電存儲(chǔ)器(Magnetoelectric FRAM,MFRAM):結(jié)合了鐵電材料和磁性材料的優(yōu)點(diǎn),具有更高的存儲(chǔ)密度和更快的讀寫(xiě)速度。MFRAM適用于高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。

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