鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學性能以及穩(wěn)定的化學性質等優(yōu)點。因此，鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體，被譽為新一代高性能無機閃爍晶體山東專業(yè)加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長了直徑為 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體，晶體具有良好的外形和光學性質。通常應用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來的。黑龍江CeYAG晶體現(xiàn)貨

激子和類激子熒光機制。這種機制主要依賴于晶體中產生的自陷激子(STE)、電子缺陷激子或類激子激子以及閃爍體中產生閃爍熒光的電子或空穴[[21]。在一些鹵素結合的無機閃爍晶體中，通?？梢垣@得小于10ns的光衰減。例如，CdF2閃爍晶體的光衰減約為7ns。但由于激發(fā)能量必須與被激發(fā)的激子或類激子能量相同或相近，所以具有這種閃爍機制的無機閃爍晶體的光輸出一般很低，STEs熒光往往在室溫下被淬滅。盡管某些堿土氟化物晶體的ste在室溫下具有大的光輸出，但它們的光衰減接近毫秒。因此，具有這種發(fā)光機制的閃爍晶體只能用于特殊目的。河北專業(yè)CeYAG晶體現(xiàn)貨利用閃爍晶體探測注入人體內的放射性示蹤劑產生的高能伽馬射線。

根據(jù)經典熒光理論，參數(shù)q也可以由公式(1.15) [14]計算。公式中，Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率；c是猝滅常數(shù)，Eq是猝滅能，kb是為玻爾茲曼常數(shù)，t是完全溫度。分析表明，光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結構、能量傳輸效率和溫度有關。當帶隙變?yōu)榱銜r，閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下，當Eg小于2eV時，無輻射躍遷的概率會增大，從而Q變小，光輸出變小。結果表明，摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。

CeYAG高溫閃爍晶體主要應用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領域，另外它還可以應用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領域。目前，可以提供摻雜濃度0.08－1at%摻雜高度透明的CeYAG閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間（約70ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學性能穩(wěn)定，可以應用于極端的探測環(huán)境中。CeYAG高溫閃爍晶體主要應用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領域，另外它還可以應用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領域。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力。

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點。在可見光范圍內可以觀察到4個特征吸收峰，峰值波長分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對應于Ce3離子從4f到5d的亞能級躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對應比較低5d子能級至2F5/2基態(tài)能級。無機閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉化為紫外光或可見光的晶體能量轉換器。河北專業(yè)CeYAG晶體現(xiàn)貨

CeYAG晶體是立方結構，并且很容易制造出透明的對稱性很好的晶體。黑龍江CeYAG晶體現(xiàn)貨

和小編來看看什是CeYAG晶體？基于CeYAG晶體的摻Ce光纖拉制技術，基于管棒法(Rod-in-Tube)技術，以CeYAG晶體作為芯棒，純石英玻璃管作為套管，利用石墨爐，拉絲塔拉制了摻鈰(Ce)光纖.通過X射線能譜(EDX)分析拉制而成的光纖，得到光纖的纖芯變?yōu)椴ＡР牧?，而不顯然，像BGO這樣的閃爍晶體有很大的局限性。近期，美國的某公司使用新的閃爍晶體Ce:LSO [29]制作了一個具有高空間和時間分辨率(2毫米、30分鐘和4毫米、10分鐘)的PET原型。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光，使得它可以應用于中低能量γ射線α粒子的探測等領域！黑龍江CeYAG晶體現(xiàn)貨

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