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上海新型CeYAG晶體批發(fā)

來源: 發(fā)布時間:2022-09-11

隨著人們對閃爍晶體材料進一步深入的研究和科技的發(fā)展,閃爍晶體材料一般可用于X射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測。經(jīng)過100多年的發(fā)展,以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。閃爍晶體可以發(fā)出透明的熒光,在高能射線或其他放射性粒子通過時,會發(fā)出閃爍光,該種材料可以應(yīng)用在射線、中子、高能粒子的探測中,經(jīng)過了百年的發(fā)展,閃爍晶體材料已經(jīng)在安全檢查、高能物理、核醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到推廣。無機閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉(zhuǎn)化為紫外光或可見光的晶體能量轉(zhuǎn)換器。上海新型CeYAG晶體批發(fā)

你對CeYAG晶體了解多少呢?和小編一起來看看吧,CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體,除了高能射線探測成像應(yīng)用外,在高能物理與核物理實驗、安檢、醫(yī)療等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。CeYAG晶體是立方結(jié)構(gòu),并且很容易制造出透明的對 稱性很好的該晶體,非常適合用于白光LED的制造。CeYAG單晶制備工藝復(fù)雜,難以制備大尺寸,高摻雜濃度等缺點,限制了其應(yīng)用。由于YAG具有立方相晶體結(jié)構(gòu),具有光學(xué)均勻性,無雙折射效應(yīng)等特征。再是晶體狀態(tài),這表明光纖拉制過程中芯棒與套管之間存在擴散現(xiàn)象.光纖在314nm光泵浦的情況下,產(chǎn)生約67nm(FWHM)光譜寬度的熒光輻射。上海專業(yè)CeYAG晶體生產(chǎn)CeYAG晶體還用作陰極射線管的熒光體。

一種生長CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù),坩堝下降法生長CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為:(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12;0≤x≤1,0≤y≤1,0≤m≤0.05;其中A為Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一種;B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長爐溫范圍1900~2000℃,坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10~50℃/cm,坩堝下降速率為0.1~5mm/h,籽晶可采用等方向,坩堝直徑為30~120mm,高度為50~200mm。本發(fā)明專利技術(shù)采用坩堝下降法具有操作簡單,成本低,生長的CeYAG晶體體積大、內(nèi)部缺陷少、摻雜濃度高等優(yōu)點。

光衰減常數(shù)是表征閃爍晶體光衰減的物理量,是表征無機閃爍晶體的重要物理量。幾乎所有的閃爍計數(shù)應(yīng)用都要求無機閃爍晶體具有快速的光衰減常數(shù)。根據(jù)熒光理論,電偶極子躍遷幾率(Wr)的倒數(shù)為光衰減時間,其中c是光速,me是電子的質(zhì)量,e是電子的電荷,f是振子強度,n是材料的折射率,是躍遷的光波長。從上面的公式可以推斷出發(fā)射短波長閃爍光的晶體具有很小的光衰減常數(shù)。此外,雜質(zhì)或熱猝滅可以縮短晶體的光衰減,但這也會降低晶體的光輸出。如果高能射線入射,其熒光光譜向紅色移動,發(fā)射波長為550納米,可以很好地與硅光二極管耦合。

CeYAG晶體的良好的溫度機械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。在電子或者離子轟擊下CeYAG晶體不產(chǎn)生損傷,適合應(yīng)用于高電流環(huán)境。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右,很適合使用S20光電倍增管進行發(fā)射探測。在5KV之內(nèi)以及超過100KV的更高加速電壓下,CeYAG晶體具有更好的響應(yīng),在該環(huán)境下粉末閃爍體性能開始下降,而CeYAG晶體的相應(yīng)仍然保持線性增加。盡管CeYAG晶體的信號比P47弱,但是信噪比高,終端信號更好。CeYAG晶體的衰減時間為60ns。使用中為了避免光敏感,通常需要鍍50nm的鋁膜。CeYAG晶體,提拉法和溫梯法生長,直徑110mm,厚度0.15-150mm。CeYAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。甘肅CeYAG晶體型號

閃爍晶體是在高能射線的前提下形成的。上海新型CeYAG晶體批發(fā)

Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里?高溫閃爍晶體今后的發(fā)展趨勢主要包括以下幾個方面:1、尋求優(yōu)化的高溫閃爍晶體生長方法以及工藝技術(shù)。目前,多數(shù)高溫閃爍晶體主要是通過提拉法生長的,探索改進的提拉法或其它的工程化生長工藝技術(shù)對研究開發(fā)高溫閃爍晶體具有十分重要的意義。2、開展多摻雜以及探索新型發(fā)光離子的高溫閃爍晶體也會逐步受到人們的重視。隨著探測器件的小型化多功能化的迅猛發(fā)展,具有多種探測功能的復(fù)合閃爍探測單晶材料將會成為一個研究熱點。另外,探索其它發(fā)光中心離子的閃爍性能也將會逐步引起人們的關(guān)注,特別對能與現(xiàn)有的探測設(shè)備耦合匹配,容易摻雜等激發(fā)離子的研究。上海新型CeYAG晶體批發(fā)

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