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上海TmYAP晶體廠家直供

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-10-10

Tm:YAP晶體能級(jí)結(jié)構(gòu)通過低溫吸收譜和熒光譜,可以比較準(zhǔn)確的確定Tm:YAP晶體的能級(jí)結(jié)構(gòu)。如圖4-17,由吸收譜和發(fā)射譜交疊,可確定3F4能級(jí)零聲子線位置EZL=5621cm-1,然后根據(jù)發(fā)射譜確定基態(tài)13個(gè)stark能級(jí),再根據(jù)吸收譜確定激發(fā)態(tài)能級(jí),在這里我們給出了包含3H4、3H5、3F4以及基態(tài)3H6的能級(jí)圖結(jié)構(gòu)1.1.1 Tm:YAP晶體光譜參數(shù)及能量轉(zhuǎn)移參數(shù)計(jì)算光譜參數(shù)諸如吸收發(fā)射截面、J-O參數(shù)、躍遷幾率等以及能量轉(zhuǎn)移參數(shù)如能量交叉弛豫幾率等是評(píng)估晶體激光性能、設(shè)計(jì)激光器結(jié)構(gòu)所需要的重要參數(shù)。室溫下晶體的吸收光譜是在光譜儀上測(cè)定的。上海TmYAP晶體廠家直供

室溫下晶體的吸收光譜是在JASCO V-570 type ultraviolet/visible/near-IR spectrophotometer 光譜儀上測(cè)定的。測(cè)試范圍一般為190~2500nm,從190~350nm范圍,光源為氘燈(deuterium lamp),從340~2500nm范圍用鹵燈(halogen lamp)。在我們的實(shí)驗(yàn)中,測(cè)試范圍一般為190-2100,光譜分辨率為2nm。測(cè)試的原理是根據(jù)光的吸收定律(Lambert’s law): I/I0=e-αL (2-4)其中I0為入射光強(qiáng)度,I為透過樣品厚度為L的介質(zhì)后的光強(qiáng)度,α為吸收系數(shù)。測(cè)試得到的吸收光譜數(shù)據(jù)為各波長下的光密度D,即lg(I/I0)。光密度D、吸收截面積σabs和吸收系數(shù)α具有如下的關(guān)系:α=(2-5);σabs=(2-6)式中N為離子的摻雜濃度。四川LD泵浦TmYAP晶體批發(fā)價(jià)2μm波段激光輸出效率高于Tm:YAG晶體,直接輸出線偏振激光。

Tm:YAP晶體能量轉(zhuǎn)移參數(shù)計(jì)算:(1)多聲子弛豫幾率,通過公式3-12可計(jì)算Tm:YAP晶體中的多聲子弛豫幾率,其中Ep、C、a由文獻(xiàn)[71]可知分別為:600cm-1、6.3×109s-1、4.7×10-3cm,結(jié)合以上能級(jí)數(shù)據(jù),可得出每一能級(jí)向下能級(jí)躍遷的多聲子弛豫幾率;(2)能量傳遞速率,本論文中我們假設(shè)1at%Tm:YAP濃度足夠低,交叉弛豫可忽略不計(jì),通過1at%Tm:YAP吸收和發(fā)射光譜對(duì)Tm:YAP中Tm3+能量轉(zhuǎn)移的微觀參數(shù)進(jìn)行了估算。其中施主離子與受主離子間能量交叉弛豫參數(shù)CD-A采用3H4→3F4發(fā)射截面(F-L公式計(jì)算)與3H6→3F4吸收截面交疊積分代入公式3-18計(jì)算,計(jì)算結(jié)果為:CD-A=1.53×10-40cm6/s。

Tm:YAP和Tm:LSO兩微米波段激光晶體生長、光譜和激光性能的研究.1. 采用TPM法計(jì)算了Tm:YAP晶體JO參數(shù):Ω2=0.8×10-19cm2,Ω4=1.6×10-19 cm2,Ω6=1.1×10-19 cm2,擬合得到的JO參數(shù)與文獻(xiàn)報(bào)道的非常接近;由JO參數(shù)計(jì)算得3F4能級(jí)輻射壽命為4.8ms。2. 計(jì)算了Tm:YAP中能量交叉弛豫參數(shù)CD-A=1.53×10-40cm6/s,能量交叉弛豫半徑為6.2?,施主與施主離子能量轉(zhuǎn)移參數(shù)CD-D=2.48×10-39cm6/s;對(duì)不同濃度能量傳遞速率WEE進(jìn)行計(jì)算,并結(jié)合速率方程求解,得出泵浦效率h隨濃度增加而增加。Tm:YAP具有與純YAP晶體相似的結(jié)構(gòu)。

熱導(dǎo)率測(cè)試本實(shí)驗(yàn)中采用激光脈沖法對(duì)所生長晶體熱導(dǎo)率進(jìn)行了測(cè)量。激光脈沖法是常用的測(cè)試熱導(dǎo)率方法之一,可以獲得不同溫度下樣品的熱導(dǎo)率。其原理為:在四周絕熱的薄圓片試樣的正面,輻照一個(gè)垂直于試樣正面的均勻的激光脈沖進(jìn)行加熱,熱量在樣品中擴(kuò)散,使樣品背部的溫度上升。通過熱電偶或紅外線測(cè)量儀測(cè)出試樣背面溫升,輸入到高速記憶存儲(chǔ)器,放大后再輸出到計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理,獲得熱擴(kuò)散系數(shù)a,然后通過公式 λ=α.C.ρ (2-3)計(jì)算得樣品熱導(dǎo)率。其中λ為熱導(dǎo)率,C為樣品比熱系數(shù),ρ為樣品密度。TmYAP晶體熒光譜及熒光壽命的溫度依賴特性為4at%TmYAP晶體b方向非偏振溫度依賴熒光光譜。新型TmYAP晶體企業(yè)

Tm:YAG晶體中文名摻銩釔鋁石榴石晶體。上海TmYAP晶體廠家直供

Tm:YAP吸收系數(shù)與濃度變化成正比?X射線粉末不衍射,本研究采用x光粉末衍射儀分析晶體相和晶胞參數(shù)。X射線粉末衍射儀一般由X射線發(fā)生器、衍射儀測(cè)角臺(tái)和探測(cè)器組成。在傳統(tǒng)的x光衍射過程中,安裝在測(cè)角儀上的樣品通常旋轉(zhuǎn)一個(gè)角度,探測(cè)器旋轉(zhuǎn)兩個(gè)角度。-2掃描主要用于物質(zhì)相的x光粉末衍射測(cè)定。根據(jù)掃描衍射圖,結(jié)晶度、晶面取向度、晶格畸變、應(yīng)力等。并且可以初步判斷晶體中是否存在第二相物質(zhì)。Tm:YAP晶體能級(jí)結(jié)構(gòu)通過低溫吸收譜和熒光譜,可以比較準(zhǔn)確的確定Tm:YAP晶體的能級(jí)結(jié)構(gòu)。由吸收譜和發(fā)射譜交疊,可確定3F4能級(jí)零聲子線位置EZL=5621cm-1,然后根據(jù)發(fā)射譜確定基態(tài)13個(gè)stark能級(jí),再根據(jù)吸收譜確定激發(fā)態(tài)能級(jí),在這里我們給出了包含3H4、3H5、3F4以及基態(tài)3H6的能級(jí)圖結(jié)構(gòu)。上海TmYAP晶體廠家直供

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