由于過渡金屬離子d層電子能級較多，且易受晶場影響，在YAP晶體中可能存在較多吸收帶。GDMS分析結果也說明我們生長的Ce: YAP 晶體中過渡金屬含量均小于 10ppm，對晶體發(fā)光影響可以忽略。YAP會出現(xiàn)著色現(xiàn)象嗎？上式中X 為傳感器受到的重量，重量間隔為10克；Y 為3504歐路顯示的過程值，R為相關系數(shù)，A為截距，B為斜率。測試結果表明新系統(tǒng)的相關系數(shù)為-0.99998，標準差為0.062（原系統(tǒng)為-0.99992，標準差為0.117）, 具有很好的線性，確保了在晶體生長過程中控制系統(tǒng)能精確地得到晶體重量信息，從而有效控制晶體生長。少量過渡金屬離子的存在對吸收只會造成線性疊加影響, 且低濃度吸收并不足以造成Ce: YAP晶體的自吸收。河南CeYAP晶體性能
紫外輻照對Ce:YAP晶體自吸收有影響嗎？摻鈰高溫閃爍晶體是無機閃爍晶體的一個重要發(fā)展方向，其中鈰：YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來越大，因此生長大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時，國內生長的Ce:YAP晶體自吸收現(xiàn)象普遍存在，導致無法有效提高出光量，其機理尚不清楚。為了有效提高Ce:YAP晶體的閃爍性能，解決其自吸收問題，提高其發(fā)光強度，重點研究了Ce:YAP晶體的自吸收機制。同時，為了獲得高發(fā)光效率的大尺寸Ce:YAG晶體，嘗試用溫度梯度法生長大尺寸Ce:YAG晶體，并探索了晶體的比較好熱處理條件。本文主要討論了大尺寸Ce:YAP晶體的生長和自吸收以及用溫度梯度法生長和退火大尺寸Ce:YAG晶體，以提高晶體的實用性能。河南CeYAP晶體性能四價離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。
Ce:YAP高溫閃爍晶體的研究！不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜，是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波長范圍內的吸收明顯減弱，氧退火后321納米出現(xiàn)差示吸收峰?？梢哉J為246 nm和270 nm處的吸收與Fe3有關，即Fe3和Fe2之間存在躍遷[102]。除了321nm處的吸收，YAP: Fe的幾個吸收峰與純YAP晶體的吸收峰有一定距離，這不能解釋純YAP(Ce: YAP)中的其他吸收峰與鐵有關。
不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波長范圍內的吸收明顯減弱，氧退火后321納米出現(xiàn)差示吸收峰?？梢哉J為246 nm和270 nm處的吸收與Fe3有關，即Fe3和Fe2之間存在躍遷[102]。除了321nm處的吸收，YAP: Fe的幾個吸收峰與純YAP晶體的吸收峰有一定距離，這不能解釋純YAP(Ce: YAP)中的其他吸收峰與鐵有關。 CeYAP晶體發(fā)光波長為360－380nm，可與目前的光電接受裝置有效耦合。
據(jù)報道，F(xiàn)e3和Fe2離子分別在260納米和227納米附近有吸收[98，99]，純YAP在260納米附近也有吸收。為了了解255納米附近的吸收峰特性，我們生長并研究了純YAP晶體和濃度為0.2%的YAP:鐵。通過透射率的比較，我們粗略分析了純YAP和YAP: Fe晶體中可能的色心及其對ce3360ap自吸收的影響。 Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體的區(qū)別？Ce:YAP晶體在弱還原氣氛中生長，發(fā)現(xiàn)晶體的自吸收被有效壓制。與在惰性氣氛中生長的樣品相比，厚度為2mm的樣品的透射邊緣移動了近30納米，發(fā)光強度提高了50%以上。同時，研究了還原氣氛生長對Ce: YAP晶體其他閃爍性能的影響。CeYAP晶體穩(wěn)定的化學性質和良好的探測性能，在核醫(yī)學，核防護等方面有著較廣的應用前景。江西高溫CeYAP晶體參數(shù)
由于YAP晶體熱膨脹系數(shù)和熱導率的軸向差異，除了選擇合適的籽晶外，選擇合適的溫度場環(huán)境更為重要。河南CeYAP晶體性能
上式(1.10)中的Wi是構成晶體的原子I的重量百分比，Zi是構成晶體的原子I的原子序數(shù)。入射到晶體中的光子和電子(或正電子)在晶體中經(jīng)過一定距離后能量下降到1/e。這個距離稱為晶體的輻射長度(通常表示為X0)。它袋表閃爍體對輻射的截止能力。從上面的定義可以得出結論：X0=1/ (1.11)可以看出，輻射長度(X0)與吸收系數(shù)()成反比，所以吸收系數(shù)越大。輻射長度越短。輻射長度可由以下公式近似表示：X0=180A/(Z2) (1.12)其中a為原子量，z為有效原子數(shù)，為密度。從這個公式可以看出，有效原子序數(shù)和密度越高，晶體的輻射長度越短。由于電磁量熱儀用閃爍晶體的長度一般為20 X0，因此使用輻射長度較小的晶體有利于減小探測器的尺寸。另一方面，輻射長度越長，所需的材料越長，很難保證材料的均勻性。河南CeYAP晶體性能
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