3．邏輯綜合；4．門級(jí)驗(yàn)證（Gate-LevelNetlistVerification）；5．布局和布線。模擬集成電路設(shè)計(jì)的一般過程：1.電路設(shè)計(jì)（依據(jù)電路功能）；2.前仿真；3.版圖設(shè)計(jì)（Layout）；4.后仿真；5.后續(xù)處理（將版圖文件生成GDSII文件交予Foundry流片）。要設(shè)計(jì)集成電路版需要了解哪些知識(shí)集成電路設(shè)計(jì)的流程一般先要進(jìn)行軟硬件劃分，將設(shè)計(jì)基本分為兩部分：芯片硬件設(shè)計(jì)和軟件協(xié)同設(shè)計(jì)。芯片硬件設(shè)計(jì)包括：1．功能設(shè)計(jì)階段。設(shè)計(jì)人員產(chǎn)品的應(yīng)用場(chǎng)合，設(shè)定一些諸如功能、操作速度、接口規(guī)格、環(huán)境溫度及消耗功率等規(guī)格，以做為將來電路設(shè)計(jì)時(shí)的依據(jù)。更可進(jìn)一步規(guī)劃軟件模塊及硬件模塊該如何劃分，哪些功能該整合于SOC內(nèi)，哪些功能可以設(shè)計(jì)在電路板上。2．設(shè)計(jì)描述和行為級(jí)驗(yàn)證能設(shè)計(jì)完成后，可以依據(jù)功能將SOC劃分為若干功能模塊，并決定實(shí)現(xiàn)這些功能將要使用的IP核。此階段將接影響了SOC內(nèi)部的架構(gòu)及各模塊間互動(dòng)的訊號(hào)，及未來產(chǎn)品的可靠性。決定模塊之后，可以用VHDL或Verilog等硬件描述語言實(shí)現(xiàn)各模塊的設(shè)計(jì)。接著，利用VHDL或Verilog的電路仿真器，對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行功能驗(yàn)證集成電路布圖設(shè)計(jì)應(yīng)該向那個(gè)部門進(jìn)行申請(qǐng)按照我國于2001年制定的《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》。 電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！遼寧呆滯料回收廠家

第二側(cè)壁間隔件271至282在方向x上具有節(jié)距p5、p6和p7以及寬度w4。根據(jù)側(cè)壁間隔件261至266的寬度w3以及第二側(cè)壁間隔件271至282的寬度w4確定節(jié)距p5、p6和p7。在一些實(shí)施例中，第二側(cè)壁間隔件271至282的平均節(jié)距被減小到抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節(jié)距。在一些示例實(shí)施例中，如參照?qǐng)D4g、圖4h和圖4i所述，可以使用側(cè)壁間隔件261至266作為心軸圖案在與側(cè)壁間隔件261至266相同的層中形成第二側(cè)壁間隔件271至282。在一些示例實(shí)施例中，即使圖中未示出，也可以在下層中印刷側(cè)壁間隔件261至266，也可以使用印刷圖案作為心軸圖案在比側(cè)壁間隔件261至266低的層中形成第二側(cè)壁間隔件271至282。根據(jù)所使用的工藝步驟的數(shù)量，獲得不同的節(jié)距值(特征分辨率或者特征分隔距離)。在單圖案化或者直接圖案化的情況下，可以使用抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3形成與抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3具有相同的平均節(jié)距的目標(biāo)圖案。在sadp的情況下，可以使用心軸圖案231、232和233在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/2平均節(jié)距的目標(biāo)圖案。在saqp的情況下。遼寧呆滯料回收廠家上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有需求可以來電咨詢！

多個(gè)mtj器件106、204和206分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層112與自由層114分隔開的固定層110。在一些實(shí)施例中，固定層110可以形成為接觸底電極通孔408。在其它實(shí)施例中，自由層114可以形成為接觸底電極通孔408。多個(gè)mtj器件106、204和206中的一個(gè)包括被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)的工作mtj器件106。多個(gè)mtj器件106、204和206中的一個(gè)或多個(gè)包括設(shè)置在調(diào)節(jié)訪問裝置108內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件204和206，調(diào)節(jié)訪問裝置108被配置為控制(即，調(diào)節(jié))提供給相關(guān)的工作mtj器件106的電流。在一些實(shí)施例中，可以同時(shí)形成多個(gè)mtj器件106、204和206。例如，在一些實(shí)施例中，可以通過在介電層1002和多個(gè)底電極通孔408上方沉積磁固定膜，在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個(gè)mtj器件106、204和206?？梢詫?duì)磁固定膜、介電阻擋層和磁自由膜實(shí)施一個(gè)或多個(gè)圖案化工藝以限定多個(gè)mtj器件106、204和206。在其它實(shí)施例中，可以在不同時(shí)間形成多個(gè)mtj器件106、204和206。如圖11的截面圖1100所示，在多個(gè)mtj器件106、204和206上方形成多個(gè)頂電極通孔410。多個(gè)頂電極通孔410由第二ild層1102圍繞。在一些實(shí)施例中。

本公開一般地涉及液體冷卻的集成電路系統(tǒng)、用于冷卻集成電路的裝置以及用于冷卻集成電路的方法。背景技術(shù)：現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)產(chǎn)生大量的熱量。盡管所述熱量中的一部分熱量是由電源及類似物產(chǎn)生，所述熱量中的大部分熱量是由諸如處理器和存儲(chǔ)芯片的集成電路產(chǎn)生的。為了合適地運(yùn)行，這些計(jì)算機(jī)系統(tǒng)必須被保持在一定溫度范圍之內(nèi)。因此，必須消散或以其他方式移除由這些處理器和存儲(chǔ)芯片產(chǎn)生的熱量。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在一個(gè)方面中，本公開的實(shí)施方式提供一種液體冷卻的集成電路系統(tǒng)，所述液體冷卻的集成電路系統(tǒng)包括：兩個(gè)印刷電路裝配件，每個(gè)所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，平行地安裝在所述系統(tǒng)板上的多個(gè)印刷電路板插座，和多個(gè)冷卻管，每個(gè)所述冷卻管平行且鄰接于所述印刷電路板插座中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)印刷電路板插座地安裝在所述系統(tǒng)板上，所述冷卻管中的每個(gè)冷卻管具有在該冷卻管的與所述系統(tǒng)板相對(duì)的一側(cè)上粘附至所述冷卻管的熱接口材料層；以及多個(gè)集成電路模塊，每個(gè)所述集成電路模塊包括：印刷電路板，所述印刷電路板具有布置在所述印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座中的連接側(cè)；安裝在所述印刷電路板上的一個(gè)或多個(gè)集成電路，第二熱接口材料層。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，歡迎新老客戶來電！

每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線通過自對(duì)準(zhǔn)雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線在方向上布置成交替地具有柵極節(jié)距和第二柵極節(jié)距。在又一實(shí)施例中，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)包括十二條金屬線和八條柵極線，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線通過自對(duì)準(zhǔn)四倍圖案化(saqp)形成，并且每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線在方向上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距、第二金屬節(jié)距、金屬節(jié)距和第三金屬節(jié)距。在這個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線通過saqp形成，并且每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線在方向上布置成順序地且重復(fù)地具有柵極節(jié)距、第二柵極節(jié)距、柵極節(jié)距和第三柵極節(jié)距。還提供一種制造集成電路的方法。所述方法包括：在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在柵極層上方的導(dǎo)電層中形成多條金屬線，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得包括在所述多條金屬線中的6n條金屬線和包括在所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是正整數(shù)，并且多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。在所述方法的一些實(shí)施例中。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，歡迎新老客戶來電！遼寧呆滯料回收廠家

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本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術(shù)：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電子存儲(chǔ)器。電子存儲(chǔ)器可以是易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器在上電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器能夠在斷開電源時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)是用于下一代非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的一種有前景的候選。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結(jié)器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及調(diào)節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結(jié)器件和字線之間，其中，所述調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結(jié)器件的電流的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)磁隧道結(jié)器件。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)，其中，所述互連層通過所述介電結(jié)構(gòu)與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)，其中，所述工作mtj器件通過包括多個(gè)互連層且不延伸穿過所述襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種形成集成電路的方法。遼寧呆滯料回收廠家