在多個(gè)底電極通孔正上方形成多個(gè)mtj器件。多個(gè)mtj器件包括工作mtj器件和一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。圖10示出了對(duì)應(yīng)于步驟1306的一些實(shí)施例的截面圖1000。在步驟1308中，在多個(gè)mtj器件正上方形成多個(gè)頂電極通孔。圖11示出了對(duì)應(yīng)于步驟1308的一些實(shí)施例的截面圖1100。在步驟1310中，在多個(gè)頂電極通孔上方形成具有多個(gè)互連結(jié)構(gòu)的第二互連層。多個(gè)互連結(jié)構(gòu)限定位線和一條或多條字線。圖11示出了對(duì)應(yīng)于步驟1310的一些實(shí)施例的截面圖1100。步驟1302至1310在襯底上方形成存儲(chǔ)單元。在一些實(shí)施例中，可以重復(fù)步驟1302至1310(如步驟1312所示)以在存儲(chǔ)單元上方形成第二存儲(chǔ)單元。圖12示出了對(duì)應(yīng)于步驟1312的一些實(shí)施例的截面圖1200。雖然方法1300描述了包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置(包括mtj器件)的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)的方法存儲(chǔ)器電路，但是應(yīng)該理解，在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)裝置可以包括電阻器(例如，薄膜電阻器)。在這樣的實(shí)施例中，工作mtj器件可以通過組操作(在步驟1306中)形成，而包括電阻器的調(diào)節(jié)裝置可以通過第二組單獨(dú)的操作(在步驟1306和步驟1308之間發(fā)生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步驟1306中)之后，可以通過一個(gè)或多個(gè)沉積和蝕刻工藝形成電阻器。因此，在一些實(shí)施例中。電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電！湖北收購電子元器件回收行情

集成電路300可以包括在方向x上重復(fù)布置的多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws。每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws包括如上所述的6n條列金屬線和4n條柵極線。圖17是示出根據(jù)示例實(shí)施例的移動(dòng)裝置的框圖。參照?qǐng)D17，移動(dòng)裝置4000可以包括至少一個(gè)應(yīng)用處理器4100、通信模塊4200、顯示/觸摸模塊4300、存儲(chǔ)裝置4400和緩沖ram4500。應(yīng)用處理器4100可以控制移動(dòng)裝置4000的操作。通信模塊4200被實(shí)現(xiàn)為與外部裝置執(zhí)行無線或有線通信。顯示/觸摸模塊4300被實(shí)現(xiàn)為顯示由應(yīng)用處理器4100處理的數(shù)據(jù)和/或通過觸摸板接收數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)裝置4400被實(shí)現(xiàn)為存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)裝置4400可以是嵌入式多媒體卡(emmc)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(ssd)、通用閃存(ufs)裝置等。如上所述，存儲(chǔ)裝置4400可以執(zhí)行映射數(shù)據(jù)和用戶數(shù)據(jù)的高速緩存。緩沖ram4500可以臨時(shí)地存儲(chǔ)用于處理移動(dòng)裝置4000的操作的數(shù)據(jù)。例如，緩沖ram4500可以是易失性存儲(chǔ)器，諸如，雙倍數(shù)據(jù)速率(ddr)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sdram)、低功率雙倍數(shù)據(jù)速率(lpddr)sdram、圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(gddr)sdram、rambus動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rdram)等。根據(jù)如上所述的示例實(shí)施例，移動(dòng)裝置4000中的至少一個(gè)組件可以包括具有單元線路結(jié)構(gòu)的集成電路。這樣。湖北收購電子元器件回收行情電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，讓您滿意，歡迎新老客戶來電！

示出了一個(gè)處理器1500。可選地，多個(gè)處理器可以包括在設(shè)計(jì)系統(tǒng)1000中。此外，處理器1500可以包括增加計(jì)算容量的高速緩存存儲(chǔ)器。這樣，根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路和設(shè)計(jì)集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計(jì)效率和性能。圖15是示出圖14的設(shè)計(jì)系統(tǒng)的示例操作的流程圖。參照?qǐng)D14和圖15，設(shè)計(jì)模塊1400可以接收定義集成電路的輸入數(shù)據(jù)di(s11)。布局模塊1200可以參照包括如上所述的多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫1110，以便提取與輸入數(shù)據(jù)di對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元，并且可以使用提取的標(biāo)準(zhǔn)單元執(zhí)行單元布局(s12)。布線模塊1300可以針對(duì)布局的單元執(zhí)行信號(hào)布線(s13)。當(dāng)信號(hào)布線不成功時(shí)(s14：否)，布局模塊1200可以替換至少一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元，例如，可以用另一標(biāo)準(zhǔn)單元替換至少一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元，以修改單元的布局(s15)。布線模塊1300可以針對(duì)修改的布局再次執(zhí)行信號(hào)布線(s13)。這樣，可以重復(fù)地布局和布線，直到成功完成信號(hào)布線。當(dāng)信號(hào)布線成功完成時(shí)(s14：是)，設(shè)計(jì)模塊1400可以生成定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)do(s16)。圖16是示出根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的布圖的示圖。圖16的集成電路300可以是集成電路(asic)。

根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路以及制造和設(shè)計(jì)所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)uws1至uws6來提高集成電路的設(shè)計(jì)效率和性能。在下文中，參照可以支持根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標(biāo)準(zhǔn)單元的示例結(jié)構(gòu)。圖11實(shí)質(zhì)上是示意的，圖11中未示出上述實(shí)施例的所有特征。圖2示出在一些實(shí)施例中金屬線“ml”相對(duì)于柵極線“gl”以6比4的比率出現(xiàn)。圖5和圖7示出單個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實(shí)施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實(shí)施例。圖11是示出示例標(biāo)準(zhǔn)單元的布圖的示圖，圖12a、12b和12c是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元的截面圖。圖12a、12b和12c示出包括鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)的標(biāo)準(zhǔn)單元scl的一部分。圖12a是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿線a-a'的截面圖。圖12b是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿b-b'線的截面圖。圖12c是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿線c-c'的截面圖。參照?qǐng)D11、圖12a、圖12b和圖12c，標(biāo)準(zhǔn)單元可以形成在具有上表面110a的基底110上，該上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例實(shí)施例中，基底110可以包括例如硅(si)、鍺。電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選。

本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術(shù)：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電子存儲(chǔ)器。電子存儲(chǔ)器可以是易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器在上電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器能夠在斷開電源時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)是用于下一代非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的一種有前景的候選。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結(jié)器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及調(diào)節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結(jié)器件和字線之間，其中，所述調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結(jié)器件的電流的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)磁隧道結(jié)器件。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)，其中，所述互連層通過所述介電結(jié)構(gòu)與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)，其中，所述工作mtj器件通過包括多個(gè)互連層且不延伸穿過所述襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種形成集成電路的方法。電子料回收哪家好，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選！安徽收購電子元器件回收行情

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所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是正整數(shù)，并且多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路以及制造和設(shè)計(jì)所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計(jì)效率和性能。附圖說明通過以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，將更清楚地理解本公開的示例實(shí)施例。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。圖2是根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的截面圖。圖3是根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的圖。圖4a至圖4i是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的用于制造集成電路的圖案化工藝的示圖。圖5至圖10是根據(jù)示例實(shí)施例的應(yīng)用于集成電路的單元線路結(jié)構(gòu)的示例實(shí)施例的示圖。圖11是示出示例標(biāo)準(zhǔn)單元的布圖的示圖。圖12a、圖12b和圖12c是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元的截面圖。圖13是示出根據(jù)示例實(shí)施例的設(shè)計(jì)集成電路的方法的示圖。圖14是示出根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的設(shè)計(jì)系統(tǒng)的框圖。圖15是示出圖14的設(shè)計(jì)系統(tǒng)的示例操作的流程圖。圖16是示出根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的布圖的示圖。圖17是示出根據(jù)示例實(shí)施例的移動(dòng)裝置的框圖。具體實(shí)施方式在下文中將參照示出一些示例實(shí)施例的附圖更地描述各種示例實(shí)施例。在附圖中。湖北收購電子元器件回收行情

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