晶振有一個(gè)重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15皮或12.5皮，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個(gè)22皮的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。晶片多為石英半導(dǎo)體材料，外殼用金屬封裝。合肥低功耗晶體振蕩器廠家直銷
晶體振蕩器的負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時(shí)，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。激勵(lì)電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時(shí)，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度。蘇州石英晶體振蕩器批發(fā)負(fù)載電容是指晶體振蕩器的兩條引線連接的集成電路（IC）內(nèi)部及外部所有有效電容之和。
晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。計(jì)算機(jī)都有個(gè)計(jì)時(shí)電路，盡管一般使用“時(shí)鐘”這個(gè)詞來表示這些設(shè)備，但它們實(shí)際上并不是通常意義的時(shí)鐘，把它們稱為計(jì)時(shí)器可能更恰當(dāng)一點(diǎn)。計(jì)算機(jī)的計(jì)時(shí)器通常是一個(gè)精密加工過的石英晶體，石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩，這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。
晶體振蕩器的主要參數(shù)：晶體振蕩器的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率、負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等，這些參數(shù)決定了晶體振蕩器的品質(zhì)和性能。因此，在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木w振蕩器，如通信網(wǎng)絡(luò)、無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要精度高的晶體振蕩器。不過，由于性能越高的晶體振蕩器價(jià)格也越貴，所以購買時(shí)選擇符合要求的晶體振蕩器即可。標(biāo)稱頻率。不同的晶體振蕩器標(biāo)稱頻率不同，標(biāo)稱頻率大都標(biāo)注在晶體振蕩器外殼上。負(fù)載特性。其他條件保持不變時(shí)，負(fù)載在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱負(fù)載下的輸出頻率的較大允許頻偏。負(fù)載電容可看作晶體振蕩器片在電路中串接電容。
晶體振蕩器原理將電壓施加到所述石英晶體的壓電元件，變形發(fā)生在壓電體。這種現(xiàn)象發(fā)現(xiàn)者，雅克和皮埃爾居里是兄弟。晶體單元的振蕩頻率本身是由晶體單元的特性決定的，因此基本上不能改變。電性能，通常是一個(gè)電容器作為其固有頻率附近特定頻率單頻帶線圈作為電感性電抗充當(dāng)具有。應(yīng)用此原理的電子組件是晶體諧振器。AT是一種常見的晶體振蕩器諧振器是壓電晶體元件具有兩個(gè)（晶體坯）電極由夾的石英振動(dòng)元件在上籠的影片。由于石英振蕩器會(huì)引起自由振動(dòng)，因此波形會(huì)變成正弦波。在PCB布線時(shí)晶體振蕩器電路的走線應(yīng)盡量短且盡可能靠近IC，杜絕在晶體振蕩器兩腳間走線。晶體振蕩器報(bào)價(jià)
晶片變形，則兩極上金屬片又會(huì)產(chǎn)生電壓。合肥低功耗晶體振蕩器廠家直銷
串聯(lián)型晶體振蕩器的電路的振蕩過程：接通電源后，三極管VT1、VT2導(dǎo)通，VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號(hào)，石英晶體X1對(duì)其中的f0信號(hào)阻抗很小，f0信號(hào)經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極，該信號(hào)經(jīng)VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過X1反饋到VT1放大，如此反復(fù)進(jìn)行，VT2輸出的f0信號(hào)幅度越來越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來越小，當(dāng)放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時(shí)，輸出f0信號(hào)幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號(hào)。合肥低功耗晶體振蕩器廠家直銷