污染物和殘留氣體的分子會沉積在晶體片上或使晶體電極氧化，振蕩頻率越高，所用的晶體片就越薄，這種影響就越厲害。這種影響要經(jīng)過一段較長的時間才能逐漸穩(wěn)定，而且這種穩(wěn)定隨著溫度或工作狀態(tài)的變化會有反復——使污染物在晶體表面再度集中或分散。因此，頻率低的晶振比頻率高的晶振、工作時間長的晶振比工作時間短的晶振、連續(xù)工作的晶振比斷續(xù)工作的晶振的老化率要好。晶振的輸出頻率受到內部電路的影響(晶體的Q值、元器件的噪音、電路的穩(wěn)定性、工作狀態(tài)等)而產(chǎn)生頻譜很寬的不穩(wěn)定。測量一連串的頻率值后，用阿倫方程計算。相位噪音也同樣可以反映短穩(wěn)的情況。石英晶體具有非常重要的特性，稱為壓電效應。杭州小型晶體振蕩器貴不貴

晶體振蕩器和IC間一般是通過銅走線相連的，這根走線可以看成一段導線或數(shù)段導線，導線在切割磁力線的時候會產(chǎn)生電流，導線越長，產(chǎn)生的電流越強?，F(xiàn)實中，磁力線不常見，電磁波卻到處都是。晶體振蕩器和IC之間的連線就變成了接收天線，它越長，接收的信號就越強，產(chǎn)生的電能量就越強，直到接收到的電信號強度超過或接近晶體振蕩器產(chǎn)生的信號強度時，IC內的放大電路輸出的將不再是固定頻率的方波了，而是亂七八糟的信號，導致數(shù)字電路無法同步工作而出錯。上海壓控晶體振蕩器廠家推薦晶體振蕩器的振蕩頻率范圍可以從大約 40kHz 到遠高于 100MHz，取決于它們的電路配置。

晶振的指標：總頻差：在規(guī)定的時間內，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的很大偏差。說明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率老化率造成的偏差、頻率電壓特性和頻率負載特性等共同造成的很大頻差。一般只在對短期頻率穩(wěn)定度關心，而對其他頻率穩(wěn)定度指標不嚴格要求的場合采用。例如：精密制導雷達。頻率穩(wěn)定度：任何晶振，頻率不穩(wěn)定是一定的，程度不同而已。一個晶振的輸出頻率隨時間變化的曲線。

晶體振蕩器簡介：晶體振蕩器（SMD）中普通有源振蕩器有4只引腳，差分晶體振蕩器有6只引腳。是一個完整的振蕩器，里面除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件。晶體振蕩器也稱為有源晶振，有源晶振分為DIP直插晶振和SMD貼片晶振。有源晶振是用石英晶體組成的，之所以能當為振蕩器使用，是基于它的壓電效應。有源晶振不需要數(shù)字信號處理DSP的內部振蕩器，信號質量好，穩(wěn)定高。差分晶振，顧名思義就是輸出是差分信號的晶振，輸出的差分信號運用2種相位相互徹底相反的信號，從而除去了共模噪音，并發(fā)生一度更高功能的系統(tǒng)。晶體諧振器（DIP）也叫直插無源晶振，需要用數(shù)字信號處理DSP片內的振蕩器。

溫度控制式補償晶體振蕩器的間接補償型。間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度-電壓變換電路，并將該電壓施加到一只與晶體振子相串接的變容二極管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5×10-6的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字式間接溫度補償是在模擬式間接溫度補償電路中的溫度-電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）轉換器，將模擬量轉換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復雜，成本也較高。晶體諧振器跟晶體振蕩器有區(qū)別，晶體諧振器就是一個石英晶體片，兩個腿；晶體振蕩器是四個腿，有電源。無錫低功耗晶體振蕩器廠家

恒溫控制式晶體振蕩器是利用恒溫槽使晶體振蕩器或石英晶體振子的溫度保持一定恒定。杭州小型晶體振蕩器貴不貴

石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應制成的一種諧振器件，它的基本構成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片，在它的兩個對應面上涂敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構成了石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。壓電效應：若在石英晶體的兩個電極上加上一電場，晶片就會產(chǎn)生機械變形。反之，若在晶片的兩側施加機械壓力，則在晶片相應的方向上將產(chǎn)生電場，這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應。杭州小型晶體振蕩器貴不貴