晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可達(dá)1000～10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。計(jì)算機(jī)都有個(gè)計(jì)時(shí)電路，盡管一般使用“時(shí)鐘”這個(gè)詞來表示這些設(shè)備，但它們實(shí)際上并不是通常意義的時(shí)鐘，把它們稱為計(jì)時(shí)器可能更恰當(dāng)一點(diǎn)。計(jì)算機(jī)的計(jì)時(shí)器通常是一個(gè)精密加工過的石英晶體，石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩，這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。有兩個(gè)寄存器與每個(gè)石英晶體相關(guān)聯(lián)，一個(gè)計(jì)數(shù)器和一個(gè)保持寄存器。晶振可以提供較穩(wěn)定的脈沖，廣泛應(yīng)用于微芯片的時(shí)鐘電路里。上海低頻晶振價(jià)格

晶體振蕩器原理將電壓施加到所述石英晶體的壓電元件（電場(chǎng)的應(yīng)用到），變形發(fā)生在壓電體。這種現(xiàn)象發(fā)現(xiàn)者，雅克和皮埃爾居里是兄弟。晶體單元的振蕩頻率本身是由晶體單元的特性決定的，因此基本上不能改變。電性能，通常是一個(gè)電容器作為其固有頻率附近特定頻率光頻帶線圈作為電感性電抗充當(dāng)具有。應(yīng)用此原理的電子組件是晶體諧振器。AT是一種常見的晶體振蕩器諧振器是壓電晶體元件具有兩個(gè)（晶體坯）電極由夾的石英振動(dòng)元件在上籠的影片。由于石英振蕩器會(huì)引起自由振動(dòng)，因此波形會(huì)變成正弦波。上海低頻晶振價(jià)格通常工作條件下，普通的晶振頻率精度可達(dá)百萬分之五十。

晶振的指標(biāo)，靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的較大允許頻偏。ft：頻率溫度穩(wěn)定度（不帶隱含基準(zhǔn)度）；ftref：頻率溫度穩(wěn)定度（帶隱含基準(zhǔn)溫）；fmax ：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較高頻率；fmin：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較低頻率；fref：規(guī)定基準(zhǔn)溫度測(cè)得的頻率。說明：采用ftref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用ft指標(biāo)的晶體振蕩器，故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。

晶振的型號(hào)命名 國(guó)產(chǎn)晶振型號(hào)命名一般由三個(gè)部分構(gòu)成，分別為外殼的形狀和材料、石英片的切片型和主要性能及外形尺寸，一部分為外殼的形狀和材料主。J表示金屬殼。第二部分為石英切片型，用字母表示。F表示為FT切割方式。第三部分為主要功能和外形尺寸，用數(shù)字表示。5.000表示諧振頻率為5MHz。因此JF5.000表示采用F切割方式、金屬外殼、諧振頻率為5MHz的諧振晶振。晶振外殼的形狀和材料字母含義對(duì)照表，石英切片型號(hào)的表示方法字母含義對(duì)照表。晶振外殼的形狀和材料字母含義對(duì)照表和石英切片型的表示方法字母含義對(duì)照表。 晶振電路在電腦主板中的應(yīng)用晶振電路在電腦主板上也是比較常見的。

一種是皮爾斯振蕩器配置晶振，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡(jiǎn)單的分立RC振蕩器。基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動(dòng)，成本也比較低，但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會(huì)在標(biāo)稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認(rèn)真對(duì)待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時(shí)，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負(fù)載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對(duì)放大器的選擇并不敏感，但在過驅(qū)動(dòng)時(shí)很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。石英晶體有兩個(gè)諧振頻率，即fs和fp，fp略大于fs。溫州圓柱形直插晶振廠家

負(fù)載電容可看作晶振片在電路中串接電容。上海低頻晶振價(jià)格

從實(shí)際效果上看，對(duì)于給定的負(fù)載電容值，F(xiàn)’r與F’L兩個(gè)頻率是相同的，這個(gè)頻率是晶體的絕大多數(shù)應(yīng)用時(shí)所表現(xiàn)的實(shí)際頻率，也是制造廠商為滿足用戶對(duì)產(chǎn)品符合標(biāo)稱頻率要求的測(cè)試指標(biāo)參數(shù)，也就是本文較開頭介紹的晶振標(biāo)稱頻率，晶振的一個(gè)非常重要的參數(shù)，即負(fù)載電容CL（Load capacitance），它是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容（不是晶振外接的匹配電容），主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻，與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率，通過調(diào)整負(fù)載電容，就可以將振蕩器的工作頻率微調(diào)到標(biāo)稱值。源晶振將所有與無源晶振及相關(guān)的振蕩電路封裝在一個(gè)“盒子”里，不必手動(dòng)精確匹配外面電路，不同的輸出頻率應(yīng)用時(shí)，只需要采購一個(gè)相應(yīng)頻率的“盒子”即可，不再使用繁雜的公式計(jì)算來計(jì)算去，可以節(jié)省很多腦細(xì)胞做其它更多意義的工作。上海低頻晶振價(jià)格

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