晶體振蕩器電路通常根據(jù)逆壓電效應(yīng)原理工作。施加的電場(chǎng)將在某些材料上產(chǎn)生機(jī)械變形。因此，它利用了由壓電材料制成的振動(dòng)晶體的機(jī)械共振來產(chǎn)生特定頻率的電信號(hào)。通常，石英晶體振蕩器是高度穩(wěn)定的，由良好的品質(zhì)因數(shù)（Q）組成，它們的尺寸小且與經(jīng)濟(jì)相關(guān)。因此，與其他諧振器（例如LC電路，轉(zhuǎn)叉）相比，石英晶體振蕩器電路更為優(yōu)越。通常，在微處理器和微控制器中，我們使用8MHz晶體振蕩器。等效電路還描述了晶體的晶體作用。只看上面顯示的等效電路圖。電路中使用的基本組件，電感L表示晶體質(zhì)量，電容C2表示順應(yīng)性，C1表示由于晶體的機(jī)械成型而形成的電容，電阻R表示晶體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)摩擦，石英晶體振蕩器電路該圖包括兩個(gè)諧振，例如串聯(lián)和并聯(lián)諧振，即兩個(gè)諧振頻率。選擇晶體振蕩器的要求：應(yīng)用晶體振蕩器要看清外殼的型號(hào)標(biāo)記，型號(hào)表明了晶體振蕩器的多項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)。擴(kuò)頻晶體振蕩器廠家推薦

石英晶體振蕩器技術(shù)指標(biāo)：1、頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的較小峰值改變量。說明：基準(zhǔn)電壓為+2.5V，規(guī)定終點(diǎn)電壓為+0.5V和+4.5V，壓控晶體振蕩器在+0.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為-110ppm，在+4.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為+130ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm（2.5V±2V）。2、壓控頻率響應(yīng)范圍：當(dāng)調(diào)制頻率變化時(shí)，峰值頻偏與調(diào)制頻率之間的關(guān)系。通常用規(guī)定的調(diào)制頻率比規(guī)定的調(diào)制基準(zhǔn)頻率低若干dB表示。說明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應(yīng)為0～10kHz。無錫并聯(lián)型晶體振蕩器銷售廠家恒溫晶體振蕩器(以下簡(jiǎn)稱OCXO)：這類型晶振對(duì)溫度穩(wěn)定性的解決方案采用了恒溫槽技術(shù)。

恒溫晶體振蕩器的發(fā)展趨勢(shì)：1、高精度和高穩(wěn)定度，無補(bǔ)償式晶體振蕩器總精度也能達(dá)到±25ppm，VCXO的頻率穩(wěn)定度在10～7℃范圍內(nèi)一般可達(dá)±20～100ppm，而OCXO在同一溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度一般為±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。2、低噪聲，高頻化，在GPS通信系統(tǒng)中是不允許頻率顫抖的，相位噪聲是表征振蕩器頻率顫抖的一個(gè)重要參數(shù)。OCXO主流產(chǎn)品的相位噪聲性能有很大改善。除VCXO外，其它類型的晶體振蕩器較高輸出頻率不超過200MHz。例如用于GSM等移動(dòng)電話的UCV4系列壓控振蕩器，其頻率為650～1700MHz，電源電壓2.2～3.3V，工作電流8～10mA。

石英晶體振蕩器技術(shù)指標(biāo)：頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的較大允許頻偏。fT=±（fmax-fmin)/(fmax+fmin)。fTref=±MAX[|（fmax-fref)/fref|，|(fmin-fref)/fref|]fT：頻率溫度穩(wěn)定度（不帶隱含基準(zhǔn)溫度）。fTref：頻率溫度穩(wěn)定度（帶隱含基準(zhǔn)溫度）。fmax：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較高頻率。fmin：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較低頻率。fref：規(guī)定基準(zhǔn)溫度測(cè)得的頻率。說明：采用fTref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用fT指標(biāo)的晶體振蕩器，故fTref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。石英晶體振蕩器：精密計(jì)量等領(lǐng)域的高精度高穩(wěn)定度石英晶體振蕩器。

恒溫晶體振蕩器的參數(shù)：1、頻率準(zhǔn)確度：按規(guī)定條件要求，在基準(zhǔn)溫度下測(cè)試，晶體振蕩器的頻率相對(duì)于其規(guī)定標(biāo)稱值的較大允許偏差，即（f-f0）/f0；2、頻率－溫度穩(wěn)定度：按規(guī)定條件要求，在規(guī)定溫度范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率的較大變化量相對(duì)于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值，即±（fmax-fmin）/（fmax+fmin）；3、頻率老化：晶體振蕩器輸出頻率隨時(shí)間的變化，通常用某一時(shí)間間隔的頻率來量度。如0至30天的總變化或1年內(nèi)的預(yù)定總頻率變化等；4、工作溫度范圍：振蕩器能正常工作。其頻率及其他性能均不超過規(guī)定的允許偏差的溫度范圍；5、穩(wěn)定時(shí)間：振蕩器從初始加電到穩(wěn)定工作在規(guī)定極限值所需要的時(shí)間；6、相位噪聲：是指信號(hào)功率和噪聲功率的比率（C/N），是表征頻率顫抖的技術(shù)指標(biāo)。在對(duì)預(yù)期信號(hào)既定補(bǔ)償處，以1Hz帶寬為單位來測(cè)量相位噪聲；晶體振蕩器：它能夠產(chǎn)生中心處理器（CPU）執(zhí)行指令所必須的時(shí)鐘頻率信號(hào)。無錫并聯(lián)型晶體振蕩器銷售廠家

石英晶體振蕩器：工作頻率范圍在1MHz至150MHz之間，頻率穩(wěn)定度為±25ppm。擴(kuò)頻晶體振蕩器廠家推薦

石英晶體振蕩器的應(yīng)用：石英鐘走時(shí)準(zhǔn)、耗電省、經(jīng)久耐用為其較大優(yōu)點(diǎn)。不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體振蕩器為中心電路，其頻率精度決定了電子鐘表的走時(shí)精度。石英晶體振蕩器原理的示意如圖3所示，其中V1和V2構(gòu)成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調(diào)電容C2構(gòu)成振蕩系統(tǒng)，這里石英晶體相當(dāng)于電感。振蕩系統(tǒng)的元件參數(shù)確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻，R2為振蕩的穩(wěn)定電阻，它們都集成在電路內(nèi)部。故無法通過改變C1或C2的數(shù)值來調(diào)整走時(shí)精度。但此時(shí)我們?nèi)钥捎眉咏右恢浑娙軨有方法，來改變振蕩系統(tǒng)參數(shù)，以調(diào)整走時(shí)精度。根據(jù)電子鐘表走時(shí)的快慢，調(diào)整電容有兩種接法：若走時(shí)偏快，則可在石英晶體兩端并接電容C，。此時(shí)系統(tǒng)總電容加大，振蕩頻率變低，走時(shí)減慢。若走時(shí)偏慢，則可在晶體支路中串接電容C。此時(shí)系統(tǒng)的總電容減小，振蕩頻率變高，走時(shí)增快。只要經(jīng)過耐心的反復(fù)試驗(yàn)，就可以調(diào)整走時(shí)精度。因此，晶振可用于時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器。擴(kuò)頻晶體振蕩器廠家推薦

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