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溫州2016石英晶體品牌

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-09-25

晶體未來發(fā)展趨勢:低噪聲,高頻化,在GPS通信系統(tǒng)中是不允許頻率顫抖的,相位噪聲是表征振蕩器頻率顫抖的一個(gè)重要參數(shù)。OCXO主流產(chǎn)品的相位噪聲性能有很大改善。除VCXO外,其它類型的晶體振蕩器比較高輸出頻率不超過200MHz。例如用于GSM等移動電話的UCV4系列壓控振蕩器,其頻率為650~1700MHz,電源電壓2.2~3.3V,工作電流8~10mA。低功耗,快速啟動,低電壓工作,低電平驅(qū)動和低電流消耗已成為一個(gè)趨勢。電源電壓一般為3.3V。許多TCXO和VCXO產(chǎn)品,電流損耗不超過2mA。石英晶體振蕩器的快速啟動技術(shù)也取得突破性進(jìn)展。晶體需要用DSP片內(nèi)的振蕩器。溫州2016石英晶體品牌

石英晶體等效電路:石英晶體諧振器的符號和等效電路如圖Z0813(a)、(b)所示。當(dāng)晶體不振動時(shí),它相當(dāng)于一個(gè)平行板電容C0,稱為靜態(tài)電容,其值光與晶片的尺寸有關(guān),一般約為幾pF到幾十pF。當(dāng)晶片振動時(shí),其等效電路應(yīng)包含等效電感Lg、等效電容Cg和晶片振動時(shí)摩擦損耗的等效電阻Rg,它們的值分別為Lg ≈1O-3~102H、Cg ≈10-4~10-1pF、Rg~102Ω。由于晶片的Lg 很大,Cg、Rg,都很小,故Q=ωLg /Rg 值極高,可達(dá)104~106,比一般LC回路Q值超出2~4個(gè)數(shù)量級。此外,由于它本身的固有振動頻率很穩(wěn)定,所以用它做成的振蕩器,可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。溫州2016石英晶體銷售壓電免疫傳感器的基本原理就是將抗體或抗原固定于石英晶體表面。

石英晶體應(yīng)用過程中應(yīng)注意的問題:1、防止對晶體破壞:石英晶體的心臟部件為石英晶片,它隨晶體頻率的增加而變薄,因此對于中、高頻晶體在使用、運(yùn)輸過程中應(yīng)避免發(fā)生劇烈沖擊和碰撞。以防因晶片破裂而造成產(chǎn)品失效。石英晶體是靠導(dǎo)電膠連接基座和晶片的。導(dǎo)電膠的主要成分是銀粉和環(huán)氧樹脂。環(huán)氧樹脂在高溫下會失效。因此建議石英晶體應(yīng)避免在150℃以上長時(shí)間存放。2、規(guī)定工作溫度范圍以及頻率允許偏差:工程師可能只規(guī)定室溫下的頻差。對于在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)要求給定頻差的應(yīng)用,還應(yīng)該規(guī)定整個(gè)工作溫度范圍的頻差,規(guī)定這種頻差時(shí),應(yīng)該考慮設(shè)備引起溫升的容限。

石英晶振蕩器體是一種各向異性晶體。 它由以特定方位角切割的薄片制成,然后在晶片的相應(yīng)表面上涂有銀。 安裝一對金屬塊作為極板,構(gòu)成石英晶體振蕩器。 石英晶體可用作振蕩電路的原因在于其壓電效應(yīng)。 當(dāng)在晶片外部的兩個(gè)板之間添加電場時(shí),晶體將產(chǎn)生機(jī)械變形; 相反,當(dāng)在板之間施加機(jī)械力時(shí),將在晶體中產(chǎn)生電場。 這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。由IC構(gòu)成的振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。 其產(chǎn)品通常包裝在金屬外殼中,也可以包裝在玻璃外殼,陶瓷或塑料中。石英晶體諧振器:標(biāo)稱頻率:晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上。

石英晶體的壓電效應(yīng):當(dāng)石英晶體在某個(gè)方向受到機(jī)械應(yīng)力的作用而變形時(shí),其內(nèi)部就會產(chǎn)生極化現(xiàn)象,同時(shí)在其表面會產(chǎn)生極性相反的電荷;當(dāng)外力消失時(shí),又恢復(fù)到不帶電狀態(tài),當(dāng)外力方向改變時(shí),電荷極性也隨之改變,這種現(xiàn)象稱之為壓電效應(yīng)。反之,當(dāng)石英晶體受到交變電場作用時(shí),晶體將在一定方向上產(chǎn)生機(jī)械變形(機(jī)械振動);當(dāng)外加電場撤去后,該變形也隨之消失。這種現(xiàn)象稱為逆壓電效應(yīng),也稱作電致伸縮效應(yīng)。具有壓電效應(yīng)的晶體稱之為壓電晶體,典型的壓電晶體就是石英晶體,壓電效應(yīng)就是在石英晶體中被發(fā)現(xiàn)的。石英晶體諧振器:工作頻率:晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。溫州2016石英晶體銷售

無源晶體本身不能產(chǎn)生振蕩信號,需要加外部振蕩電路。溫州2016石英晶體品牌

晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率,負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標(biāo)稱頻率不同,標(biāo)稱頻率大都標(biāo)明在晶振外殼上。如常用普通晶振標(biāo)稱頻率有:48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz~40.50 MHz等,對于特殊要求的晶振頻率可達(dá)到1000 MHz以上,也有的沒有標(biāo)稱頻率,如CRB、ZTB、Ja等系列。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振,負(fù)載電容不一定相同。溫州2016石英晶體品牌

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