石英晶體振蕩器,石英晶體振蕩器是什么意思：頻率范圍很寬，頻率穩(wěn)定度在10-4～10-12范圍內(nèi)，經(jīng)校準一年內(nèi)可保持10-9的準確度，高質(zhì)量的石英晶體振蕩器，在經(jīng)常校準時，頻率準確可達10-11.高效能模擬與混合信號IC廠商Silicon Laboratories(芯科實驗室有限公司)日前推出業(yè)界一款支持輸出頻率可編程的振蕩器(XO)和壓控振蕩器(VCXO)。Si570/1系列采用公司的DSPLL技術(shù)和業(yè)界標準的I2C接口，通過對I2C接口的操作，一顆器件就能產(chǎn)生10MHz到1.4GHz的任何輸出頻率，同時將均方根抖動幅度減少到0.3ps左右。Si570任意頻率XO和Si571任意頻率VCXO比較適合需要彈性頻率源的高效能應(yīng)用，包括下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、無線基站，測試與測量裝置、高畫質(zhì)電視視頻基礎(chǔ)設(shè)施和高速數(shù)據(jù)采集裝置。石英諧振器簡稱為晶振，它是利用具有壓電效應(yīng)的石英晶體片制成的。1210石英晶體售價

在石英晶體的中間測試中，需要測量串聯(lián)諧振頻率、串聯(lián)諧振電阻、負載諧振頻率、負載諧振電阻、靜電容、動電容、頻率牽引靈敏度和DLD等參數(shù)。其中，靜電容C0主要由石英晶體兩端所鍍銀膜決定，表征了石英晶體的靜態(tài)特性，與石英晶體的串聯(lián)諧振頻率和負載諧振頻率等應(yīng)用指標密切相關(guān)。目前，IEC（國際電工委員會）所推薦的石英晶體測量的標準方法是π網(wǎng)絡(luò)零相位法。在該方法中，未規(guī)定測量靜電容的標準方法。若采用諧振法、交流電橋法等常用方法來測量靜電容，會增加整個測量系統(tǒng)的復(fù)雜性，并且對諧振頻率的測量產(chǎn)生不利影響。本課題提出了一種基于π網(wǎng)絡(luò)零相位法的測量石英晶體靜電容的新方法，并據(jù)此設(shè)計制作了實驗測量系統(tǒng)。嘉興充能石英晶體公司石英晶體薄片受到外加交變電場的作用時會產(chǎn)生機械振動。

石英晶體振蕩器分非溫度補償式晶體振蕩器、溫度補償晶體振蕩器(TCXO)、電壓控制晶體振蕩器(VCXO)、恒溫控制式晶體振蕩器(OCXO)和數(shù)字化/μp補償式晶體振蕩器(DCXO/MCXO)等幾種類型。其中，無溫度補償式晶體振蕩器是比較簡單的一種，在日本工業(yè)標準(JIS)中 ，稱其為標準封裝晶體振蕩器(SPXO)。晶振全稱是叫晶體震蕩器，每個單片機系統(tǒng)里都有晶振，在單片機系統(tǒng)里晶振的作用非常大，晶振給單片機提供了一個時鐘頻率，沒有晶振，單片機就不能工作，晶振的提供的時鐘頻率越高，單片機的運行速度也就越快。

無源晶體——無源晶體需要用DSP片內(nèi)的振蕩器，在datasheet上有建議的連接 方法。無源晶體沒有電壓的問題，信號電平是可變的，也就是說是根據(jù)起振電路來決定的，同樣的晶體可以適用于多種電壓，可用于多種不同時鐘信號電壓要求的 DSP，而且價格通常也較低，因此對于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體，這尤其適合于產(chǎn)品線豐富批量大的生產(chǎn)者。無源晶體相對于晶振而言其缺陷是信號質(zhì)量較差，通常需要精確匹配外面電路（用于信號匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。建議采用精度較高的石英晶 體，盡可能不要采用精度低的陶瓷警惕。晶振工作原理：石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件。

晶振工作原理：石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件，它的基本構(gòu)成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片，在它的兩個對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。若在石英晶體的兩個電極上加一電場，晶片就會產(chǎn)生機械變形。反之，若在晶片的兩側(cè)施加機械壓力，則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場，這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會產(chǎn)生機械振動，同時晶片的機械振動又會產(chǎn)生交變電場。壓電傳感器測定DNA的基本原理是將單鏈DNA探針固定到晶體表面。嘉興充能石英晶體公司

溫度計測溫電路由振蕩電路、差頻電路、頻率計和微處理器組成。1210石英晶體售價

石英晶體諧振器：1.負載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為：電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。2.動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。3.負載諧振電阻：在負載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示?！L＝R1（1+C0/CL）2 11、 激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等。1210石英晶體售價

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