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長(zhǎng)寧區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-01

根據(jù)圖2中,RC充放電電路的輸出經(jīng)過(guò)增益電路后可得電流參考為:式中k為增益,VC為RC充放電電路的輸入電壓,τ為RC的時(shí)間系數(shù),θ為可控硅的導(dǎo)通角。則在**小導(dǎo)通角對(duì)應(yīng)的輸出為零,即電路輸出的**大值對(duì)應(yīng)電流參考的**大值:從式(1)和式(2)可得輸出電流表達(dá)式如式(3)所示。在斬波角為θ時(shí),電路對(duì)應(yīng)的輸入功率為:式中Vp為輸入電壓峰值,Rin為等效輸入阻抗。假設(shè)電路的變換效率為η,且電路的輸出功率為PO=IO·UO,則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示。從式(5)可得電路的功率因數(shù)如式(6)所示。根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求,還有推挽驅(qū)動(dòng)、隔離驅(qū)動(dòng)、加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)等多種設(shè)計(jì)方案。長(zhǎng)寧區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

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IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,在實(shí)際使用中除IGBT自身外,IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。徐匯區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路圖片MOSFET驅(qū)動(dòng):MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源,其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。

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實(shí)現(xiàn)電氣隔離:在需要電氣隔離的應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)光耦、變壓器等隔離器件,將輸入信號(hào)與輸出信號(hào)隔離開來(lái),提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。三、驅(qū)動(dòng)電路的分類按功率器件的接地類型分類:直接接地驅(qū)動(dòng):功率器件的接地端電位恒定,常用的有推挽驅(qū)動(dòng)以及圖騰柱驅(qū)動(dòng)等。浮動(dòng)接地驅(qū)動(dòng):功率器件接地端電位會(huì)隨電路狀態(tài)變化而浮動(dòng),典型的為自舉驅(qū)動(dòng)電路。按電路結(jié)構(gòu)分類:隔離型驅(qū)動(dòng)電路:包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅(qū)動(dòng)電路。

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖,其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容(Miller Capacitor)。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來(lái)表示,它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響,但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值,在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù),因?yàn)樗峭ㄟ^(guò)電橋測(cè)得的,在測(cè)量電路中,加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),在這種測(cè)量條件下,所測(cè)得的結(jié)電容要比VCE=600V 時(shí)要大一些(如圖2)。這些開關(guān)器件的開通和關(guān)斷狀態(tài)決定了主電路中的電流流向和大小,從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)電子設(shè)備的精確控制。

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由于門極的測(cè)量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,在實(shí)際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)(Miller 效應(yīng))在測(cè)量中也沒有被包括在內(nèi),在實(shí)際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 值大很多。因此,在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō),**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時(shí)的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù),那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出:門極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]技術(shù)意義:在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域,驅(qū)動(dòng)程序(Driver)是指一種軟件,它使操作系統(tǒng)能夠與硬件設(shè)備進(jìn)行通信。徐匯區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路圖片

保護(hù)措施:設(shè)計(jì)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱等保護(hù)電路,以確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。長(zhǎng)寧區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

多數(shù)顯卡、聲卡、網(wǎng)卡等內(nèi)置擴(kuò)展卡和打印機(jī)、掃描儀、外置Modem等外設(shè)都需要安裝與設(shè)備型號(hào)相符的驅(qū)動(dòng)程序,否則無(wú)法發(fā)揮其部分或全部功能。驅(qū)動(dòng)程序一般可通過(guò)三種途徑得到,一是購(gòu)買的硬件附帶有驅(qū)動(dòng)程序;二是Windows系統(tǒng)自帶有大量驅(qū)動(dòng)程序;三是從Internet下載驅(qū)動(dòng)程序。***一種途徑往往能夠得到***的驅(qū)動(dòng)程序。供Windows 9x使用的驅(qū)動(dòng)程序包通常由一些.vxd(或.386)、.drv、.sys、.dll或.exe等文件組成,在安裝過(guò)程中,大部分文件都會(huì)被拷貝到“Windows\ System”目錄下。長(zhǎng)寧區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

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