IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如，常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負(fù)電壓-9V，則U=24V，假設(shè) F=10KHz，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如，常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負(fù)電壓-9V，則U=24V，假設(shè) F=10KHz，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：高邊驅(qū)動(dòng)：則用于將功率開關(guān)器件連接在電源正極一側(cè)。嘉定區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

實(shí)驗(yàn)及結(jié)果根據(jù)以上分析，本文設(shè)計(jì)一臺(tái)基于反激變換器的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器，控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V，最大輸出功率為25W，比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負(fù)載;RC時(shí)間系數(shù)選擇0.5，增益為0.2。電路的實(shí)驗(yàn)波形和工作特性曲線如圖4所示。圖4a)、b)、c)為可控硅導(dǎo)通角為115°時(shí)阻抗匹配開關(guān)驅(qū)動(dòng)電壓VZ、輸入電流Iin、輸入電壓Vin的波形，電路的輸出電流為470mA，功率因數(shù)為0.78。從圖中可看出，當(dāng)可控硅導(dǎo)通瞬間，由于驅(qū)動(dòng)器輸入端有差模濾波電容導(dǎo)致輸入電流有沖擊電流尖峰，而當(dāng)輸入電流小于一定值時(shí)，阻抗匹配開關(guān)開通以保證流過可控硅的電流大于其維持電流。金山區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)這種放大作用確保了信號(hào)具有足夠的能量去控制其他電子器件，如電機(jī)、LED顯示屏、傳感器等。

MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。針對(duì)兩個(gè)與電源無關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部被電平移位至自舉電源，此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下運(yùn)行?！穹植际诫娫醇軜?gòu)●汽車電源●高密度●電信系統(tǒng)●欠壓閉鎖功能●自適應(yīng)貫通保護(hù)功能●自舉電源電壓至 114V●1.4A 峰值頂端柵極上拉電流●1.75A 峰值底端柵極上拉電流●耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝

門極驅(qū)動(dòng)功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動(dòng)器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動(dòng)器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時(shí)的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實(shí)際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時(shí)候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -驅(qū)動(dòng)電路在現(xiàn)代電子技術(shù)中發(fā)揮著重要的作用，是實(shí)現(xiàn)各種功能和提升電子器件性能和效率的關(guān)鍵。

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測(cè)試方法測(cè)量出開通能量E，然后再計(jì)算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準(zhǔn)確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡(jiǎn)單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）直接接地驅(qū)動(dòng)：功率器件的接地端電位恒定，常用的有推挽驅(qū)動(dòng)以及圖騰柱驅(qū)動(dòng)等。長(zhǎng)寧區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

繼電器驅(qū)動(dòng)電路：通過控制繼電器的開關(guān)來驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載，適用于需要隔離控制信號(hào)和負(fù)載的場(chǎng)合。嘉定區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩，因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減。2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。嘉定區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

祥盛芯城（上海）半導(dǎo)體有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在上海市等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同祥盛芯城供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！