TG242432-013LBT022QCME101BT022QVME102BT022QVME602BT022QCME103BT022QCME104BTL221722-276LBTG221722-003L-1BT022QCMQ101BT022QVMG003BT021LCME101BT020QVME101BT018QQME101BTL181216-296LBV015Z1E-NB0BV015Z2E-NB0BT015SQMM001240RGB204深圳市精通科技有限公司ShenzhenProficienttechnologylimited聯(lián)系電話：Contactphone:公司網(wǎng)址：Website:公司郵箱：jtkjlcm@Email:jtkjlcm@工廠地址：中國廣東省河源市龍川縣龍母鎮(zhèn)168號Factoryaddress:longmuzhen168th,LongchuaninHeyuancity,GuangdongProvince,China聯(lián)系人;胡雄兵Contactperson:HuXiongbing聯(lián)系手機：Contactphone:5039聯(lián)系QQ:ContactQQ:聯(lián)系郵箱：@Contactemail:@公司地址：中國廣東省深圳市龍崗區(qū)愛聯(lián)陂頭背村5巷5號Address:,LonggangDistrict,ShenzhenCity,GuangdongProvince,ChinalovethePo5thbeiCun5numbersCSTNTFTOLEDLCDLCM顯示屏模組制造商CSTNTFTOLEDLCDmoduleLCMdisplaymanufacturer我公司專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)銷售維修中小尺寸FT液晶顯示屏模組產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于手機、汽車、工業(yè)、醫(yī)療、消費類產(chǎn)品等領(lǐng)域。BOE蝕刻液的主要成分。湖南工業(yè)級BOE蝕刻液供應(yīng)商

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    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù)：氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節(jié)點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液。

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