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銅陵鋁鉬鋁蝕刻液剝離液推薦貨源

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-02

    所述過(guò)濾器包括多個(gè)并列排布的子過(guò)濾器,所述道包括多個(gè)子管道,每一所述子管道與一子過(guò)濾器連通,且所述多個(gè)子管道與當(dāng)前級(jí)腔室對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱連通。在一些實(shí)施例中,所述第二管道包括公共子管道及多個(gè)第二子管道,每一所述第二子管道與一子過(guò)濾器連通,每一所述第二子管道與所述公共子管道連通,所述公共子管道與所述下一級(jí)腔室連通。在一些實(shí)施例中,所述閥門(mén)開(kāi)關(guān)設(shè)置在每一所述子管道上。在一些實(shí)施例中,所述閥門(mén)開(kāi)關(guān)設(shè)置在每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中,所述閥門(mén)開(kāi)關(guān)設(shè)置在每一所述子管道及每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中,所述第二管道包括多個(gè)第三子管道,每一所述第三子管道與一子過(guò)濾器連通,且每一所述第三子管道與所述下一級(jí)腔室連通。在一些實(shí)施例中,所述閥門(mén)開(kāi)關(guān)設(shè)置在每一所述第三子管道上。本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法,包括:將多級(jí)腔室順序排列,按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液;將來(lái)自于當(dāng)前級(jí)腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲(chǔ)于當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的存儲(chǔ)箱中,所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑;使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的過(guò)濾器過(guò)濾來(lái)自當(dāng)前級(jí)腔室的剝離液并將過(guò)濾后的剝離液傳輸至下一級(jí)腔室。剝離液的成分分類有哪幾種;銅陵鋁鉬鋁蝕刻液剝離液推薦貨源

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    所述功能切換口外部并聯(lián)有高純水輸入管線和沉淀劑輸入管線,所述二級(jí)過(guò)濾罐的底部設(shè)有廢液出口,所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過(guò)濾筒。上述的光刻膠廢剝離液回收裝置,所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐的結(jié)構(gòu)相同,均由外殼、懸設(shè)于外殼內(nèi)的過(guò)濾筒、扣裝于過(guò)濾筒頂部的壓蓋組成,所述壓蓋中心設(shè)有對(duì)應(yīng)進(jìn)料管路的通孔,所述過(guò)濾筒由均勻布設(shè)多孔的支撐筒體、設(shè)于支撐筒體內(nèi)表面的金屬濾網(wǎng)、設(shè)于金屬濾網(wǎng)表面的纖維濾布組成,所述支撐筒體的上沿伸出外殼頂部并利用水平翻邊支撐于外殼上表面,所述金屬濾網(wǎng)的上沿設(shè)有與支撐筒體的水平翻邊扣合的定位翻邊,所述支撐筒體的底面為向筒體內(nèi)側(cè)凹陷的錐面。上述的光刻膠廢剝離液回收裝置,所述攪拌釜設(shè)有ph計(jì),用于檢測(cè)溶液ph值。本實(shí)用新型的有益效果是:使用時(shí),先將高純水與光刻膠廢剝離液在攪拌釜內(nèi)攪拌均勻,形成固液混合物,打開(kāi)一級(jí)過(guò)濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥,固液混合物進(jìn)入一級(jí)過(guò)濾罐的過(guò)濾筒中,先由一級(jí)過(guò)濾罐的過(guò)濾筒過(guò)濾得到一級(jí)線性酚醛樹(shù)脂,濾液由提升泵送往攪拌釜的循環(huán)料口,往復(fù)設(shè)定次數(shù)后,一級(jí)線性酚醛樹(shù)脂回收完成,關(guān)閉一級(jí)過(guò)濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥。東莞半導(dǎo)體剝離液訂做價(jià)格剝離液可用于去除光刻膠;

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    但現(xiàn)有的回收裝置普遍存在如下問(wèn)題:剝離廢液利用水洗裝置水洗過(guò)濾出光刻膠樹(shù)脂成分,回收率低。為了解決這一問(wèn)題,現(xiàn)有技術(shù)通常再向剝離廢液中加入沉淀劑繼續(xù)反應(yīng),而后沉淀過(guò)濾出光刻膠樹(shù)脂成分,但所得到的光刻膠樹(shù)脂成分品質(zhì)不宜再用于光刻膠原料,只能用于其他要求較低的樹(shù)脂需求場(chǎng)所。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本實(shí)用新型的目的是為了提供一種結(jié)構(gòu)設(shè)置更為合理、使用方便可靠的光刻膠廢剝離液回收裝置,從根本上解決現(xiàn)有回收裝置回收率低的問(wèn)題,同時(shí)分級(jí)回收輸出線性酚醛樹(shù)脂成分,分級(jí)儲(chǔ)存,以用于不同場(chǎng)合,物盡其用。為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種光刻膠廢剝離液回收裝置,包括攪拌釜和與攪拌釜連通的過(guò)濾罐,攪拌釜頂部設(shè)有廢剝離液投料口,其技術(shù)要點(diǎn)是:所述過(guò)濾罐的數(shù)量為兩個(gè),由一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐組成,所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐在垂直方向上位于攪拌釜下方,一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐的進(jìn)料管路分別與攪拌釜底部連通,且進(jìn)料管路上分別設(shè)有電磁閥,所述一級(jí)過(guò)濾罐的底部出液口連接有提升泵,所述提升泵的出料管路末端與攪拌釜頂部的循環(huán)料口連通,所述攪拌釜頂部另設(shè)有功能切換口。

能夠除去抗蝕劑。用本發(fā)明剝離液處理施加有抗蝕劑的基材的條件沒(méi)有特別限定,例如,可以舉出在設(shè)為10~80℃的本發(fā)明剝離液中浸漬基材1~60分鐘左右的條件、將設(shè)為10~80℃的本發(fā)明剝離液向基材噴霧1~60分鐘左右的條件。需要說(shuō)明的是,浸漬時(shí),可以搖動(dòng)基材,或?qū)Ρ景l(fā)明剝離液施加超聲波??刮g劑的種類沒(méi)有特別限定,可以是例如干膜抗蝕劑、液體抗蝕劑等中的任一種。干膜抗蝕劑的種類也沒(méi)有特別限定,例如推薦堿可溶型的干膜抗蝕劑。作為這樣的堿可溶型的干膜抗蝕劑,例如,可以舉出rd-1225(sap用25μm厚)(日立化成株式會(huì)社制)等。施加抗蝕劑的基材沒(méi)有特別限定,例如,可以舉出印刷布線板、半導(dǎo)體基板、平板顯示器、引線框中使用的各種金屬、合金所形成的、薄膜、基板、部件等。按照上述方式本發(fā)明剝離液能夠從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑,因此能夠在包括除去這樣的抗蝕劑的工序的印刷布線板、半導(dǎo)體基板、平板顯示器、引線框等的制造方法中使用。上述制造方法之中推薦包括從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑的工序的印刷布線板的制造方法,特別推薦基于半加成法的印刷布線板的制造方法。本發(fā)明剝離液能夠除去的線/間距(l/s)沒(méi)有特別限定。剝離液有怎么進(jìn)行分類的。

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需要說(shuō)明的是,本發(fā)明剝離液中,推薦*由上述成分構(gòu)成,但只要不阻礙本發(fā)明的效果,可以含有例如聚氧化烯烷基醚系、硅系的消泡劑等其它成分。以上說(shuō)明的本發(fā)明剝離液可以通過(guò)將上述成分溶于水中來(lái)制備。需要說(shuō)明的是,本發(fā)明剝離液的ph若為堿性則沒(méi)有特別限定,但通常**將上述成分溶于水就成為堿性,因此沒(méi)有特別必要調(diào)整ph。另外,本發(fā)明剝離液可以通過(guò)將上述成分分別分開(kāi)預(yù)先溶于水,成為抗蝕劑的剝離液套件,將它們混合來(lái)制備。具體來(lái)說(shuō),可以舉出以包含含有鉀鹽的第1液和含有溶纖劑的第2液為特征的抗蝕劑的剝離液套件、其中還包含含有硅酸鹽的第3液的抗蝕劑的剝離液套件、進(jìn)而在其中使上述其它成分適當(dāng)含有于各液中的抗蝕劑的剝離液套件等。通過(guò)使用本發(fā)明剝離液對(duì)施加有抗蝕劑的基材進(jìn)行處理,抗蝕劑被細(xì)小地粉碎。鋁剝離液的配方是什么?南通什么剝離液聯(lián)系方式

哪家的剝離液價(jià)格比較低?銅陵鋁鉬鋁蝕刻液剝離液推薦貨源

    光刻作為IC制造的關(guān)鍵一環(huán)常常被人重視,但是光刻膠都是作為層被去掉的,如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個(gè)經(jīng)常被疏忽的問(wèn)題,但是很重要,直接影響了產(chǎn)品質(zhì)量。如何快速有效的去除光刻膠。筆者**近就碰到一些去膠的問(wèn)題,比如正膠和負(fù)膠去除需要的工藝有差別。去膠工藝還和光刻膠受過(guò)什么樣的工藝處理有關(guān),比如ICPRIE之后的光刻膠、還有濕法腐蝕后的光刻膠。市面上針對(duì)光刻膠去除的特殊配方的去膠液有很多種,但需要根據(jù)自身產(chǎn)品特性加以選擇。在做砷化鎵去除光阻的案例,砷化鎵是一種化合物半導(dǎo)體材料,分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結(jié)構(gòu),即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構(gòu)而成的復(fù)式晶格,其晶格常數(shù)是。室溫下禁帶寬度,是直接帶隙半導(dǎo)體,熔點(diǎn)1238℃,質(zhì)量密度,電容率。在其中摻入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si,可獲得N型半導(dǎo)體,摻入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半導(dǎo)體,摻入Cr或提高純度可制成電阻率高達(dá)107~108Ω·cm的半絕緣材料。 銅陵鋁鉬鋁蝕刻液剝離液推薦貨源

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