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來源: 發(fā)布時間:2025-06-02

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    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑,來改善磷酸的浸潤性和表面張力,使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù):氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料,氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進(jìn)行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中,一般是采用熱磷酸對氮化硅進(jìn)行蝕刻,一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展,器件的特征尺寸越來越小,集成度越來越高,對制造工藝中的各工藝節(jié)點要求也越來越高,如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進(jìn)行蝕刻時,晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象,體現(xiàn)于在蝕刻前后進(jìn)行相同位置取點的厚度測量時,檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題,通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,所述蝕刻液的組成包括:占蝕刻液總重量≥88%的磷酸、%的醇醚類、%的表面活性劑。進(jìn)一步地,本發(fā)明涉及上述蝕刻液。

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    此處所描述的具體實施例用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。參照圖1,本實用新型實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)包括:電解槽1、射流器2、再生液調(diào)配缸3、液體泵4,其中,電解槽1具有一出液口和出氣口,且電解槽1中內(nèi)置有酸性蝕刻液,電解槽1對該酸性蝕刻液進(jìn)行電解提銅,產(chǎn)生氯氣,得到電解后液,并且,產(chǎn)生的氯氣通過位于上方的出氣口排出,電解后液通過位于下方的出液口排出。射流器2包括混氣室21和擴散管22,混氣室21和擴散管22之間為喉管,混氣室21具有進(jìn)氣口2a、進(jìn)液口2b、出液口2c,擴散管22連接至出液口2c,進(jìn)氣口2a通過導(dǎo)氣管a與電解槽1的出氣口連接以接收氯氣,擴散管22深入到再生液調(diào)配缸3中。再生液調(diào)配缸3具有進(jìn)液口和循環(huán)出液口,進(jìn)液口通過管道b與電解槽1的出液口連接以接收電解后液。液體泵4的一端通過管道b連接再生液調(diào)配缸3的循環(huán)出液口,另一端通過管道b連接射流器2的進(jìn)液口2b,用于將再生液調(diào)配缸3中的電解后液通過管道b抽取至射流器2的進(jìn)液口2b。電解槽1電解提銅后,陽極產(chǎn)生的氯氣通過導(dǎo)氣管a進(jìn)入到射流裝置2的混氣室21內(nèi),電解后液通過液體泵4打入到射流裝置2的混氣室21,在混氣室21形成真空,在喉管處氯氣與電解后液劇烈混合。河南什么是BOE蝕刻液推薦廠家

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