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江西BOE蝕刻液生產(chǎn)

來源: 發(fā)布時間:2025-06-19

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    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑,來改善磷酸的浸潤性和表面張力,使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù):氮化硅是一種具有很高的化學穩(wěn)定性的絕緣材料,氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中,一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻,一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發(fā)展,器件的特征尺寸越來越小,集成度越來越高,對制造工藝中的各工藝節(jié)點要求也越來越高,如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時,晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象,體現(xiàn)于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時,檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題,通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,所述蝕刻液的組成包括:占蝕刻液總重量≥88%的磷酸、%的醇醚類、%的表面活性劑。進一步地,本發(fā)明涉及上述蝕刻液。什么是BOE蝕刻液商家您的選擇是對我的肯定,蘇州博洋化學股份有限公司歡迎您。

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    除去75重量%的油。在45°C下的簡單加熱、或者在環(huán)境溫度(20°C)下的簡單攪拌或超聲應(yīng)用可以除去所有的沉積油。此外,沒有觀察到油的溶解,而是觀察到上升到液體表面的油的脫離(卷起機理(rollingupmechanism)).與快速導致溶劑飽和的溶解機理相比,該卷起機理更為有利。油溶解試驗的總體過程將硅油(得自CromptonCorporation(Greenwich,USA)的CromptonL9000—1000)引入到100ml待評價組合物中,并測定在環(huán)境溫度下立即溶解的硅油的量(其以所溶解的油相對于該混合物的百分數(shù)表示)。實施例5在使用%的九氟丁基乙基醚和%的甲基四氫呋喃的共沸組合物的情況下,溶解超過17重量%的油。實施例6在使用九氟丁基乙基醚的情況下,多溶解2重量%的油并且觀察到反混合(demixing)。權(quán)利要求組合物,其包含甲基四氫呋喃和至少一種式C4F9OR的九氟丁基烷基醚,在式C4F9OR中,R具有1~4個碳原子的線型或支化的飽和烷基鏈。2.權(quán)利要求1的組合物,特征在于,所述組合物包含540重量%的甲基四氫呋喃和6095重量%的式C4F90R的九氟丁基烷基醚。3.權(quán)利要求1或2的組合物,特征在于,所述式C4F90R的九氟丁基烷基醚是九氟丁基甲基醚和九氟丁基乙基醚。4.權(quán)利要求13中任一項的組合物,特征在于。江西BOE蝕刻液生產(chǎn)

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