微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，氣動多位置閘閥，氣動多定位閘閥，多定位插板閥，Pneumatic Multi Position 其特點是1，全開和關(guān)閉位置使用帶有位置發(fā)射器的氣動電磁閥進行控制；2，所有位置控制都由控制器進行操作。1)控制類型-全開：高速閘門全開操作-全閉：高速閘門全閉操作-位置（POS.）控制：將閘門移動到設(shè)定的位置值；2)操作時間-完全打開?完全關(guān)閉：<2秒（取決于速度控制器設(shè)置)-位置（POS。）控制： 0%?100%工作，<MAX18秒（偏差： < ±0.5%）。微泰氣動多位置閘閥，氣動多定位閘閥，多定位插板閥，Pneumatic Multi Position，有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。真空閘閥是真空系統(tǒng)中用于控制氣體進出真空室的機械裝置?；瘜W(xué)氣相沉積閘閥手動閥

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，有氣動多位置閘閥（氣動多定位閘閥、多定位插板閥、Pneumatic Multi Position）、氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥，蝶閥，Butterfly Valve，步進電機插板閥Stepper Motor Gate Valve，加熱插板閥（加熱閘閥Heating gate valve），鋁閘閥（AL Gate Valve），三重防護閘閥，應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。化學(xué)氣相沉積閘閥英菲尼亞半導(dǎo)體這些真空閥可以手動、氣動或電子方式驅(qū)動，從而可以根據(jù)具體應(yīng)用進行多功能控制。

微泰，超高壓閘閥應(yīng)用于? Evaporation? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? 蝕刻? Diffusion?CVD等設(shè)備上。期特點是*陶瓷球機構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應(yīng)用:研發(fā)和工業(yè)中的UHV隔離。高壓閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：CF、連接方式：焊接波紋管（AM350或STS316L）、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：銅墊圈、響應(yīng)時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次維護前可用次數(shù)：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，蝶閥，Butterfly Valve產(chǎn)品范圍：DN40 ~ 50 -壓力控制-使用步進電機- Product Range : DN40 ~ 50- Pressure Controlled- Using Stepper Motor，- Compatible with VAT Butterfly Control Valve, series61.2 - Application Process : PVD, CVD, Etching, Diffusion-使用步進電機和控制器執(zhí)行驅(qū)動。-通過步進電機/控制器精確定位，確保精確的壓力控制。-兼容VAT蝶閥控制器，系列61.2，-應(yīng)用工藝： PVD，CVD，蝕刻，擴散。微泰蝶閥Butterfly Valve有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。閘閥多應(yīng)用于石油、天然氣等輸送管線上，在半導(dǎo)體加工工程設(shè)備上也多用閘閥。

微泰半導(dǎo)體閘閥的特點：已向中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備，設(shè)備廠批量供貨，已得到品質(zhì)認可，已完成對半導(dǎo)體Utility設(shè)備和批量生產(chǎn)設(shè)備的驗證。1，采用陶瓷球機構(gòu)，抗沖擊和震動，保證使用25萬次，檢修方便，較低維護成本。2，無Particle（顆粒）產(chǎn)生，采用陶瓷球無腐蝕和顆粒產(chǎn)。3，屏蔽保護：屏蔽式保護功能，閘閥閥體與擋板之間的距離小于1mm，可防止粉末侵入閥內(nèi)，壽命為半永久性。4，保護環(huán)：Protecrion Ring通過流速上升設(shè)計防止粉末凝固，并通過打磨（研磨）工藝防止粉末堆積。微泰半導(dǎo)體閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上?？商娲鶫VA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰尽ｉl閥不易產(chǎn)生水錘現(xiàn)象。原因是關(guān)閉時間長。全真空可嵌入閘閥HV GATE VALVE

真空閘閥的密封裝置確保關(guān)閉時的高真空完整性，防止泄漏并維持腔室內(nèi)的真空壓力?；瘜W(xué)氣相沉積閘閥手動閥

微泰半導(dǎo)體閘閥與其他類型閘閥相比，具有以下一些優(yōu)勢：1. 高精度控制：能更精確地調(diào)節(jié)流體流量。2. 適應(yīng)半導(dǎo)體環(huán)境：對溫度、真空等條件有更好的適應(yīng)性。3. 低顆粒產(chǎn)生：減少對晶圓等的污染。4. 長壽命和可靠性：確保穩(wěn)定運行，減少維護成本。5. 多功能應(yīng)用：可適用于多種半導(dǎo)體工藝設(shè)備。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。該閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁??；瘜W(xué)氣相沉積閘閥手動閥