肖特基二極管模塊以其極低的正向壓降（0.3-0.5V）和近乎無反向恢復(fù)時間的特性，成為高頻開關(guān)電源的理想選擇。這類模塊通常基于硅或碳化硅材料，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、通信電源和服務(wù)器供電系統(tǒng)。例如，在數(shù)據(jù)中心中，肖特基模塊可明顯降低48V-12V轉(zhuǎn)換級的能量損耗，提升整體能效。然而，肖特基二極管的漏電流較大，耐壓能力相對較低（一般不超過200V），因此在高電壓應(yīng)用中需謹慎選擇?，F(xiàn)代肖特基模塊通過優(yōu)化金屬-半導(dǎo)體接觸工藝和集成溫度保護功能，進一步提升了其可靠性和適用場景。 Infineon模塊內(nèi)置NTC溫度監(jiān)測，實時保護過載，延長光伏逆變器的使用壽命。艾賽斯二極管品牌

英飛凌PrimePACK?系列二極管模塊專為大功率工業(yè)應(yīng)用設(shè)計，如電機驅(qū)動、變頻器和重型機械。該模塊采用創(chuàng)新的彈簧接觸技術(shù)，有效降低接觸電阻（0.2mΩ），支持高達1400A的持續(xù)工作電流。其PressFIT壓接引腳設(shè)計避免了傳統(tǒng)焊接的疲勞問題，大幅提升模塊在振動環(huán)境下的可靠性。此外，PrimePACK?模塊內(nèi)置高精度溫度傳感器（±1℃）和電流檢測端子，可實時監(jiān)控運行狀態(tài)，確保系統(tǒng)安全。實際應(yīng)用案例顯示，在起重機變頻系統(tǒng)中采用該模塊后，整體效率提升至98.5%，維護周期延長至5萬小時以上，明顯降低運營成本。艾賽斯二極管排行榜二極管模塊擊穿時，萬用表測量正向電阻會明顯減小，反向電阻趨近于零。

光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，以便于接受光照。其特點是，當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時，可以成對地產(chǎn)生自由電子和空穴，使半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。
當(dāng)無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當(dāng)制成大面積的光電二極管時，可當(dāng)作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。

工業(yè)電焊機、等離子切割機等設(shè)備頻繁啟停，產(chǎn)生瞬時浪涌電流。二極管模塊（如TVS陣列模塊）可快速鉗位過電壓，保護控制電路。例如，三相整流模塊搭配雪崩二極管模塊，能承受數(shù)千安培的瞬態(tài)電流，響應(yīng)時間達皮秒級。模塊的并聯(lián)設(shè)計均流特性優(yōu)異，避開單點失效。此外，水冷式二極管模塊（如Infineon的PrimePack）通過直接冷卻將功率密度提升50%，滿足大功率焊接設(shè)備的連續(xù)作業(yè)需求，有效延長設(shè)備壽命并降低維護成本。 二極管模塊的正向壓降隨溫度升高而減小，常溫下硅管約 0.7V，100℃時可能降至 0.5V。

SiC肖特基二極管模塊利用寬禁帶材料（Eg=3.26eV）的特性實現(xiàn)超快開關(guān)。其金屬-半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢壘高度（ΦB≈1.2eV）決定了正向壓降（Vf≈1.5V@25℃）。與硅器件相比，SiC模塊的漂移區(qū)電阻降低90%（因臨界擊穿電場達3MV/cm），故1200V模塊的比導(dǎo)通電阻2mΩ·cm2。獨特的JBS（結(jié)勢壘肖特基）結(jié)構(gòu)在PN結(jié)和肖特基結(jié)并聯(lián)，使模塊在高溫下漏電流仍<1μA（175℃時）。羅姆的SiC模塊實測顯示，其反向恢復(fù)電荷（Qrr）為硅FRD的1/5，可使逆變器開關(guān)頻率提升至100kHz以上。 與分立二極管相比，模塊方案可減少 50% 以上的焊接點，降低虛焊風(fēng)險。新疆三社二極管

SEMIKRON整流二極管模塊具有出色的抗浪涌能力，適用于工業(yè)變頻器和高壓直流輸電系統(tǒng)。艾賽斯二極管品牌

電動汽車的OBC（車載充電機）和DC-DC轉(zhuǎn)換器依賴高壓二極管模塊實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。例如，碳化硅（SiC）肖特基二極管模塊可承受1200V以上電壓，開關(guān)損耗比硅器件降低70%，明顯提升充電速度并減少散熱需求。在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，隔離二極管模塊防止不同電池組間的異常電流倒灌，確保高壓安全。模塊的環(huán)氧樹脂密封和銅基板設(shè)計滿足車規(guī)級抗震、防潮要求（如AEC-Q101認證），適應(yīng)嚴苛的汽車電子環(huán)境。未來，隨著800V高壓平臺普及，SiC和GaN二極管模塊將成為主流。 艾賽斯二極管品牌