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目前業(yè)內常見的板級ESD保護器件主要有以下三種：一、多層壓敏電阻(MLV)：這類基于氧化鋅的器件可提供ESD保護和低級別的電涌保護。它們的小形狀因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它們非常適合于便攜式應用(如手機和數(shù)碼相機等)。二、聚合物ESD抑制器(P...

穩(wěn)壓管的參數(shù)：電壓溫度系數(shù)：它是用來說明穩(wěn)定電壓值受溫度變化影響的系數(shù)。不同型號的穩(wěn)壓管有不同的穩(wěn)定電壓的溫度系數(shù)，且有正負之分。穩(wěn)壓值低于4v的穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓的溫度系數(shù)為負值；穩(wěn)壓值高于6v的穩(wěn)壓管，其穩(wěn)定電壓的溫度系數(shù)為正值；介于4V和6V之間的，可能為...

穩(wěn)壓管也是一種晶體二極管，它是利用PN結的擊穿區(qū)具有穩(wěn)定電壓的特性來工作的。穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓設備和一些電子電路中獲得普遍的應用。我們把這種類型的二極管稱為穩(wěn)壓管，以區(qū)別用在整流、檢波和其他單向導電場合的二極管。穩(wěn)壓管的選擇：1、取穩(wěn)壓管上的電壓，經一限流電阻（2~...

穩(wěn)壓管和二極管的區(qū)別：第1，二極管一般在正向電壓下工作，穩(wěn)壓管則在反向擊穿狀態(tài)下工作，二者用法不同；第二，普通二極管的反向擊穿電壓一般在40V以上，高的可達幾百伏至上千伏，而且在伏安特性曲線反向擊穿的一段不陡，即反向擊穿電壓的范圍較大，動態(tài)電阻也比較大。對于穩(wěn)...

比較常用的開關型防雷器件是半導體放電管。半導體放電管普遍應用在網絡通訊及消費類電子產品、高速數(shù)據(jù)傳輸設備（T1/E1、XDSL、ISDN、HDSL、CATV、SLIC等）上。在選擇半導體放電管時主要應考慮兩點：VRM截止電壓不小于線路中較大工作電壓；而VS較大...

MOSFET場效應管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關注以下主要參數(shù)：1、IDSS—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。2、UP—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時...

穩(wěn)壓管和二極管的區(qū)別：第1，二極管一般在正向電壓下工作，穩(wěn)壓管則在反向擊穿狀態(tài)下工作，二者用法不同；第二，普通二極管的反向擊穿電壓一般在40V以上，高的可達幾百伏至上千伏，而且在伏安特性曲線反向擊穿的一段不陡，即反向擊穿電壓的范圍較大，動態(tài)電阻也比較大。對于穩(wěn)...

目前業(yè)內常見的板級ESD保護器件主要有以下三種：一、多層壓敏電阻(MLV)：這類基于氧化鋅的器件可提供ESD保護和低級別的電涌保護。它們的小形狀因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它們非常適合于便攜式應用(如手機和數(shù)碼相機等)。二、聚合物ESD抑制器(P...

ESD保護器件的主要性能參數(shù)：1、較大工作電壓(MaxWorkingVoltage)，允許長期連續(xù)施加在ESD保護器件兩端的電壓(有效值)，在此工作狀態(tài)下ESD器件不導通，保持高阻狀態(tài)，反向漏電流很小。2、擊穿電壓(BreakdownVoltage)，ESD器...

穩(wěn)壓管的工作原理是什么？穩(wěn)壓管的工作原理：穩(wěn)壓管也是一種晶體二極管，它是利用PN結的擊穿區(qū)具有穩(wěn)定電壓的特性來工作的。穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓設備和一些電子電路中獲得普遍的應用。把這種類型的二極管稱為穩(wěn)壓管，以區(qū)別用在整流、檢波和其他單向導電場合的二極管。當把穩(wěn)壓管接入電...

防雷擊浪涌防護中常用到的保護器件有：開關型防雷限壓保護器件（陶瓷氣體放電管GDT、半導體放電管TSS等）、鉗位型防雷限壓器件（壓敏電阻MOV、瞬態(tài)抑制TVS二極管等）、過流保護器件（自恢復保險絲PPTC）、防靜電保護器件（ESD靜電保護二極管）。電路保護元器件...

MOSFET在數(shù)字電路上應用的大優(yōu)勢是對直流信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們較主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而...

防雷元器件中的陶瓷氣體放電管的選用原則：作為瞬變干擾抑制保護器件，氣體放電管選型同樣要保證接入電路可以對浪涌電壓進行箝位，又要保證不能影響電路正常工作過程。綜合來講有幾個點：1）受保護電子設備的正常工作電壓要保證低于氣體放電管的直流擊穿電壓較小值，且有一定余量...

若穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值高于15V，則應將穩(wěn)壓電源調至20V以上。也可用低于1000V的兆歐表為穩(wěn)壓管提供測試電源。其方法是：將兆歐表正端與穩(wěn)壓管的負極相接，兆歐表的負端與穩(wěn)壓管的正極相接后，按規(guī)定勻速搖動兆歐表手柄，同時用萬用表監(jiān)測穩(wěn)壓管兩端電壓值(萬用表的電壓檔應...

雷電的入侵首先表現(xiàn)為過電壓，當存在泄放通道時，產生電流。過電壓有共模過電壓和差模過電壓兩種類型。由于寄生電容的存在，雷電過電壓擊穿空氣或在常壓下絕緣的器件，形成強大的雷電流，造成設備損壞。為了一直雷電的影響，應在雷電能量進入設備前將能量泄放至大地。對于共模過電...

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），靜電保護器件，亦稱瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列（TVS Array），是由多個TVS晶?；蚨O管采用不同的布局設計成具有特定功能的單路或多路ESD保護器件。ESD靜電保護...

當芯片上的晶體管數(shù)量大幅增加后，有一個無法避免的問題也跟著發(fā)生了，那就是芯片的發(fā)熱量也大幅增加。一般的集成電路元件在高溫下操作可能會導致切換速度受到影響，或是導致可靠度與壽命的問題。在一些發(fā)熱量非常高的集成電路芯片如微處理器，需要使用外加的散熱系統(tǒng)來緩和這個問...

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），靜電保護器件，亦稱瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列（TVS Array），是由多個TVS晶?；蚨O管采用不同的布局設計成具有特定功能的單路或多路ESD保護器件。ESD靜電保護...

從名字表面的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里表示“metal”的第1個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術的進步，隨后MO...

防雷過壓器件分為鉗位型過壓器件和開關型過壓器件，開關型過壓器件就是我們熟知的防雷器件：陶瓷氣體放電管、半導體放電管和玻璃放電管；鉗位型過壓器件有瞬態(tài)抑制二極管、壓敏電阻、貼片壓敏電阻和ESD放電二極管；過流器件則以PTC元件自恢復保險絲為主，以下是其具體作用：...

穩(wěn)壓管和二極管的區(qū)別：第1，二極管一般在正向電壓下工作，穩(wěn)壓管則在反向擊穿狀態(tài)下工作，二者用法不同；第二，普通二極管的反向擊穿電壓一般在40V以上，高的可達幾百伏至上千伏，而且在伏安特性曲線反向擊穿的一段不陡，即反向擊穿電壓的范圍較大，動態(tài)電阻也比較大。對于穩(wěn)...

當穩(wěn)壓管反向擊穿后，如果工作電流在IV～IVM范圍內，其端電壓單發(fā)生微小變化，也可以這樣理解，穩(wěn)壓管端電壓的微小變化會引起其電流的明顯變化，利用這個特性將穩(wěn)壓管與限流電阻串聯(lián)，就起到穩(wěn)定輸出電壓的作用。當電源電壓Ui升高時，負載電壓Uo相應地升高，根據(jù)伏安特性...

需要應對ESD保護器件的地方便是在電氣設備可能與人體或物體接觸的所有點處，都需要采用ESD對策。包括USB2.0、USB3.0、輸出終端、LAN，或是用戶連接或斷開連接器的其他點，以及需要觸摸電子產品的操作按鈕的情況，或者設備在生產過程中會接觸到電路板，以及使...

穩(wěn)壓管也是一種晶體二極管，它是利用PN結的擊穿區(qū)具有穩(wěn)定電壓的特性來工作的。穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓設備和一些電子電路中獲得普遍的應用。穩(wěn)壓管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動...

ESD保護器件分類：壓敏電阻：壓敏電阻是一種限壓型ESD保護器件。利用壓敏電阻的非線性特性，當過電壓出現(xiàn)在壓敏電阻的兩極間，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個相對固定的電壓值，從而實現(xiàn)對后級電路的保護。壓敏電阻的主要參數(shù)有：壓敏電壓、通流容量、結電容、響應時間等。壓...

穩(wěn)壓管（zener diode），也稱齊納二極管，與普通二極管不同的是，穩(wěn)壓管工作在反向擊穿狀態(tài)時，它的工作電流在很大范圍內變化而其兩端的電壓基本不變。標稱穩(wěn)定電壓VZ（Nominal Zener Voltage）是穩(wěn)壓管很重要的參數(shù)，也是工程師在選型時首要的...

電子設備通常工作在低壓電網中，低壓電網中過電壓有四類：雷電引起的過電壓、靜電放電、操作過電壓以及工頻過電壓。過電壓通常以共模(過電壓在帶電導體或中性線和大地之間產生)和差模(過電壓在帶電導體之間產生)兩種干擾方式干擾低壓電網，其中雷電過電壓破壞性較大。防雷器件...

防雷相關（元）器件： 接閃器（避雷針）避雷針只能防直擊雷，且只能對建筑物形成保護。它在接閃的時候，還會泄放大量感應雷。而避雷針泄放的感應雷會在瞬間沿著天線、饋線、信號線和電源線等侵入電器內部，給電器帶來的危害。除了雷電（大氣放電產生的雷擊），過電壓的產生的原因...

隨著MOSFET技術的不斷演進，現(xiàn)在的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結構的關系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代傳統(tǒng)...

功率MOSFET的工作原理：截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無電流流過。導電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少...