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5G時代，智能手機將采用2發(fā)射4接收方案，未來有望演進為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機關鍵的器件之一，它直接決定了手機無線通信的距離、信號質量，甚至待機時間，是整個射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動智能移動終端、基站端及IOT設備射頻PA穩(wěn)健增長。功率放大器市場增長相對穩(wěn)健，復合年增長率為7%，將從2017年的50億美元增長到2023年的70億美元。LTE功率放大器市場的增長，尤其是高頻和超高頻，將彌補2G/3G市場的萎縮。15G智能移動終端，射頻PA的大機遇5G推動手機射頻PA量價齊升無論是在基站端還是設備終端，5G給供應商帶來的挑戰(zhàn)都首先體現(xiàn)在射頻方面，因為這是設備“上”網(wǎng)...

寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結構變壓器級聯(lián)lc匹配實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結構優(yōu)點是諧波性能好，可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。在本發(fā)明實施例中，通過增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線...

Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等，可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護電路而增強客戶的設計能力。Microsemi公司所服務的主要市場包括植入式醫(yī)療機構、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動通信等應用領域。Microsemi在發(fā)展過程中收購了多家公司，包括熟知的Actel，Zarlink，Vitesee。Microsemi的WiFiPA產(chǎn)品線型號較多，也多次出現(xiàn)在Atheros早期的參考設計中，近期的參考設計就很少出現(xiàn)了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)...

RFMDWiFiPA產(chǎn)品線型號非常多，幾乎可以滿足所有WiFi產(chǎn)品的射頻需求。P/NMinFreqMaxFreqGainPOUTEVM(%)Vcc(V)TxIcc(mA)RFRFRFRF018120RFRFRFRF018120RFRF02810355RFRFRFRF03018395RFRF0345800RF02851000RF03051450RF018120RFPA0265545RFPA0255670RFPA0335470RFPA5201E875RFPASTA-5063Z352STA-6033(Z)83165SZA-2044(Z)300SZA-3044(Z)45340SZA-5044(Z...

比如橫豎屏切換、相關游戲、磁力計姿態(tài)校準)、振動識別相關功能(比如計步器、敲擊)等；至于終端還可配置的陀螺儀、氣壓計、濕度計、溫度計、紅外線傳感器等其他傳感器，在此不再贅述。音頻電路406、揚聲器，傳聲器可提供用戶與終端之間的音頻接口。音頻電路406可將接收到的音頻數(shù)據(jù)轉換后的電信號，傳輸?shù)綋P聲器，由揚聲器轉換為聲音信號輸出；另一方面，傳聲器將收集的聲音信號轉換為電信號，由音頻電路406接收后轉換為音頻數(shù)據(jù)，再將音頻數(shù)據(jù)輸出處理器408處理后，經(jīng)rf電路401以發(fā)送給比如另一終端，或者將音頻數(shù)據(jù)輸出至存儲器402以便進一步處理。音頻電路406還可能包括耳塞插孔，以提供外設耳機與終端的通信...

70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場效應管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場效應晶體管（VMOSFET）的溝道長度是由外延層的厚度來控制的，因此適合于MOS器件的短溝道化，從而提高器件的高頻性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF頻段，也就是30MHz到3GHz。封裝好的VMOS器件能夠在UHF頻段提供高達1kW的功率，在VHF頻段提供幾百瓦的功率，可由12V,28V或50V電源供電，有些VMOS器件可以100V以上的供電電壓工作。橫向擴散MOS（LDMOS...

LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對3G和LTE基站市場的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應用中，它可實現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應用上，GaN的高功率密度特性在實現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方...

第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3，第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3，給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。與圖2相比較而言，圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過增加第三電感l(wèi)3，可以進一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中，輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實施例...

1.射頻微波功率放大器及其應用放大器是用來以更大的功率、更大的電流，更大的電壓再現(xiàn)信號的部件。在信號處理過程中不可或缺的放大器，既可以做成用在助聽器里的微晶片，也可以做成像多層建筑那么大以便向水下潛艇或外層空間傳輸無線電信號。功率放大器可以被認為是將直流（DC）輸入轉換成射頻和微波能量的電路。不是在電磁兼容領域需要在射頻和微波頻率上產(chǎn)生足夠的功率，在無線通信、雷達和雷達干擾，醫(yī)療功率發(fā)射機和高能成像系統(tǒng)等領域都需要，每種應用領域都有它對頻率、帶寬、負載、功率、效率和成本的獨特要求。射頻和微波功率可以利用不同的技術和不同的器件來產(chǎn)生。本文著重介紹在EMC應用中普遍使用的固態(tài)射頻功率放大器技...

第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3，第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3，給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。與圖2相比較而言，圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過增加第三電感l(wèi)3，可以進一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中，輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實施例...

較小的線圈自感和較大的寄生電容會額外影響變壓器的輸入輸出阻抗，需要增加或調節(jié)輸入輸出的匹配電容來調節(jié)阻抗，進而產(chǎn)生額外的阻抗變換)，這會影響變壓器有效的阻抗變化比和轉換后的阻抗相位，也會降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實施例中，增加輔次級線圈，可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設計，能夠進一步提高射頻功率放大器的寬...

第七電感l(wèi)7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實施中，射頻功率放大器還可以包括驅動電路。驅動電路的輸入端可以接收輸入信號，驅動電路的輸出端可以輸出差分信號input_p，驅動電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號input_n。驅動電路可以起到將輸入信號進行差分的操作，并對輸入信號進行驅動，提高輸入信號的驅動能力。參照圖7，給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。在圖7中，增加了驅動電路?？梢岳斫獾氖牵趫D1～圖6中，也可以通過驅動電路來對輸入信號進行差分處理，得到差分信號input_p以及第二差分信號input_n。在具體實施中，匹配濾波電路還可以包括功率合成變壓器對應的...

Avago開發(fā)出豐富的產(chǎn)品和受知識產(chǎn)權保護的產(chǎn)品組合，這些成就使Avago能夠在所服務的市場中脫穎而出，并占據(jù)領導地位。在WiFi產(chǎn)品設計中，Avago的PA市場份額相對較少。PartNumberFrequency(GHz)BiasConditionGainPSAT(dBm)MGA-220035V@500mA3532MGA-252035V@425mA3030顯而易見，MGA-22003適用于，MGA25203適用于5GHz頻段。筆者在幾年前曾經(jīng)使用AtherosAR9280+MGA25203設計過一款5GHz中等功率無線網(wǎng)卡，測試發(fā)現(xiàn)MGA25203的性能還是相當不錯的，正如其Datas...

比如橫豎屏切換、相關游戲、磁力計姿態(tài)校準)、振動識別相關功能(比如計步器、敲擊)等；至于終端還可配置的陀螺儀、氣壓計、濕度計、溫度計、紅外線傳感器等其他傳感器，在此不再贅述。音頻電路406、揚聲器，傳聲器可提供用戶與終端之間的音頻接口。音頻電路406可將接收到的音頻數(shù)據(jù)轉換后的電信號，傳輸?shù)綋P聲器，由揚聲器轉換為聲音信號輸出；另一方面，傳聲器將收集的聲音信號轉換為電信號，由音頻電路406接收后轉換為音頻數(shù)據(jù)，再將音頻數(shù)據(jù)輸出處理器408處理后，經(jīng)rf電路401以發(fā)送給比如另一終端，或者將音頻數(shù)據(jù)輸出至存儲器402以便進一步處理。音頻電路406還可能包括耳塞插孔，以提供外設耳機與終端的通信...

AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領域的需求，也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測試標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點效率，但相比A類放大器則具有高效率（理論上可達60%到65%）。AB類放大器的優(yōu)點：與A類放大器相比，功率效率提高。AB類放大器的設計可以使用比A類更少的器件，對于相同的功率等級和頻率范圍，體積更小，價格更便宜。使用風冷，比A類放大器的冷卻器要輕。AB類放大器的缺點：產(chǎn)生的諧波需要注意具體產(chǎn)品給出的指標，尤其是二次諧波，AB類放大器可以通過仔細調整偏置的設置和采用推挽拓補結構將諧波明顯...

70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場效應管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場效應晶體管（VMOSFET）的溝道長度是由外延層的厚度來控制的，因此適合于MOS器件的短溝道化，從而提高器件的高頻性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF頻段，也就是30MHz到3GHz。封裝好的VMOS器件能夠在UHF頻段提供高達1kW的功率，在VHF頻段提供幾百瓦的功率，可由12V,28V或50V電源供電，有些VMOS器件可以100V以上的供電電壓工作。橫向擴散MOS（LDMOS...

顯示單元404可用于顯示由用戶輸入的信息或提供給用戶的信息以及終端的各種圖形用戶接口，這些圖形用戶接口可以由圖形、文本、圖標、視頻和其任意組合來構成。顯示單元404可包括顯示面板，可選的，可以采用液晶顯示器(lcd，liquidcrystaldisplay)、有機發(fā)光二極管(oled，organiclight-emittingdiode)等形式來配置顯示面板。進一步的，觸敏表面可覆蓋顯示面板，當觸敏表面檢測到在其上或附近的觸摸操作后，傳送給處理器408以確定觸摸事件的類型，隨后處理器408根據(jù)觸摸事件的類型在顯示面板上提供相應的視覺輸出。雖然在圖4中，觸敏表面與顯示面板是作為兩個的部件來...

AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領域的需求，也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測試標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點效率，但相比A類放大器則具有高效率（理論上可達60%到65%）。AB類放大器的優(yōu)點：與A類放大器相比，功率效率提高。AB類放大器的設計可以使用比A類更少的器件，對于相同的功率等級和頻率范圍，體積更小，價格更便宜。使用風冷，比A類放大器的冷卻器要輕。AB類放大器的缺點：產(chǎn)生的諧波需要注意具體產(chǎn)品給出的指標，尤其是二次諧波，AB類放大器可以通過仔細調整偏置的設置和采用推挽拓補結構將諧波明顯...

AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領域的需求，也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測試標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點效率，但相比A類放大器則具有高效率（理論上可達60%到65%）。AB類放大器的優(yōu)點：與A類放大器相比，功率效率提高。AB類放大器的設計可以使用比A類更少的器件，對于相同的功率等級和頻率范圍，體積更小，價格更便宜。使用風冷，比A類放大器的冷卻器要輕。AB類放大器的缺點：產(chǎn)生的諧波需要注意具體產(chǎn)品給出的指標，尤其是二次諧波，AB類放大器可以通過仔細調整偏置的設置和采用推挽拓補結構將諧波明顯...

目前微波射頻領域雖然備受關注，但是由于技術水平較高，壁壘過大，因此這個領域的公司相比較電力電子領域和光電子領域并不算很多，但多數(shù)都具有較強的科研實力和市場運作能力。GaN微波射頻器件的商業(yè)化供應發(fā)展迅速。據(jù)材料深一度對Mouser數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析顯示，截至2018年4月，共有4家廠商推出了150個品類的GaNHEMT，占整個射頻晶體管供應品類的，較1月增長了。Qorvo產(chǎn)品工作頻率范圍大，Skyworks產(chǎn)品工作頻率較小。Qorvo、CREE、MACOM73%的產(chǎn)品輸出功率集中在10W～100W之間，大功率達到1500W（工作頻率在，由Qorvo生產(chǎn)），采用的技術主要是GaN/SiCGaN路線。此...

包括但不限于全球移動通訊系統(tǒng)(gsm，globalsystemofmobilecommunication)、通用分組無線服務(gprs，generalpacketradioservice)、碼分多址(cdma，codedivisionmultipleaccess)、寬帶碼分多址(wcdma，widebandcodedivisionmultipleaccess)、長期演進(lte，longtermevolution)、電子郵件、短消息服務(sms，shortmessagingservice)等。存儲器402可用于存儲軟件程序以及模塊，處理器408通過運行存儲在存儲器402的軟件程序以及模塊...

圖1：某型號60WGaAsFET的內部結構這款晶體管放大器可以提供EMC領域的基礎標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6所強調的很好的線性度，如圖2所示。圖2：某晶體管的輸入輸出線性度這個晶體管可以在工作頻率范圍內提供所需的功率，它的輸出功率與頻率的關系如圖3所示。圖3：某晶體管的輸出功率與頻率的關系3.射頻微波功率晶體管采用的半導體材料的類型在用于EMC領域的功率放大器中會用到不同種類的晶體管，下面對典型的晶體管及其工作特性進行簡單介紹，由于不同種類的半導體材料具有不同的特性，功率放大器的設計者需要根據(jù)實際需求進行選擇和設計。在射頻微波功率放大器中采用的半導體材料主要包...

寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級或多級lc匹配。cllc結構，采用串聯(lián)電容到地電感級聯(lián)串聯(lián)電感到地電容；lccl采用串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)串聯(lián)電容到地電感。這兩種結構優(yōu)點是結構較簡單，插損較?。蝗秉c是寬帶性能一致性不好，在不同的頻率性能不一致，而且諧波性能差。兩級或多級lc結構，采用兩級或多級串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)在一起。這種結構優(yōu)點是諧波性能好，可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。采用普通結構變壓器實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結構優(yōu)點是結構相對簡單，缺點是難以實現(xiàn)寬帶功率放大器，寬帶性能一致性差...

將導致更復雜的天線調諧器和多路復用器。RF系統(tǒng)級封裝（SiP）市場可分為一級和二級SiP封裝：各種RF器件的一級封裝，如芯片/晶圓級濾波器、開關和放大器（包括RDL、RSV和/或凸點步驟）；在表面貼裝（SMT）階段進行的二級SiP封裝，其中各種器件與無源器件一起組裝在SiP基板上。2018年，射頻前端模組SiP市場（包括一級和二級封裝）總規(guī)模為33億美元，預計2018~2023年期間的復合年均增長率（CAGR）將達到，市場規(guī)模到2023年將增長至53億美元。預測2023年，PAMiDSiP組裝預計將占RFSiP市場總營收的39%。2018年，晶圓級封裝大約占RFSiP組裝市場總量的9%。移動領...

5G時代，智能手機將采用2發(fā)射4接收方案，未來有望演進為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機關鍵的器件之一，它直接決定了手機無線通信的距離、信號質量，甚至待機時間，是整個射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動智能移動終端、基站端及IOT設備射頻PA穩(wěn)健增長。功率放大器市場增長相對穩(wěn)健，復合年增長率為7%，將從2017年的50億美元增長到2023年的70億美元。LTE功率放大器市場的增長，尤其是高頻和超高頻，將彌補2G/3G市場的萎縮。15G智能移動終端，射頻PA的大機遇5G推動手機射頻PA量價齊升無論是在基站端還是設備終端，5G給供應商帶來的挑戰(zhàn)都首先體現(xiàn)在射頻方面，因為這是設備“上”網(wǎng)...

氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身，能夠實現(xiàn)比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，擊穿電壓達300伏，可工作在更高的工作電壓，簡化了設計寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已經(jīng)開始普遍應用在EMC領域的80MHz到6GHz的功率放大器中。4.射頻微波功率放大器的分類放大器有不同種的分類方法，習慣上基于放大器件在一個完整的信號擺動周期中工作的時間量，也就是導電角的不同進行分類，通過對放大器件配置不同的偏置條件，就可以使放大器工作在不同的狀態(tài)。在EMC領域，固態(tài)放大器中常用到的偏置方法是A類，AB類和C類。A類放大器A類...

因為這些特性，GaAs器件被應用在無線通信、衛(wèi)星通訊、微波通信、雷達系統(tǒng)等領域，能夠在更高的頻率下工作，高達Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設計變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設計的常用選擇，在80MHz到6GHz的頻率范圍內的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是對高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進結構，也稱為贗調制摻雜異質結場效應晶體管（PMODFET），具有更高的電子面密度（約高2倍）；同時，這里的電子遷移率也較...

在本發(fā)明實施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號input_p，功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號input_n。功率放大單元可以對輸入的差分信號input_p以及第二差分信號input_n分別進行放大處理，功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過放大的差分信號，功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過放大的第二差分信號。差分信號input_p以及第二差分信號input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定，且差分信號input_p的放大倍數(shù)和對第二差分信號input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實施中，差分信號input_p以及第二差分信號input_n可以是對輸入至射頻功率放大器的...

第二端接地?？蛇x的，所述子濾波電路包括：電容；所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接，第二端接地。可選的，所述子濾波電路還包括：電感；所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述第二子濾波電路包括：第二電容；所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第二子濾波電路還包括：第二電感；所述第二電感串聯(lián)在所述第二電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述輸入端匹配濾波電路還包括：寄生電容；所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間?？蛇x的，所述輸出端匹配濾波電...

主次級線圈121的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接；輔次級線圈122的端與主次級線圈121的第二端耦接，輔次級線圈122的第二端與匹配濾波電路中的輸出端匹配濾波電路耦接。也就是說，在本發(fā)明實施例中，次級線圈由主次級線圈121以及輔次級線圈122組成，輔次級線圈122可以與輸出端匹配濾波電路組成功率合成的功能。在具體實施中，匹配濾波電路可以包括輸入端匹配濾波電路以及輸出端匹配濾波電路。輸入端匹配濾波電路可以與功率合成變壓器的輸入端、功率放大單元的輸出端耦接，以及與功率合成變壓器的第二輸入端、功率放大單元的第二輸出端耦接。輸出端匹配濾波電路可以串聯(lián)在輔次級線圈122的第二端與地之...