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SGT MOS管是國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的突破。它將低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、優(yōu)異開關(guān)性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無論是應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛的能效挑戰(zhàn)，還是實(shí)現(xiàn)高頻小型化設(shè)計(jì)，亦或是構(gòu)建更穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管都展現(xiàn)出強(qiáng)大的“芯”實(shí)力，成為工程師設(shè)計(jì)下一代高效能產(chǎn)品的有力武器。 選擇商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車；公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)銷，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅(jiān)持“質(zhì)...

M?OS管應(yīng)用場(chǎng)景： 機(jī)器人 MOS管在機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用非常光，它可以作為放大器，能夠調(diào)節(jié)輸入信號(hào)的電壓，從而在不失真的情況下放大信號(hào)，提升機(jī)器人傳感器系統(tǒng)的靈敏度和準(zhǔn)確性，這對(duì)于機(jī)器人在各種復(fù)雜環(huán)境和任務(wù)中的精確感知至關(guān)重要?。它還可以作為開關(guān)實(shí)現(xiàn)精確控制?，能夠在不同的電壓和電流條件下控制電路的通斷，實(shí)現(xiàn)對(duì)機(jī)器人系統(tǒng)的精確控制，這種精確的控制能力使得機(jī)器人能夠執(zhí)行精細(xì)的動(dòng)作和復(fù)雜的任務(wù)。 作為智能集成度非常高的產(chǎn)品，智能機(jī)器人通常需要多種電源來滿足不同組件的電能需求，包括高壓和低壓電源。MOS功率放大器和開關(guān)電源在機(jī)器人電源管理中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，能夠有效地管理這...

SGT MOS管是國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的突破。它將低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、優(yōu)異開關(guān)性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無論是應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛的能效挑戰(zhàn)，還是實(shí)現(xiàn)高頻小型化設(shè)計(jì)，亦或是構(gòu)建更穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管都展現(xiàn)出強(qiáng)大的“芯”實(shí)力，成為工程師設(shè)計(jì)下一代高效能產(chǎn)品的有力武器。 選擇商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車；公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)銷，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅(jiān)持“質(zhì)...

想象一下傳統(tǒng)的電燈開關(guān)，其工作原理是簡(jiǎn)單的機(jī)械接觸與斷開。然而，在高速運(yùn)轉(zhuǎn)的手機(jī)和電腦芯片中，這樣的開關(guān)顯然無法滿足需求，因?yàn)樗鼈兯俣忍?、體積太大且耗電過多。因此，我們需要一種全新的開關(guān)來應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。這種開關(guān)需要具備以下特點(diǎn)：速度極快，每秒能完成數(shù)十億次的開關(guān)動(dòng)作；體積超小，細(xì)如發(fā)絲，能在指甲大小的芯片上集成數(shù)十億個(gè)這樣的開關(guān)；耗電極低，幾乎不消耗電能；以及控制靈敏，能通過微小的電信號(hào)來控制大電流的通斷。幸運(yùn)的是，MOSFET晶體管正是這樣一種“超級(jí)電子開關(guān)”。商甲半導(dǎo)體的SGT系列MOSFET產(chǎn)品具備低內(nèi)阻、低電容、低熱阻的特點(diǎn)。南通定制電子元器件MOSFET 你或許曾好奇，為何手機(jī)電...

場(chǎng)效應(yīng)管（fet）是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。 場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢(shì)。但它還是非常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二極管，但稍不注意，也會(huì)損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。 場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較 （1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。...

MOS管有哪些常見的應(yīng)用領(lǐng)域？ 所謂分立器件，顧名思義就是由單個(gè)電子器件組成的電路元器件，它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品，作用包括整流、開關(guān)、小信號(hào)放大、穩(wěn)壓、調(diào)節(jié)電壓電流、電路保護(hù)等作用。隨著分立器件技術(shù)不斷發(fā)展，集成度更高、耐壓耐流能力更強(qiáng)的分立器件產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)，市場(chǎng)應(yīng)用場(chǎng)景也越來越多，在光伏、儲(chǔ)能、新能源汽車、智能家電、智慧安防、AIoT以及通訊、可穿戴設(shè)備、工控、醫(yī)療等應(yīng)用廣泛應(yīng)用。MOS管作為目前**重要也是應(yīng)用**多的分立器件產(chǎn)品之一，在上述很多產(chǎn)品上有應(yīng)用。 商甲半導(dǎo)體，以專業(yè)立足，為 MOSFET 、IGBT、FRD產(chǎn)品選型提供支持。...

SGT MOS管是國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的突破。它將低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、優(yōu)異開關(guān)性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無論是應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛的能效挑戰(zhàn)，還是實(shí)現(xiàn)高頻小型化設(shè)計(jì)，亦或是構(gòu)建更穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管都展現(xiàn)出強(qiáng)大的“芯”實(shí)力，成為工程師設(shè)計(jì)下一代高效能產(chǎn)品的有力武器。 選擇商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車；公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)銷，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅(jiān)持“質(zhì)...

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 1、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。 2、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。 3、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即...

SGT MOS管是國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的突破。它將低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、優(yōu)異開關(guān)性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無論是應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛的能效挑戰(zhàn)，還是實(shí)現(xiàn)高頻小型化設(shè)計(jì)，亦或是構(gòu)建更穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管都展現(xiàn)出強(qiáng)大的“芯”實(shí)力，成為工程師設(shè)計(jì)下一代高效能產(chǎn)品的有力武器。 選擇商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車；公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)銷，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅(jiān)持“質(zhì)...

選擇合適的MOSFET是一個(gè)涉及多個(gè)因素的決策過程，這些因素包括但不限于器件的類型（N溝道或P溝道）、封裝類型、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)特性等。以下是一些基本的指導(dǎo)原則和步驟，用于選擇適合特定應(yīng)用需求的MOSFET： 1.確定MOSFET的類型：選擇N溝道還是P溝道MOSFET通常取決于應(yīng)用的具體需求。N溝道MOSFET在低邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用中更為常見（用于開關(guān)對(duì)地導(dǎo)通），而P溝道MOSFET則常用于高邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用（用于對(duì)電源導(dǎo)通）。 2.選擇封裝類型：封裝的選擇應(yīng)基于散熱需求、系統(tǒng)尺寸限制、生產(chǎn)工藝和成本控制。不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，因此需要根據(jù)系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度...

商甲半導(dǎo)體的MOS管產(chǎn)品線展現(xiàn)出的綜合優(yōu)勢(shì)： 高效：低Rds(on)與低Qg的完美結(jié)合，使得器件在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗上都達(dá)到優(yōu)異水平，提升系統(tǒng)效率，滿足日益嚴(yán)苛的能效標(biāo)準(zhǔn) 。運(yùn)行能力：優(yōu)異的開關(guān)特性使其非常適合于LLC諧振轉(zhuǎn)換器、同步整流、高頻DC-DC變換器等需要數(shù)百kHz甚至MHz級(jí)開關(guān)頻率的應(yīng)用場(chǎng)景，助力實(shí)現(xiàn)電源小型化、輕量化。 熱性能：低損耗直接轉(zhuǎn)化為更低的溫升，結(jié)合優(yōu)化的封裝熱阻(Rthja)，提升了功率密度和長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。 強(qiáng)大的魯棒性：良好的雪崩耐量(Eas)和抗沖擊能力，確保器件在浪涌、短路等異常情況下具有更高的生存概率。 國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈保障：公...

MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的重要參數(shù)可分為靜態(tài)參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)和極限參數(shù)三大類，以下是關(guān)鍵參數(shù)詳解： 靜態(tài)參數(shù)? 漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）?：在柵源電壓為零時(shí)，漏源極間能承受的最大電壓，決定器件耐壓能力。 ? 開啟電壓（VGS(th)）?：使漏源極形成溝道的柵源電壓閾值，低于此值時(shí)器件處于截止?fàn)顟B(tài)。 導(dǎo)通阻抗（RDS(on)）?：在特定柵壓下漏源極的電阻值，直接影響導(dǎo)通功耗。 動(dòng)態(tài)參數(shù)? 跨導(dǎo)（gfs）?：柵源電壓變化引起的漏極電流變化率，反映控制靈敏度。 ? 開關(guān)時(shí)間?：包括開啟延遲和關(guān)斷延遲，由寄生電感/電容影響。 ...

一、電源及儲(chǔ)能、光伏產(chǎn)品 MOS管在電源電路中常作為電子開關(guān)使用，通過控制柵極電壓來改變漏源極之間的導(dǎo)通狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)電流的快速接通和斷開。MOS管具有較低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)時(shí)間，減少開關(guān)損耗，提高電源的轉(zhuǎn)換效率。在開關(guān)電源中，能夠?qū)崿F(xiàn)精細(xì)的電壓調(diào)節(jié)和過流保護(hù)。通過反饋機(jī)制，MOS管按需調(diào)整開關(guān)頻率和占空比，以維持輸出電壓穩(wěn)定。當(dāng)檢測(cè)到過載或短路時(shí)，MOS管可以通過快速關(guān)斷來避免電源系統(tǒng)遭受損害?。MOS管在電源電路中不僅能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)壓保護(hù)，還能降低電磁干擾，確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。? MOS管在儲(chǔ)能電源上主要是開關(guān)和穩(wěn)壓、保護(hù)等作用，在便攜式儲(chǔ)能電源中，MOS管...

針對(duì)無刷電機(jī)中MOS管的應(yīng)用，推薦使用商甲半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列， 其優(yōu)勢(shì)：采用SGT 工藝，突破性的FOM優(yōu)化，覆蓋更多的應(yīng)用場(chǎng)景；極低導(dǎo)通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率?？筛鶕?jù)客戶方案需求，對(duì)應(yīng)器件選型檔位，進(jìn)行支持。 采用優(yōu)化的溝槽屏蔽柵設(shè)計(jì)及工藝制造技術(shù)，提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時(shí)降低了器件的特征導(dǎo)通電阻Rsp和柵極電荷Qg。SGT系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋30V~150V,可廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同步整流等領(lǐng)域中。隨著無人機(jī)技術(shù)的迅猛發(fā)展和廣泛應(yīng)用，對(duì)于低壓MOS技術(shù)的需求將進(jìn)一步增加。無人機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊，它將為無人機(jī)的性能提升、功能拓展和安全保障...

MOSFETQ簡(jiǎn)稱MOS，是一種絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。按照類別可以分為增強(qiáng)型mos管和耗盡型mos管。 導(dǎo)電溝道的形成方式 增強(qiáng)型MOS管:在沒有外加電壓時(shí)，源極和漏極之間沒有導(dǎo)電溝道存在。只有當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，才能在源極和漏極之間形成導(dǎo)電溝道，使電流得以流通。 耗盡型MOS管:在制造過程中，源極和漏極之間的襯底中已經(jīng)摻入了雜質(zhì)或改變了材料結(jié)構(gòu)，使得在沒有外加電壓時(shí)就已經(jīng)存在導(dǎo)電溝道。無論柵極電壓如何變化，只要源極和漏極之間存在電位差，就會(huì)有電流流通。 輸入阻抗: 增強(qiáng)型MOS管:具有高輸入阻抗，適合用于需要高輸入阻抗的電路。 耗盡型MOS管:具有低...

NMOS和PMOS晶體管 MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）- NMOS（N 溝道 MOS）和 PMOS（P 溝道 MOS） 晶體管在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中發(fā)揮著重要的作用。這些晶體管為從微處理器到存儲(chǔ)芯片等各種設(shè)備提供了基本構(gòu)件。MOSFET 晶體管**重要的用途是用于超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)，因?yàn)樗鼈凅w積小。一萬億個(gè) MOSFET 可以制作在一個(gè)芯片上。這一發(fā)展帶來了技術(shù)上的重大進(jìn)步，使更多的電子元件實(shí)現(xiàn)了微型化。 在MOS晶體管領(lǐng)域，主要有兩種類型：N溝道MOS（NMOS）和P溝道MOS（PMOS）晶體管。 NMOS晶體管的特點(diǎn)是源極和漏極區(qū)域使用n型（負(fù)摻雜）半導(dǎo)體材料，而襯底則由p...

選擇MOS管的指南 評(píng)估熱性能 選定額定電流后，還需計(jì)算導(dǎo)通損耗。實(shí)際中，MOS管并非理想器件，導(dǎo)電時(shí)會(huì)產(chǎn)生電能損耗，即導(dǎo)通損耗。這一損耗與器件的導(dǎo)通電阻RDS(ON)相關(guān)，并隨溫度明顯變化。設(shè)計(jì)者需評(píng)估MOS管的熱性能，包括差情況下的散熱能力，同時(shí)需要考慮結(jié)溫和熱阻。 功率損耗PTRON可通過公式Iload2×RDS(ON)計(jì)算（Iload表示大直流輸出電流）。由于導(dǎo)通電阻受溫度影響，功率損耗也會(huì)相應(yīng)變化。此外，施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比，即電壓越高，RDS(ON)越小；反之亦然。 商甲半導(dǎo)體MOSFET用于適配器（筆記本電腦、打印機(jī)等）--更輕、更...

N 溝道 MOS（NMOS）和 P 溝道 MOS（PMOS） NMOS和PMOS晶體管的主要區(qū)別之一是它們的閾值電壓，即必須施加到柵極終端才能產(chǎn)生導(dǎo)電溝道的小電壓。對(duì)于NMOS晶體管，閾值電壓通常為正，而對(duì)于PMOS晶體管，閾值電壓通常為負(fù)。閾值電壓的差異會(huì)對(duì)電子電路的設(shè)計(jì)產(chǎn)生重大影響，因?yàn)樗鼪Q定了晶體管開關(guān)所需的電壓水平。 NMOS和PMOS器件的互補(bǔ)性是現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)的一個(gè)決定性特征。通過在單個(gè)電路中結(jié)合這兩種類型的晶體管，設(shè)計(jì)人員可以設(shè)計(jì)出更高效、功能更***的電路。 互補(bǔ)MOS（CMOS）技術(shù)就充分利用了NMOS和PMOS晶體管的優(yōu)勢(shì)，從而實(shí)現(xiàn)了低功耗和高性能的...

SGT MOS管是國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的突破。它將低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、優(yōu)異開關(guān)性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無論是應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛的能效挑戰(zhàn)，還是實(shí)現(xiàn)高頻小型化設(shè)計(jì)，亦或是構(gòu)建更穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管都展現(xiàn)出強(qiáng)大的“芯”實(shí)力，成為工程師設(shè)計(jì)下一代高效能產(chǎn)品的有力武器。 選擇商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車；公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)銷，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅(jiān)持“質(zhì)...

MOS管選型指南 封裝因素考量 封裝方式影響散熱性能和電流承載能力，選擇需考慮系統(tǒng)散熱條件和環(huán)境溫度。在構(gòu)成開關(guān)電路時(shí)，不同尺寸的MOS管封裝會(huì)影響其熱阻和耗散功率。因此，必須綜合考慮系統(tǒng)的散熱條件、環(huán)境溫度以及散熱器的形狀和大小限制?；驹瓌t是，在確保功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率不受影響的前提下，選擇參數(shù)和封裝更為通用的功率MOS管。在開關(guān)電路的設(shè)計(jì)中，我們常常需要關(guān)注MOS管的封裝方式。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，可以選擇不同類型的封裝。例如，插入式封裝包括TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251和TO-92等；而表面貼裝式封裝則涵蓋TO-263、TO-...

選擇MOS管的指南 評(píng)估熱性能 選定額定電流后，還需計(jì)算導(dǎo)通損耗。實(shí)際中，MOS管并非理想器件，導(dǎo)電時(shí)會(huì)產(chǎn)生電能損耗，即導(dǎo)通損耗。這一損耗與器件的導(dǎo)通電阻RDS(ON)相關(guān)，并隨溫度明顯變化。設(shè)計(jì)者需評(píng)估MOS管的熱性能，包括差情況下的散熱能力，同時(shí)需要考慮結(jié)溫和熱阻。 功率損耗PTRON可通過公式Iload2×RDS(ON)計(jì)算（Iload表示大直流輸出電流）。由于導(dǎo)通電阻受溫度影響，功率損耗也會(huì)相應(yīng)變化。此外，施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比，即電壓越高，RDS(ON)越?。环粗嗳?。 公司產(chǎn)品生產(chǎn)代工為國(guó)內(nèi)頭部功率半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)。.光伏逆變電子元器件M...

MOS管應(yīng)用場(chǎng)景 LED照明 LED電源是各種LED照明產(chǎn)品，如LED燈管、LED燈泡、LED投光燈等產(chǎn)品必備的，在汽車照明領(lǐng)域，MOS管也為汽車LED照明系統(tǒng)提供穩(wěn)定、高效的驅(qū)動(dòng)電壓。MOS管在LED驅(qū)動(dòng)電源中可以作為開關(guān)使用，通過調(diào)節(jié)其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)，可以控制LED的電流，從而實(shí)現(xiàn)LED的亮滅和調(diào)光功能。在恒流源設(shè)計(jì)中，MOS管能夠精確控制通過LED的電流，確保LED在安全、穩(wěn)定的電流下工作，避免因電流過大而損壞。MOS管具有過壓、過流等保護(hù)功能。當(dāng)檢測(cè)到異常電壓或電流時(shí)，MOS管可以迅速切斷電源，保護(hù)LED和驅(qū)動(dòng)電路不受損害。 在LED調(diào)光的應(yīng)用上，MOS管主要通過...

20V產(chǎn)品主要用于手機(jī)、移動(dòng)電源、可穿戴設(shè)備及消費(fèi)類領(lǐng)域； 30V產(chǎn)品主要用于PC主板和顯卡、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、BMS、電動(dòng)工具、無線充； 40V產(chǎn)品主要用于無人機(jī)、BMS、電動(dòng)工具、汽車電子； 60V產(chǎn)品主要用于馬達(dá)控制、BMS、UPS、汽車雨刷、汽車音響； 80-250V產(chǎn)品主要用于低壓系統(tǒng)新能源汽車、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、逆變器、儲(chǔ)能、BMS、LED、PD Charger；600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車； 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車； 公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)...

選擇MOS管的指南 評(píng)估熱性能 選定額定電流后，還需計(jì)算導(dǎo)通損耗。實(shí)際中，MOS管并非理想器件，導(dǎo)電時(shí)會(huì)產(chǎn)生電能損耗，即導(dǎo)通損耗。這一損耗與器件的導(dǎo)通電阻RDS(ON)相關(guān)，并隨溫度明顯變化。設(shè)計(jì)者需評(píng)估MOS管的熱性能，包括差情況下的散熱能力，同時(shí)需要考慮結(jié)溫和熱阻。 功率損耗PTRON可通過公式Iload2×RDS(ON)計(jì)算（Iload表示大直流輸出電流）。由于導(dǎo)通電阻受溫度影響，功率損耗也會(huì)相應(yīng)變化。此外，施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比，即電壓越高，RDS(ON)越小；反之亦然。 在長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行的設(shè)備，如數(shù)據(jù)中心電源模塊、通信基站電源等場(chǎng)景中，低...

NMOS 和 PMOS 晶體管之間有什么區(qū)別？ NMOS（N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）和 PMOS（P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管是 MOSFET 的兩種類型，它們?cè)跍系浪冒雽?dǎo)體材料類型上有所不同。NMOS 晶體管使用 n 型材料，而 PMOS 晶體管則使用襯底的 p 型材料。NMOS 中創(chuàng)建的是 n 型導(dǎo)電溝道，而 PMOS 中創(chuàng)建的是 p 型導(dǎo)電溝道。因此，NMOS 晶體管通過向柵極施加正電壓來開啟，而 PMOS 晶體管則通過向柵極施加負(fù)電壓來開啟。 MOS 和 PMOS 晶體管有多種應(yīng)用， 包括數(shù)字電路 ：邏輯門、微處理器、存儲(chǔ)芯片 模擬電路 ：放大器、濾波...

NMOS 和 PMOS 晶體管之間有什么區(qū)別？ NMOS（N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）和 PMOS（P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管是 MOSFET 的兩種類型，它們?cè)跍系浪冒雽?dǎo)體材料類型上有所不同。NMOS 晶體管使用 n 型材料，而 PMOS 晶體管則使用襯底的 p 型材料。NMOS 中創(chuàng)建的是 n 型導(dǎo)電溝道，而 PMOS 中創(chuàng)建的是 p 型導(dǎo)電溝道。因此，NMOS 晶體管通過向柵極施加正電壓來開啟，而 PMOS 晶體管則通過向柵極施加負(fù)電壓來開啟。 MOS 和 PMOS 晶體管有多種應(yīng)用， 包括數(shù)字電路 ：邏輯門、微處理器、存儲(chǔ)芯片 模擬電路 ：放大器、濾波...

FET的類型有： DEPFET（Depleted FET）是一種在完全耗盡基底上制造，同時(shí)用為一個(gè)感應(yīng)器、放大器和記憶極的FET。它可以用作圖像（光子）感應(yīng)器。 DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一種有兩個(gè)柵極的MOSFET。DNAFET是一種用作生物感應(yīng)器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子制成的柵極去檢測(cè)相配的DNA鏈。 HEMT（高電子遷移率晶體管，High Electron Mobility Transistor），也被稱為HFET（異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，heterostructure FET），是運(yùn)用帶隙工程在三重半導(dǎo)體例如AlGaAs中制造的。...

MOSFETQ簡(jiǎn)稱MOS，是一種絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。按照類別可以分為增強(qiáng)型mos管和耗盡型mos管。 導(dǎo)電溝道的形成方式 增強(qiáng)型MOS管:在沒有外加電壓時(shí)，源極和漏極之間沒有導(dǎo)電溝道存在。只有當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，才能在源極和漏極之間形成導(dǎo)電溝道，使電流得以流通。 耗盡型MOS管:在制造過程中，源極和漏極之間的襯底中已經(jīng)摻入了雜質(zhì)或改變了材料結(jié)構(gòu)，使得在沒有外加電壓時(shí)就已經(jīng)存在導(dǎo)電溝道。無論柵極電壓如何變化，只要源極和漏極之間存在電位差，就會(huì)有電流流通。 輸入阻抗: 增強(qiáng)型MOS管:具有高輸入阻抗，適合用于需要高輸入阻抗的電路。 耗盡型MOS管:具有低...

SOP（SmallOut-LinePackage）的中文釋義為“小外形封裝”它屬于表面貼裝型封裝技術(shù)，其引腳設(shè)計(jì)呈海鷗翼狀（L字形），從封裝兩側(cè)引出。這種封裝方式可使用塑料或陶瓷兩種材料。此外，SOP也被稱為SOL和DFP。2、SOP封裝標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多種規(guī)格，其中數(shù)字部分表示引腳數(shù)量。在MOSFET的封裝中，SOP-8規(guī)格被采用，且業(yè)界常將P*部分省略，簡(jiǎn)稱為so（SmallOut-Line）。 SO-8采用塑料封裝，未配備散熱底板，因此散熱效果一般，主要適用于小功率MOSFET。 SO-8封裝技術(shù)初由PHILIP公司開發(fā)，隨...

NMOS和PMOS晶體管 MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）- NMOS（N 溝道 MOS）和 PMOS（P 溝道 MOS） 晶體管在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中發(fā)揮著重要的作用。這些晶體管為從微處理器到存儲(chǔ)芯片等各種設(shè)備提供了基本構(gòu)件。MOSFET 晶體管**重要的用途是用于超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)，因?yàn)樗鼈凅w積小。一萬億個(gè) MOSFET 可以制作在一個(gè)芯片上。這一發(fā)展帶來了技術(shù)上的重大進(jìn)步，使更多的電子元件實(shí)現(xiàn)了微型化。 在MOS晶體管領(lǐng)域，主要有兩種類型：N溝道MOS（NMOS）和P溝道MOS（PMOS）晶體管。 NMOS晶體管的特點(diǎn)是源極和漏極區(qū)域使用n型（負(fù)摻雜）半導(dǎo)體材料，而襯底則由p...