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絕緣柵場效應(yīng)管 1、絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。 2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管。 3、絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管為例)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即...

MOSFET的三個關(guān)鍵電極各具特色：柵極（Gate）作為控制電極，通過調(diào)節(jié)電壓來操控源極和漏極之間導電溝道的通斷；源極（Source）作為載流子的“供應(yīng)者”，為導電溝道提供起點；漏極（Drain）作為載流子的“排放口”，為電流的流動提供終點。柵極、源極和漏極分別作為控制、輸入和輸出端，在電路中發(fā)揮重要作用。 通過電場效應(yīng)調(diào)節(jié)導電溝道，MOSFET實現(xiàn)了快速、低能耗的電流控制。這種技術(shù)不僅能實現(xiàn)對電流的精細調(diào)節(jié)，還保證了其極高的開關(guān)速度和效率，為現(xiàn)代芯片的大規(guī)模集成和高速運算提供了重要保障。 MOSFET幾乎無處不在，支撐著數(shù)字運算、能量轉(zhuǎn)化和模擬信號處理。它在CPU、內(nèi)存、邏輯...

想象一下傳統(tǒng)的電燈開關(guān)，其工作原理是簡單的機械接觸與斷開。然而，在高速運轉(zhuǎn)的手機和電腦芯片中，這樣的開關(guān)顯然無法滿足需求，因為它們速度太慢、體積太大且耗電過多。因此，我們需要一種全新的開關(guān)來應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。這種開關(guān)需要具備以下特點：速度極快，每秒能完成數(shù)十億次的開關(guān)動作；體積超小，細如發(fā)絲，能在指甲大小的芯片上集成數(shù)十億個這樣的開關(guān)；耗電極低，幾乎不消耗電能；以及控制靈敏，能通過微小的電信號來控制大電流的通斷。幸運的是，MOSFET晶體管正是這樣一種“超級電子開關(guān)”。步進電機驅(qū)動，MOSFET用于步進電機的相位控制。宿遷電子元器件MOSFET哪家公司便宜 MOSFET，全稱金屬-氧化物半導體場...

20V產(chǎn)品主要用于手機、移動電源、可穿戴設(shè)備及消費類領(lǐng)域； 30V產(chǎn)品主要用于PC主板和顯卡、馬達驅(qū)動、BMS、電動工具、無線充； 40V產(chǎn)品主要用于無人機、BMS、電動工具、汽車電子； 60V產(chǎn)品主要用于馬達控制、BMS、UPS、汽車雨刷、汽車音響； 80-250V產(chǎn)品主要用于低壓系統(tǒng)新能源汽車、馬達驅(qū)動、逆變器、儲能、BMS、LED、PD Charger；600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車； 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車； 公司秉承：“致力于功率半導體的設(shè)計與營...

無錫商甲半導體有限公司為一家功率半導體設(shè)計公司,專業(yè)從事各類高性能MOSFET、IGBT、SIC產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。總部位于江蘇省無錫市經(jīng)開區(qū),是無錫市太湖人才計劃重點引進項目。 MOSFET根據(jù)閾值電壓特性分為增強型和耗盡型兩類 增強型：在零柵極電壓時處于關(guān)閉狀態(tài)，需施加正電壓才能形成導電通道； 耗盡型：在零柵極電壓時已存在導電通道，需施加負電壓才能關(guān)閉通道。 MOSFET是大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中采用得的半導體器件，其高集成度、低功耗和高可靠性使其成為現(xiàn)代微電子技術(shù)的基石。尤其在數(shù)字邏輯電路中，MOSFET的開關(guān)特性為二進制計算提供了物理基礎(chǔ)。 商甲半導體...

NMOS:NMOS是一種N型場效應(yīng)管，具有N型溝道和P型襯底。其工作原理是通過在柵極(G)和源極(S)之間施加正向電壓，使得P型襯底中的自由電子被吸引到柵極下方的區(qū)域，形成N型導電溝道，從而使漏極(D)和源極(S)之間導通。NMOS的導通條件是柵極電壓高于源極電壓一定值(即柵極閾值電壓)。 PMOS:PMOS是一種P型場效應(yīng)管，具有P型溝道和N型襯底。其工作原理與NMOS相反，通過在柵極(G)和源極(S)之間施加反向電壓，使得N型襯底中的空穴被吸引到柵極下方的區(qū)域，形成P型導電溝道，從而使漏極(D)和源極(S)之間導通。PMOS的導通條件是柵極電壓低于源極電壓一定值(即柵極閾值電壓)...

選擇MOS管的指南 評估熱性能 選定額定電流后，還需計算導通損耗。實際中，MOS管并非理想器件，導電時會產(chǎn)生電能損耗，即導通損耗。這一損耗與器件的導通電阻RDS(ON)相關(guān)，并隨溫度明顯變化。設(shè)計者需評估MOS管的熱性能，包括差情況下的散熱能力，同時需要考慮結(jié)溫和熱阻。 功率損耗PTRON可通過公式Iload2×RDS(ON)計算（Iload表示大直流輸出電流）。由于導通電阻受溫度影響，功率損耗也會相應(yīng)變化。此外，施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比，即電壓越高，RDS(ON)越小；反之亦然。 公司在標準產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，與客戶深度合作開發(fā)定制產(chǎn)品。便攜式儲...

SOP（SmallOut-LinePackage）的中文釋義為“小外形封裝”它屬于表面貼裝型封裝技術(shù)，其引腳設(shè)計呈海鷗翼狀（L字形），從封裝兩側(cè)引出。這種封裝方式可使用塑料或陶瓷兩種材料。此外，SOP也被稱為SOL和DFP。2、SOP封裝標準涵蓋了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多種規(guī)格，其中數(shù)字部分表示引腳數(shù)量。在MOSFET的封裝中，SOP-8規(guī)格被采用，且業(yè)界常將P*部分省略，簡稱為so（SmallOut-Line）。 SO-8采用塑料封裝，未配備散熱底板，因此散熱效果一般，主要適用于小功率MOSFET。 SO-8封裝技術(shù)初由PHILIP公司開發(fā)，隨...

選擇MOS管的指南 評估熱性能 選定額定電流后，還需計算導通損耗。實際中，MOS管并非理想器件，導電時會產(chǎn)生電能損耗，即導通損耗。這一損耗與器件的導通電阻RDS(ON)相關(guān)，并隨溫度明顯變化。設(shè)計者需評估MOS管的熱性能，包括差情況下的散熱能力，同時需要考慮結(jié)溫和熱阻。 功率損耗PTRON可通過公式Iload2×RDS(ON)計算（Iload表示大直流輸出電流）。由于導通電阻受溫度影響，功率損耗也會相應(yīng)變化。此外，施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比，即電壓越高，RDS(ON)越??；反之亦然。 在變頻器和逆變器中，MOSFET用于控制交流電機的速度和扭矩.松江區(qū)...

MOS管常用封裝 隨著電子技術(shù)的不斷進步，如今主板和顯卡的PCB板更傾向于采用表面貼裝式封裝的MOSFET，而非傳統(tǒng)的直插式封裝。因此，本文將重點探討表面貼裝式封裝的MOSFET，并深入介紹MOS管的外部封裝技術(shù)、內(nèi)部封裝改進技術(shù)、整合式DrMOS、MOSFET的發(fā)展趨勢以及具體的MOSFET實例等。接下來，我們將對標準的封裝形式進行概述，包括TO（晶體管輪廓）封裝等。 TO（TransistorOut-line）即“晶體管外形”，是一種早期的封裝規(guī)格。其中，TO-92、TO-92L、TO-220以及TO-252等都是采用插入式封裝設(shè)計。 隨著表面貼裝市場的需求不斷增長，...

NMOS和PMOS晶體管 MOS（金屬氧化物半導體）- NMOS（N 溝道 MOS）和 PMOS（P 溝道 MOS） 晶體管在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中發(fā)揮著重要的作用。這些晶體管為從微處理器到存儲芯片等各種設(shè)備提供了基本構(gòu)件。MOSFET 晶體管**重要的用途是用于超大規(guī)模集成電路設(shè)計，因為它們體積小。一萬億個 MOSFET 可以制作在一個芯片上。這一發(fā)展帶來了技術(shù)上的重大進步，使更多的電子元件實現(xiàn)了微型化。 在MOS晶體管領(lǐng)域，主要有兩種類型：N溝道MOS（NMOS）和P溝道MOS（PMOS）晶體管。 NMOS晶體管的特點是源極和漏極區(qū)域使用n型（負摻雜）半導體材料，而襯底則由p...

MOS管封裝 TO-220與TO-220F TO-220與TO-220F這兩種封裝的MOS管在外觀上相似，可以相互替代。然而，TO-220背部配備了散熱片，因此其散熱效果相較于TO-220F更為出色。同時，由于成本因素，TO-220的價格也相對較高。這兩種封裝的產(chǎn)品都適用于中壓大電流場合，其電流范圍在120A以下，同時也可用于高壓大電流場合，但電流需控制在20A以內(nèi)。 TO-251封裝TO-251封裝的產(chǎn)品旨在降低生產(chǎn)成本并減小產(chǎn)品尺寸，特別適用于中壓大電流環(huán)境，電流范圍控制在60A以下，同時也可用于高壓環(huán)境，但需確保電流在7N以下。 商甲半導體利用技術(shù)優(yōu)...

MOS管應(yīng)用場景 LED照明 LED電源是各種LED照明產(chǎn)品，如LED燈管、LED燈泡、LED投光燈等產(chǎn)品必備的，在汽車照明領(lǐng)域，MOS管也為汽車LED照明系統(tǒng)提供穩(wěn)定、高效的驅(qū)動電壓。MOS管在LED驅(qū)動電源中可以作為開關(guān)使用，通過調(diào)節(jié)其導通和截止狀態(tài)，可以控制LED的電流，從而實現(xiàn)LED的亮滅和調(diào)光功能。在恒流源設(shè)計中，MOS管能夠精確控制通過LED的電流，確保LED在安全、穩(wěn)定的電流下工作，避免因電流過大而損壞。MOS管具有過壓、過流等保護功能。當檢測到異常電壓或電流時，MOS管可以迅速切斷電源，保護LED和驅(qū)動電路不受損害。 在LED調(diào)光的應(yīng)用上，MOS管主要通過...

選擇MOS管的指南 第一步: 明確N溝道與P溝道首先，需要明確N溝道與P溝道的選擇。N溝道適用于低壓側(cè)開關(guān)，P溝道適用于高壓側(cè)開關(guān)。由于MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式——N溝道型和P溝道型，這兩種結(jié)構(gòu)的電壓極性有所不同。因此，在做出選擇之前，務(wù)必先確定您的應(yīng)用場景需要哪種類型的MOS管 MOS管的兩種結(jié)構(gòu)在電子應(yīng)用中，MOS管通常有兩種結(jié)構(gòu)：N溝道型和P溝道型。這兩種結(jié)構(gòu)各有其特定的應(yīng)用場景。例如，在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，因為這類器件在關(guān)閉或?qū)〞r所需電壓較低。相反，在高壓側(cè)開關(guān)中，則更常選用P溝道MOS管。 商甲半導體的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于車身、照明及智能出行等領(lǐng)域。20...

隨著無人機技術(shù)的迅猛發(fā)展，其在商業(yè)和消費領(lǐng)域的應(yīng)用正在不斷擴展。而低壓MOS（金屬氧化物半導體）技術(shù)的應(yīng)用，則在無人機的性能提升、功耗降低等方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。 低壓MOS技術(shù)在無人機上的優(yōu)勢 高效能管理 低壓MOS技術(shù)具有快速的開關(guān)特性和低功耗的特點，能夠有效管理無人機的電能，提高能源利用率。在電機驅(qū)動、電池管理等方面發(fā)揮重要作用，延長飛行時間。 熱穩(wěn)定性 具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能，適用于各種復雜的飛行環(huán)境。 無錫商甲半導體有限公司是功率半導體設(shè)計公司,專業(yè)從事各類高性能MOS、IGBT、SIC產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。安徽電子元器件...

N 溝道 MOS（NMOS）和 P 溝道 MOS（PMOS） NMOS和PMOS晶體管的主要區(qū)別之一是它們的閾值電壓，即必須施加到柵極終端才能產(chǎn)生導電溝道的小電壓。對于NMOS晶體管，閾值電壓通常為正，而對于PMOS晶體管，閾值電壓通常為負。閾值電壓的差異會對電子電路的設(shè)計產(chǎn)生重大影響，因為它決定了晶體管開關(guān)所需的電壓水平。 NMOS和PMOS器件的互補性是現(xiàn)代電子電路設(shè)計的一個決定性特征。通過在單個電路中結(jié)合這兩種類型的晶體管，設(shè)計人員可以設(shè)計出更高效、功能更***的電路。 互補MOS（CMOS）技術(shù)就充分利用了NMOS和PMOS晶體管的優(yōu)勢，從而實現(xiàn)了低功耗和高性能的...

商甲半導體的MOS管產(chǎn)品線展現(xiàn)出的綜合優(yōu)勢： 高效：低Rds(on)與低Qg的完美結(jié)合，使得器件在導通損耗和開關(guān)損耗上都達到優(yōu)異水平，提升系統(tǒng)效率，滿足日益嚴苛的能效標準 。運行能力：優(yōu)異的開關(guān)特性使其非常適合于LLC諧振轉(zhuǎn)換器、同步整流、高頻DC-DC變換器等需要數(shù)百kHz甚至MHz級開關(guān)頻率的應(yīng)用場景，助力實現(xiàn)電源小型化、輕量化。 熱性能：低損耗直接轉(zhuǎn)化為更低的溫升，結(jié)合優(yōu)化的封裝熱阻(Rthja)，提升了功率密度和長期運行可靠性。 強大的魯棒性：良好的雪崩耐量(Eas)和抗沖擊能力，確保器件在浪涌、短路等異常情況下具有更高的生存概率。 國產(chǎn)供應(yīng)鏈保障：公...

金屬–氧化物–半導體晶體管（MOSFET）是一種采用平面技術(shù)制造的場效應(yīng)晶體管，廣泛應(yīng)用于大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中。作為半導體器件領(lǐng)域的**技術(shù)之一，MOSFET主要用作二進制計算的邏輯電路，在數(shù)字電子設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用。根據(jù)工作機制的不同，MOSFET可分為增強型和耗盡型兩類，以適應(yīng)不同的電路設(shè)計需求. 金屬–氧化物–半導體晶體管用平面技術(shù)制造的一種場效應(yīng)晶體管 [1]。該技術(shù)通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導電通道，從而實現(xiàn)電流的開關(guān)與放大。 商甲半導體經(jīng)營產(chǎn)品：N溝道m(xù)osfet、P溝道m(xù)osfet、N+P溝道m(xù)osfet(Trench/SGT?工藝）、...

SOP（SmallOut-LinePackage）的中文釋義為“小外形封裝”它屬于表面貼裝型封裝技術(shù)，其引腳設(shè)計呈海鷗翼狀（L字形），從封裝兩側(cè)引出。這種封裝方式可使用塑料或陶瓷兩種材料。此外，SOP也被稱為SOL和DFP。2、SOP封裝標準涵蓋了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多種規(guī)格，其中數(shù)字部分表示引腳數(shù)量。在MOSFET的封裝中，SOP-8規(guī)格被采用，且業(yè)界常將P*部分省略，簡稱為so（SmallOut-Line）。 SO-8采用塑料封裝，未配備散熱底板，因此散熱效果一般，主要適用于小功率MOSFET。 SO-8封裝技術(shù)初由PHILIP公司開發(fā)，隨...

MOSFET的三個關(guān)鍵電極各具特色：柵極（Gate）作為控制電極，通過調(diào)節(jié)電壓來操控源極和漏極之間導電溝道的通斷；源極（Source）作為載流子的“供應(yīng)者”，為導電溝道提供起點；漏極（Drain）作為載流子的“排放口”，為電流的流動提供終點。柵極、源極和漏極分別作為控制、輸入和輸出端，在電路中發(fā)揮重要作用。 通過電場效應(yīng)調(diào)節(jié)導電溝道，MOSFET實現(xiàn)了快速、低能耗的電流控制。這種技術(shù)不僅能實現(xiàn)對電流的精細調(diào)節(jié)，還保證了其極高的開關(guān)速度和效率，為現(xiàn)代芯片的大規(guī)模集成和高速運算提供了重要保障。 MOSFET幾乎無處不在，支撐著數(shù)字運算、能量轉(zhuǎn)化和模擬信號處理。它在CPU、內(nèi)存、邏輯...

想象一下傳統(tǒng)的電燈開關(guān)，其工作原理是簡單的機械接觸與斷開。然而，在高速運轉(zhuǎn)的手機和電腦芯片中，這樣的開關(guān)顯然無法滿足需求，因為它們速度太慢、體積太大且耗電過多。因此，我們需要一種全新的開關(guān)來應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。這種開關(guān)需要具備以下特點：速度極快，每秒能完成數(shù)十億次的開關(guān)動作；體積超小，細如發(fā)絲，能在指甲大小的芯片上集成數(shù)十億個這樣的開關(guān)；耗電極低，幾乎不消耗電能；以及控制靈敏，能通過微小的電信號來控制大電流的通斷。幸運的是，MOSFET晶體管正是這樣一種“超級電子開關(guān)”。商甲半導體的MOSFET用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)換器等電源電路中，作為開關(guān)器件控制電能的轉(zhuǎn)換和傳輸。電池管理系統(tǒng)電子元器...

MOS管封裝 TO-220與TO-220F TO-220與TO-220F這兩種封裝的MOS管在外觀上相似，可以相互替代。然而，TO-220背部配備了散熱片，因此其散熱效果相較于TO-220F更為出色。同時，由于成本因素，TO-220的價格也相對較高。這兩種封裝的產(chǎn)品都適用于中壓大電流場合，其電流范圍在120A以下，同時也可用于高壓大電流場合，但電流需控制在20A以內(nèi)。 TO-251封裝TO-251封裝的產(chǎn)品旨在降低生產(chǎn)成本并減小產(chǎn)品尺寸，特別適用于中壓大電流環(huán)境，電流范圍控制在60A以下，同時也可用于高壓環(huán)境，但需確保電流在7N以下。 商甲半導體80-25...

如何選擇合適的MOSFET管 1.考慮開關(guān)特性：包括柵極電荷(Qg)、輸入電容(Ciss)等參數(shù)，這些參數(shù)影響MOSFET的開關(guān)速度和損耗，特別是在高速開關(guān)系統(tǒng)，必須確認MOS的導通和關(guān)斷速度。 2.使用在線工具簡化選型：一些電子元件供應(yīng)商提供了在線篩選器，可以根據(jù)電壓、電流、封裝等參數(shù)快速篩選合適的MOSFET。 3.查看數(shù)據(jù)手冊：在選擇之前，仔細閱讀MOSFET的數(shù)據(jù)手冊，了解其電氣特性和工作條件。 4考慮品牌和成本：根據(jù)項目預(yù)算和對品牌的信任度，選擇信譽良好的品牌。目前，功率半導體的發(fā)展非常迅速，SIC，IGBT等隨電動汽車的發(fā)展快速發(fā)展，成本是其中非常重要的...

選擇MOS管的指南 評估熱性能 選定額定電流后，還需計算導通損耗。實際中，MOS管并非理想器件，導電時會產(chǎn)生電能損耗，即導通損耗。這一損耗與器件的導通電阻RDS(ON)相關(guān)，并隨溫度明顯變化。設(shè)計者需評估MOS管的熱性能，包括差情況下的散熱能力，同時需要考慮結(jié)溫和熱阻。 功率損耗PTRON可通過公式Iload2×RDS(ON)計算（Iload表示大直流輸出電流）。由于導通電阻受溫度影響，功率損耗也會相應(yīng)變化。此外，施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比，即電壓越高，RDS(ON)越??；反之亦然。 MOSFET、IGBT 選商甲半導體，專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，與晶圓代...

金屬–氧化物–半導體晶體管（MOSFET）是一種采用平面技術(shù)制造的場效應(yīng)晶體管，廣泛應(yīng)用于大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中。作為半導體器件領(lǐng)域的**技術(shù)之一，MOSFET主要用作二進制計算的邏輯電路，在數(shù)字電子設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用。根據(jù)工作機制的不同，MOSFET可分為增強型和耗盡型兩類，以適應(yīng)不同的電路設(shè)計需求. 金屬–氧化物–半導體晶體管用平面技術(shù)制造的一種場效應(yīng)晶體管 [1]。該技術(shù)通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導電通道，從而實現(xiàn)電流的開關(guān)與放大。 公司在標準產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，與客戶深度合作開發(fā)定制產(chǎn)品。無刷直流電機電子元器件MOSFET代理品牌 MOS管...

M?OS管應(yīng)用場景： 機器人 MOS管在機器人領(lǐng)域的應(yīng)用非常光，它可以作為放大器，能夠調(diào)節(jié)輸入信號的電壓，從而在不失真的情況下放大信號，提升機器人傳感器系統(tǒng)的靈敏度和準確性，這對于機器人在各種復雜環(huán)境和任務(wù)中的精確感知至關(guān)重要?。它還可以作為開關(guān)實現(xiàn)精確控制?，能夠在不同的電壓和電流條件下控制電路的通斷，實現(xiàn)對機器人系統(tǒng)的精確控制，這種精確的控制能力使得機器人能夠執(zhí)行精細的動作和復雜的任務(wù)。 作為智能集成度非常高的產(chǎn)品，智能機器人通常需要多種電源來滿足不同組件的電能需求，包括高壓和低壓電源。MOS功率放大器和開關(guān)電源在機器人電源管理中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，能夠有效地管理這...

MOS管有哪些常見的應(yīng)用領(lǐng)域？ 所謂分立器件，顧名思義就是由單個電子器件組成的電路元器件，它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品，作用包括整流、開關(guān)、小信號放大、穩(wěn)壓、調(diào)節(jié)電壓電流、電路保護等作用。隨著分立器件技術(shù)不斷發(fā)展，集成度更高、耐壓耐流能力更強的分立器件產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)，市場應(yīng)用場景也越來越多，在光伏、儲能、新能源汽車、智能家電、智慧安防、AIoT以及通訊、可穿戴設(shè)備、工控、醫(yī)療等應(yīng)用廣泛應(yīng)用。MOS管作為目前**重要也是應(yīng)用**多的分立器件產(chǎn)品之一，在上述很多產(chǎn)品上有應(yīng)用。 在長時間連續(xù)運行的設(shè)備，如數(shù)據(jù)中心電源模塊、通信基站電源等場景中，低功耗 MO...

商甲半導體的MOS管產(chǎn)品線展現(xiàn)出的綜合優(yōu)勢： 高效：低Rds(on)與低Qg的完美結(jié)合，使得器件在導通損耗和開關(guān)損耗上都達到優(yōu)異水平，提升系統(tǒng)效率，滿足日益嚴苛的能效標準 。運行能力：優(yōu)異的開關(guān)特性使其非常適合于LLC諧振轉(zhuǎn)換器、同步整流、高頻DC-DC變換器等需要數(shù)百kHz甚至MHz級開關(guān)頻率的應(yīng)用場景，助力實現(xiàn)電源小型化、輕量化。 熱性能：低損耗直接轉(zhuǎn)化為更低的溫升，結(jié)合優(yōu)化的封裝熱阻(Rthja)，提升了功率密度和長期運行可靠性。 強大的魯棒性：良好的雪崩耐量(Eas)和抗沖擊能力，確保器件在浪涌、短路等異常情況下具有更高的生存概率。 國產(chǎn)供應(yīng)鏈保障：公...

MOS管選型指南 封裝因素考量 封裝方式影響散熱性能和電流承載能力，選擇需考慮系統(tǒng)散熱條件和環(huán)境溫度。在構(gòu)成開關(guān)電路時，不同尺寸的MOS管封裝會影響其熱阻和耗散功率。因此，必須綜合考慮系統(tǒng)的散熱條件、環(huán)境溫度以及散熱器的形狀和大小限制。基本原則是，在確保功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率不受影響的前提下，選擇參數(shù)和封裝更為通用的功率MOS管。在開關(guān)電路的設(shè)計中，我們常常需要關(guān)注MOS管的封裝方式。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，可以選擇不同類型的封裝。例如，插入式封裝包括TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251和TO-92等；而表面貼裝式封裝則涵蓋TO-263、TO-...

MOS管封裝 TO-3P/247 TO247是一種常見的小外形封裝，屬于表面貼封裝類型，其中的“247”是封裝標準的編號。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內(nèi)部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開關(guān)管使用時，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點包括耐壓高、抗擊穿能力強等，特別適用于中壓大電流場合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值20...