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N型碳化硅襯底材料是支撐電力電子行業(yè)發(fā)展必不可少的重要材料。其耐高壓、耐高頻等突出的物理特性可以廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、電動(dòng)汽車PCU、光伏逆變、軌道交通電力控制系統(tǒng)等領(lǐng)域，起到減小體積簡(jiǎn)化系統(tǒng)，提升功率密度的作用，發(fā)光二極管（LED）是利用半導(dǎo)體中電子與空穴復(fù)合發(fā)光的一種電子元器件，是一種節(jié)能環(huán)保的冷光源。SiC材料具有與GaN晶格失配小、熱導(dǎo)率高、器件尺寸小、抗靜電能力強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)是GaN系外延材料的理想襯底，由于其良好的熱導(dǎo)率，解決了功率型GaN-LED器件的散熱問題，特別適合制備大功率的半導(dǎo)體照明用LED，這樣提高了出光效率，又能有效的降低能耗。哪家碳化硅襯底的是口碑推薦？...

SiC有多種同質(zhì)多型體，不同的同質(zhì)多型體有不同的應(yīng)用范圍。典型的有3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC，它們各有不同的應(yīng)用范圍。其中，3C-SiC是***具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的同質(zhì)多型體，其電子遷移率比較高，再加上有高熱導(dǎo)率和高臨界擊穿電場(chǎng)，非常適合于制造高溫大功率的高速器件；6H-SiC具有寬的帶隙，在高溫電子、光電子和抗輻射電子等方面有使用價(jià)值，使用6H-SiC制造的高頻大功率器件，工作溫度高，功率密度有極大的提升；而4H-SiC具有比6H-SiC更寬的帶隙和較高的電子遷移率，是大功率器件材料的比較好選擇。由于SiC器件在**和民用領(lǐng)域不可替代的地位，世界上很多國(guó)家對(duì)SiC半導(dǎo)體...

經(jīng)過數(shù)十年不懈的努力，目前，全球只有少數(shù)的大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)研發(fā)出了碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)。在產(chǎn)業(yè)化方面，只有以美國(guó)Cree為**的少數(shù)幾家能夠提供碳化硅晶片，國(guó)內(nèi)的碳化硅晶片的需求全賴于進(jìn)口。目前，全球市場(chǎng)上碳化硅晶片價(jià)格昂貴，一片2英寸碳化硅晶片的國(guó)際市場(chǎng)價(jià)格高達(dá)500美元（2006年），但仍供不應(yīng)求，高昂的原材料成本占碳化硅半導(dǎo)體器件價(jià)格的百分之四十以上，碳化硅晶片價(jià)格已成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。因而，采用技術(shù)的碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，降低碳化硅晶片生產(chǎn)成本，將促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，拓展市場(chǎng)需求。碳化硅襯底的發(fā)展趨勢(shì)如何。天津進(jìn)口6寸導(dǎo)電碳化硅襯底由于電...

就SiC單晶生長(zhǎng)來講，美國(guó)Cree公司由于其研究，主宰著全球SiC市場(chǎng)，幾乎85％以上的SiC襯底由Cree公司提供。此外，俄羅斯、日本和歐盟(以瑞典和德國(guó)為首)的一些公司和科研機(jī)構(gòu)也在生產(chǎn)SiC襯底和外延片，并且已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商品化。在過去的幾年中，SiC晶片的質(zhì)量和尺寸穩(wěn)步提高，1998年秋，2英寸直徑的4H-SiC晶片已經(jīng)在投入市場(chǎng)。1999年直徑增大到3英寸，微管(micropipe)密度下降到10／cm2左右，這些進(jìn)展使得超過毫米尺寸的器件制造成為可能。從2005年下半年，微管密度小于l／cm2的3英寸6H和4H-SiC晶片成為商用SiC材料的主流產(chǎn)品。2007年5月23日，Cree公司宣...

到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括富士、英飛凌、利特弗斯、三菱、安半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、Rohm、東芝和Wolfspeed。Wolfspeed是CREE的一部分。電力電子在世界電力基礎(chǔ)設(shè)施中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。該技術(shù)用于工業(yè)（電機(jī)驅(qū)動(dòng)）、交通（汽車、火車）、計(jì)算（電源）和可再生能源（太陽能、風(fēng)能）。電力電子設(shè)備在系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換或轉(zhuǎn)換交流電和直流電（AC和DC）。對(duì)于這些應(yīng)用，行業(yè)使用各種功率半導(dǎo)體。一些半功率晶體管是晶體管，在系統(tǒng)中用作開關(guān)。它們?cè)试S電源在“開啟”狀態(tài)動(dòng)，并在“關(guān)閉”狀態(tài)下停止。哪家碳化硅襯底質(zhì)量比較好一點(diǎn)？進(jìn)口4寸碳化硅襯底外延加工隨著電力電...

功率半成品在成熟節(jié)點(diǎn)上制造。這些設(shè)備旨在提高系統(tǒng)的效率并將能量損失降至比較低。通常，它們的額定值是由電壓和其他規(guī)格決定的，而不是由工藝幾何形狀決定的。多年來，占主導(dǎo)地位的功率半技術(shù)一直（現(xiàn)在仍然）基于硅，即功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。功率MOSFET被認(rèn)為是低價(jià)、當(dāng)下流行的器件，用于適配器、電源和其他產(chǎn)品中。它們用于高達(dá)900伏的應(yīng)用中。在傳統(tǒng)的MOSFET器件中，源極和漏極位于器件的頂部。相比之下，功率MOSFET具有垂直結(jié)構(gòu)，其中源極和漏極位于器件的相對(duì)側(cè)。垂直結(jié)構(gòu)使設(shè)備能夠處理更高的電壓。哪家的碳化硅襯底成本價(jià)比較低？4寸碳化硅襯底led 碳化硅襯備技術(shù)包括...

碳化硅是技術(shù)密集型行業(yè)，對(duì)研發(fā)人員操作經(jīng)驗(yàn)、資金投入有較高要求。國(guó)際巨頭半導(dǎo)體公司研發(fā)早于國(guó)內(nèi)公司數(shù)十年，提前完成了技術(shù)積累工作。因此，國(guó)內(nèi)企業(yè)存在人才匱乏、技術(shù)水平較低的困難，制約了半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程發(fā)展。而在碳化硅第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，行業(yè)整體處于產(chǎn)業(yè)化初期，中國(guó)企業(yè)與海外企業(yè)的差距明顯縮小。受益于中國(guó)5G通訊、新能源等新興產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平、產(chǎn)業(yè)化規(guī)模的地位，國(guó)內(nèi)碳化硅器件巨大的應(yīng)用市場(chǎng)空間驅(qū)動(dòng)上游半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展，國(guó)內(nèi)碳化硅廠商具有自身優(yōu)勢(shì)。在全球半導(dǎo)體材料供應(yīng)不足的背景下，國(guó)際企業(yè)紛紛提出碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃并保持高研發(fā)投入。同時(shí)，國(guó)內(nèi)本土SiC廠家加速碳化硅領(lǐng)域布局，把握發(fā)展機(jī)會(huì)，追...

SiC碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料。相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在：1)耐高壓特性：更低的阻抗、禁帶寬度更寬，能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率；2)耐高頻特性：SiC器件在關(guān)斷過程中不存在電流拖尾現(xiàn)象，能有效提高元件的開關(guān)速度（大約是Si的3-10倍），適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度；3)耐高溫特性：SiC相較硅擁有更高的熱導(dǎo)率，能在更高溫度下工作。蘇州質(zhì)量好的碳化硅襯底的公司...

現(xiàn)在，SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些的半導(dǎo)體器件廠商，如羅姆（ROHM）株式會(huì)社、英飛凌科技公司、Cree、飛兆國(guó)際電子有限公司等都在開發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌科技公司在今年推出了第5代SiC肖特基勢(shì)壘二極管，它結(jié)合了第3代產(chǎn)品的低容性電荷（Qc）特性與第2代產(chǎn)品中的低正向電壓（Vf）特性，使PFC電路達(dá)到高效率水平，擊穿電壓則達(dá)到了650V。飛兆半導(dǎo)體發(fā)布了SiC BJT，實(shí)現(xiàn)了1 200V的耐壓，傳導(dǎo)和開關(guān)損耗相對(duì)于傳統(tǒng)的Si器件降低了30%～50%，從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。碳化硅襯底的使用時(shí)要注意什么？浙江碳化硅襯底進(jìn)口led ...

降低碳化硅襯底的成本的三個(gè)方法：1）做大尺寸：襯底的尺寸越大，邊緣的浪費(fèi)就越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。6英寸襯底面積為4英寸襯底的，相同的晶體制備時(shí)間內(nèi)襯底面積的倍數(shù)提升帶來襯底成本的大幅降低，與此同時(shí)，單片襯底上制備的芯片數(shù)量隨著襯底尺寸增大而增多，單位芯片的成本也即隨之降低。2）提高材料使用效率：由于技術(shù)限制，長(zhǎng)晶時(shí)間很難縮短，而單位時(shí)間內(nèi)長(zhǎng)晶越厚成本越低，因此可以設(shè)法增加晶錠厚度；另一方面，目前的切割工藝很容易造成浪費(fèi)，可以通過激光切割或其他技術(shù)手段減少切割損耗。3）提高良率：以山東天岳為例，碳化硅襯底產(chǎn)品良率逐年提升，綜合良率由30%提升至38%，國(guó)內(nèi)廠商良率情況普遍...

現(xiàn)在，SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些的半導(dǎo)體器件廠商，如羅姆（ROHM）株式會(huì)社、英飛凌科技公司、Cree、飛兆國(guó)際電子有限公司等都在開發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌科技公司在今年推出了第5代SiC肖特基勢(shì)壘二極管，它結(jié)合了第3代產(chǎn)品的低容性電荷（Qc）特性與第2代產(chǎn)品中的低正向電壓（Vf）特性，使PFC電路達(dá)到高效率水平，擊穿電壓則達(dá)到了650V。飛兆半導(dǎo)體發(fā)布了SiC BJT，實(shí)現(xiàn)了1 200V的耐壓，傳導(dǎo)和開關(guān)損耗相對(duì)于傳統(tǒng)的Si器件降低了30%～50%，從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。碳化硅襯底的發(fā)展趨勢(shì)如何。杭州n型碳化硅襯底碳化硅襯底主要有導(dǎo)電型...

經(jīng)過數(shù)十年不懈的努力，目前，全球只有少數(shù)的大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)研發(fā)出了碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)。在產(chǎn)業(yè)化方面，只有以美國(guó)Cree為**的少數(shù)幾家能夠提供碳化硅晶片，國(guó)內(nèi)的碳化硅晶片的需求全賴于進(jìn)口。目前，全球市場(chǎng)上碳化硅晶片價(jià)格昂貴，一片2英寸碳化硅晶片的國(guó)際市場(chǎng)價(jià)格高達(dá)500美元（2006年），但仍供不應(yīng)求，高昂的原材料成本占碳化硅半導(dǎo)體器件價(jià)格的百分之四十以上，碳化硅晶片價(jià)格已成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。因而，采用技術(shù)的碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，降低碳化硅晶片生產(chǎn)成本，將促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，拓展市場(chǎng)需求。蘇州質(zhì)量好的碳化硅襯底的公司聯(lián)系方式。北京碳化硅襯底半絕緣...

從 80 年代末起，SiC 材料與器件的飛速發(fā)展。由于 SiC 材料種類很多，性質(zhì)各異，它的應(yīng)用范圍十分***。 在大功率器件方面，利用 SiC 材料可以制作的器件，其電流特性、電壓特性、和高頻特性等具有比 Si材料更好的性質(zhì)。 在高頻器件方面，SiC 高頻器件輸出功率更高，且耐高溫和耐輻射輻射特性更好，可用于通信電子系統(tǒng)等。 在光電器件方面，利用 SiC 不影響紅外輻射的性質(zhì)，可將其用在紫外探測(cè)器上，在 350℃的溫度檢測(cè)紅外背景下的紫外信號(hào)，功率利用率 80%左右。 在耐輻射方面，一些 SiC 器件輻射環(huán)境惡劣的條件下使用如核反應(yīng)堆中應(yīng)用。 高溫應(yīng)用方面，利用 SiC 材料制備的器...

設(shè)備制造商之間的一場(chǎng)大戰(zhàn)正在牽引逆變器領(lǐng)域展開，尤其是純電池電動(dòng)汽車。一般來說，混合動(dòng)力車正朝著48伏電池的方向發(fā)展。對(duì)于動(dòng)力發(fā)明家來說，SiC對(duì)于混合動(dòng)力車來說通常太貴了，盡管有例外。與混合動(dòng)力一樣，純電池電動(dòng)汽車由牽引逆變器組成。高壓母線將逆變器連接到蓄電池和電機(jī)。電池為汽車提供能量。驅(qū)動(dòng)車輛的電機(jī)有三個(gè)接頭或電線。這三個(gè)連接延伸至牽引逆變器，然后連接至逆變器模塊內(nèi)的六個(gè)開關(guān)。每個(gè)開關(guān)實(shí)際上都是一個(gè)功率半導(dǎo)體，在系統(tǒng)中用作電開關(guān)。對(duì)于開關(guān)，現(xiàn)有的技術(shù)是IGBT。因此，牽引逆變器可能由六個(gè)額定電壓為1200伏的IGBT組成。哪家碳化硅襯底的質(zhì)量比較高？上海碳化硅襯底4寸導(dǎo)電SiC產(chǎn)業(yè)鏈包括上...

在逆變器中，有六個(gè)IGBT，每個(gè)IGBT都有一個(gè)單獨(dú)的硅基二極管。使用二極管有幾個(gè)原因?！盧ohm的VanOchten說：“IGBT不喜歡極性接通或跨接電壓?！币虼耍枰诿總€(gè)IGBT上添加一個(gè)二極管，以防止在關(guān)閉開關(guān)時(shí)損壞它?！碧岣呦到y(tǒng)效率的一種方法是更換硅二極管。”提高牽引逆變器效率的第一步是將IGBT留在其中。但是，你用碳化硅二極管代替普通的硅二極管，”他說碳化硅二極管具有更好的性能。這將使您的效率提高幾個(gè)百分點(diǎn)?！笨梢钥隙ǖ氖?，碳化硅正在升溫，電動(dòng)汽車也在升溫。如果供應(yīng)商能夠降低成本，SiCpower半成品似乎處于主導(dǎo)地位。好消息是4英寸和6英寸尺寸的SiC基板和晶圓的生產(chǎn)能力迅速擴(kuò)大...

SiC有多種同質(zhì)多型體，不同的同質(zhì)多型體有不同的應(yīng)用范圍。典型的有3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC，它們各有不同的應(yīng)用范圍。其中，3C-SiC是***具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的同質(zhì)多型體，其電子遷移率比較高，再加上有高熱導(dǎo)率和高臨界擊穿電場(chǎng)，非常適合于制造高溫大功率的高速器件；6H-SiC具有寬的帶隙，在高溫電子、光電子和抗輻射電子等方面有使用價(jià)值，使用6H-SiC制造的高頻大功率器件，工作溫度高，功率密度有極大的提升；而4H-SiC具有比6H-SiC更寬的帶隙和較高的電子遷移率，是大功率器件材料的比較好選擇。由于SiC器件在**和民用領(lǐng)域不可替代的地位，世界上很多國(guó)家對(duì)SiC半導(dǎo)體...

功率半導(dǎo)體多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為節(jié)能***受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。將Si換成GaN或SiC等化合物半導(dǎo)體，可大幅提高產(chǎn)品效率并縮小尺寸，這是Si功率半導(dǎo)體元件（以下簡(jiǎn)稱功率元件）無法實(shí)現(xiàn)的。目前，很多領(lǐng)域都將Si二極管、MOSFET及IGBT（絕緣柵雙極晶體管）等晶體管用作功率元件，比如供電系統(tǒng)、電力機(jī)車、混合動(dòng)力汽車、工廠內(nèi)的生產(chǎn)設(shè)備、光伏發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器、空調(diào)等白色家電、服務(wù)器及個(gè)人電腦等。...

現(xiàn)在，SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些的半導(dǎo)體器件廠商，如羅姆（ROHM）株式會(huì)社、英飛凌科技公司、Cree、飛兆國(guó)際電子有限公司等都在開發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌科技公司在今年推出了第5代SiC肖特基勢(shì)壘二極管，它結(jié)合了第3代產(chǎn)品的低容性電荷（Qc）特性與第2代產(chǎn)品中的低正向電壓（Vf）特性，使PFC電路達(dá)到高效率水平，擊穿電壓則達(dá)到了650V。飛兆半導(dǎo)體發(fā)布了SiC BJT，實(shí)現(xiàn)了1 200V的耐壓，傳導(dǎo)和開關(guān)損耗相對(duì)于傳統(tǒng)的Si器件降低了30%～50%，從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。使用 碳化硅襯底的需要什么條件。遼寧碳化硅襯底進(jìn)口4寸led ...

由于電動(dòng)汽車（EV）和其他系統(tǒng)的快速增長(zhǎng)，對(duì)碳化硅（SiC）襯底和功率半導(dǎo)體的需求正在激增。由于需求量大，市場(chǎng)上SiC基板、晶圓和SiC基器件供應(yīng)緊張，促使一些供應(yīng)商在晶圓尺寸轉(zhuǎn)換過程中增加晶圓廠產(chǎn)能。一些SiC器件制造商正在晶圓廠從4英寸晶圓過渡到6英寸晶圓。SiC（碳化硅功率器件）是一種基于硅和碳的化合物半導(dǎo)體材料。在生產(chǎn)流程中，專門的碳化硅襯底和晶圓被開發(fā)，然后在晶圓廠中進(jìn)行加工，從而形成基于碳化硅的功率半導(dǎo)體。許多基于SiC的電源半成品和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)都是晶體管，可以在高壓下切換設(shè)備中的電流。它們被用于電力電子領(lǐng)域，在電力電子領(lǐng)域中，設(shè)備轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)中的電力。哪家公司的碳化硅襯底的品...

SiC材料具有良好的電學(xué)特性和力學(xué)特性，是一種非常理想的可適應(yīng)諸多惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體材料。它禁帶寬度較大，具有熱傳導(dǎo)率高、耐高溫、抗腐蝕、化學(xué)穩(wěn)定性高等特點(diǎn)，以其作為器件結(jié)構(gòu)材料，可以得到耐高溫、耐高壓和抗腐蝕的SiC-MEMS器件，具有廣闊的市場(chǎng)和應(yīng)用前景。同時(shí)SiC陶瓷具有高溫強(qiáng)度大、抗氧化性強(qiáng)、耐磨損性好、熱穩(wěn)定性佳、熱膨脹系數(shù)小、熱導(dǎo)率大、硬度高以及抗熱震和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)良特性。因此，是當(dāng)前有前途的結(jié)構(gòu)陶瓷之一，并且已在許多高技術(shù)領(lǐng)域(如空間技術(shù)、核物理等)及基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)(如石油化工、機(jī)械、車輛、造船等)得到應(yīng)用，用作精密軸承、密封件、氣輪機(jī)轉(zhuǎn)子、噴嘴、熱交換器部件及原子核反應(yīng)堆...

N型碳化硅襯底材料是支撐電力電子行業(yè)發(fā)展必不可少的重要材料。其耐高壓、耐高頻等突出的物理特性可以廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、電動(dòng)汽車PCU、光伏逆變、軌道交通電力控制系統(tǒng)等領(lǐng)域，起到減小體積簡(jiǎn)化系統(tǒng)，提升功率密度的作用，發(fā)光二極管（LED）是利用半導(dǎo)體中電子與空穴復(fù)合發(fā)光的一種電子元器件，是一種節(jié)能環(huán)保的冷光源。SiC材料具有與GaN晶格失配小、熱導(dǎo)率高、器件尺寸小、抗靜電能力強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)是GaN系外延材料的理想襯底，由于其良好的熱導(dǎo)率，解決了功率型GaN-LED器件的散熱問題，特別適合制備大功率的半導(dǎo)體照明用LED，這樣提高了出光效率，又能有效的降低能耗。哪家碳化硅襯底的的性價(jià)比好?...

SiC電子器件是微電子器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。SiC材料的擊穿電場(chǎng)有4MV/cm，很適合于制造高壓功率器件的有源層。而由于SiC襯底存在缺點(diǎn)等原因，將它直接用于器件制造時(shí)，性能不好。SiC襯底經(jīng)過外延之后，其表面缺點(diǎn)減少，晶格排列整齊，表面形貌良好，比襯底大為改觀，此時(shí)將其用于制造器件可以提高器件的性能。為了提高擊穿電壓，厚的外延層、好的表面形貌和較低的摻雜濃度是必需的。一些高壓雙極性器件，需外延膜的厚度超過50μm,摻雜濃度小于2×1015cm-3,載流子壽命大過1us。對(duì)于高反壓大功率器件，需要要在4H-SiC襯底上外延一層很厚的、低摻雜濃度的外延層。為了制作10KW的大功率器...

碳化硅襯底主要有導(dǎo)電型及半絕緣型兩種。其中，在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進(jìn)一步制成碳化硅功率器件，應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成微波射頻器件，應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。中國(guó)碳化硅襯底領(lǐng)域的研究從20世紀(jì)90年代末開始，在行業(yè)發(fā)展初期受到技術(shù)水平、設(shè)備規(guī)模產(chǎn)能的限制，未能進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)。21世紀(jì)，中國(guó)企業(yè)歷經(jīng)20年的研發(fā)與摸索，已經(jīng)掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)加工技術(shù)。哪家的碳化硅襯底比較好用點(diǎn)？河北碳化硅襯底進(jìn)口6寸半絕緣SiC碳化硅是制作高溫、高...

隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā)，了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求，國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，我們首先來探討一下碳化硅襯底的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。碳化硅分為立方相（閃鋅礦結(jié)構(gòu)）、六方相（纖鋅礦結(jié)構(gòu)）和菱方相3大類共 260多種結(jié)構(gòu)，目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商業(yè)價(jià)值。另碳化硅根據(jù)電學(xué)性能的不同主要可分為高電阻（電阻率 ≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底和低電阻（電阻率區(qū)間為 15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底，滿足不同功能芯片需求哪家公司的碳化硅襯底的口碑比較好？進(jìn)口碳化硅襯底外延加工...

為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯備技術(shù)的重要發(fā)展方向。襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低。襯底的尺寸越大，邊緣的浪費(fèi)就越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。在半絕緣型碳化硅市場(chǎng)，目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為4英寸。在導(dǎo)電型碳化硅市場(chǎng)，目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為6英寸。在8英寸方面，與硅材料芯片相比，8英寸和6英寸SiC生產(chǎn)的主要差別在高溫工藝上，例如高溫離子注入，高溫氧化，高溫等，以及這些高溫工藝所需求的硬掩模工藝等。根據(jù)中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)2020～2025年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的需求，4英寸逐步從10萬片市場(chǎng)減少到5萬片，6英寸晶圓將從8萬片增長(zhǎng)到2...

相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅減小至原來的1/10，導(dǎo)通電阻可至少降低至原來的1/100。相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET較硅基IGBT的總能量損耗可降低70%。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，將極大提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉(zhuǎn)換效率，未來將主要應(yīng)用領(lǐng)域有電動(dòng)汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。市場(chǎng)空間：據(jù) Yole 統(tǒng)計(jì)，2020 年 SiC 碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模約 7.1 億美元，預(yù)計(jì) 2026 年將增長(zhǎng)至 45 億美元，2020-2026 年 CAGR 近 36%。其中，新能源汽車是 SiC 功率器件下...

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片，制作芯片的材料按照歷史進(jìn)程分為：代半導(dǎo)體材料（大部分為目前使用的高純度硅），第二代化合物半導(dǎo)體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導(dǎo)體材料（碳化硅、氮化鎵）。碳化硅因其優(yōu)越的物理性能：高禁帶寬度（對(duì)應(yīng)高擊穿電場(chǎng)和高功率密度）、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率，將是未來被使用的制作半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料。從產(chǎn)業(yè)格局看，目前全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國(guó)、歐洲、日本三足鼎立態(tài)勢(shì)。其中美國(guó)全球獨(dú)大，占有全球SiC產(chǎn)量的70%~80%，碳化硅晶圓市場(chǎng)CREE一家市占率高達(dá)6成之多；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，在全球電力...

降低碳化硅襯底的成本的三個(gè)方法：1）做大尺寸：襯底的尺寸越大，邊緣的浪費(fèi)就越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。6英寸襯底面積為4英寸襯底的，相同的晶體制備時(shí)間內(nèi)襯底面積的倍數(shù)提升帶來襯底成本的大幅降低，與此同時(shí)，單片襯底上制備的芯片數(shù)量隨著襯底尺寸增大而增多，單位芯片的成本也即隨之降低。2）提高材料使用效率：由于技術(shù)限制，長(zhǎng)晶時(shí)間很難縮短，而單位時(shí)間內(nèi)長(zhǎng)晶越厚成本越低，因此可以設(shè)法增加晶錠厚度；另一方面，目前的切割工藝很容易造成浪費(fèi)，可以通過激光切割或其他技術(shù)手段減少切割損耗。3）提高良率：以山東天岳為例，碳化硅襯底產(chǎn)品良率逐年提升，綜合良率由30%提升至38%，國(guó)內(nèi)廠商良率情況普遍...

下游市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，碳化硅襯底市場(chǎng)迎來黃金成長(zhǎng)期導(dǎo)電型碳化硅襯底方面，受益于新能源汽車逆變器的巨大需求，將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，根據(jù)中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2020-2025年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的需求，4英寸逐步從10萬片市場(chǎng)減少到5萬片，6英寸晶圓將從8萬片增長(zhǎng)到20萬片；2025~2030年：4英寸晶圓將逐漸退出市場(chǎng)，6英寸晶圓將增長(zhǎng)至40萬片。半絕緣型碳化硅襯底方面，受下游5G基站強(qiáng)勁需求驅(qū)動(dòng)，碳化硅基氮化鎵高頻射頻器件將逐步加強(qiáng)市場(chǎng)滲透，市場(chǎng)空間廣闊，預(yù)計(jì)2020-2025年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的需求，4英寸逐步從5萬片市場(chǎng)減少到2萬片，6英寸晶圓將從5萬片增長(zhǎng)到10萬片；2...

設(shè)備制造商之間的一場(chǎng)大戰(zhàn)正在牽引逆變器領(lǐng)域展開，尤其是純電池電動(dòng)汽車。一般來說，混合動(dòng)力車正朝著48伏電池的方向發(fā)展。對(duì)于動(dòng)力發(fā)明家來說，SiC對(duì)于混合動(dòng)力車來說通常太貴了，盡管有例外。與混合動(dòng)力一樣，純電池電動(dòng)汽車由牽引逆變器組成。高壓母線將逆變器連接到蓄電池和電機(jī)。電池為汽車提供能量。驅(qū)動(dòng)車輛的電機(jī)有三個(gè)接頭或電線。這三個(gè)連接延伸至牽引逆變器，然后連接至逆變器模塊內(nèi)的六個(gè)開關(guān)。每個(gè)開關(guān)實(shí)際上都是一個(gè)功率半導(dǎo)體，在系統(tǒng)中用作電開關(guān)。對(duì)于開關(guān)，現(xiàn)有的技術(shù)是IGBT。因此，牽引逆變器可能由六個(gè)額定電壓為1200伏的IGBT組成。碳化硅襯底公司的聯(lián)系方式。成都6寸sic碳化硅襯底 SiC...