磁控濺射鍍膜中出現(xiàn)膜層不良的表現(xiàn)有哪些，如何改善？ 1.脫膜主要表現(xiàn)：點(diǎn)狀/片狀膜層脫落 原因分析：雜質(zhì)附著，清洗殘留，真空室臟，臟污、油斑、灰點(diǎn)、口水點(diǎn)， 膜層局部附著不良等。 改善：加強(qiáng)清洗，加強(qiáng)烘烤，環(huán)境管控（清潔干燥），對于多層膜系，底層須與基材匹配（吸附力、硬度、熱膨脹）。 2.裂紋/暴膜主要表現(xiàn)： 網(wǎng)狀裂痕/龜裂/起泡脫膜，出爐外觀OK，放置一段時(shí)間后爆裂/起泡脫膜。 原因分析：鍍膜過程基材加熱不充分，成膜后及出爐后降溫過快，膜層應(yīng)力累積， 膜層與基材不匹配，多層膜之間參數(shù)不匹配。 改善： 基材充分預(yù)熱加熱；增加離子輔助，減小應(yīng)力；鍍膜緩慢降溫；底層須與基材匹配；多層膜之間參數(shù)不突變。 3，色差主要表現(xiàn)：同爐產(chǎn)品顏色不一致 原因分析及改善：靶材分布；布?xì)?；磁場；遮擋。不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。成都錳鎳酸鋰靶
玫瑰金靶材有哪些？ PVD玫瑰金是靠濺射玫瑰金靶形成的，不同的玫瑰金靶配方顏色上有一些區(qū)別，大概分為以下幾種： 1、皇冠金（crown gold），黃金含量在22K(91.667％)，由英國亨利八世(1526年)將此比例的黃金用于金幣的鑄造 2、常見的也是典型的18K玫瑰金，黃金含量也在18K(75％)，但其它另含有約4％的銀和21％的銅，呈現(xiàn)美麗的淡粉玫瑰色 3、14K紅金，黃金含量在14K(58.33％)，其它添加金屬為銅(41.67％)。 有的PVD鍍膜廠玫瑰金靶也有添加一些其它的稀有元素，用來達(dá)到不同的色調(diào)或用來改變鍍層的性能，這也是市面上每一家PVD廠鍍出的色調(diào)都有一些差異的原因之一。成都錳鎳酸鋰靶請注意一定要仔細(xì)檢查和明確所使用濺射冷卻壁的平整度，同時(shí)確保O型密封圈始終在位置上。
電致變色的工作原理： 電致變色材料在外加電場作用下發(fā)生電化學(xué)氧化還原反應(yīng)，得失電子，使材料的顏色發(fā)生變化電致變色器件的典型結(jié)構(gòu)器件結(jié)構(gòu)從上到下分別為：玻璃或透明基底材料、透明導(dǎo)電層（如：ITO）、電致變色層、電解質(zhì)層、離子存儲(chǔ)層、透明導(dǎo)電層（如：ITO）、玻璃或透明基底材料。器件工作時(shí)，在兩個(gè)透明導(dǎo)電層之間加上一定的電壓，電致變色層材料在電壓作用下發(fā)生氧化還原反應(yīng)，顏色發(fā)生變化；而電解質(zhì)層則由特殊的導(dǎo)電材料組成，如包含有高氯酸鋰、高氯酸納等的溶液或固體電解質(zhì)材料；離子存儲(chǔ)層在電致變色材料發(fā)生氧化還原反應(yīng)時(shí)起到儲(chǔ)存相應(yīng)的反離子，保持整個(gè)體系電荷平衡的作用，離子存儲(chǔ)層也可以為一種與前面一層電致變色材料變色性能相反的電致變色材料，這樣可以起到顏色疊加或互補(bǔ)的作用。如：電致變色層材料采用的是陽極氧化變色材料，則離子存儲(chǔ)層可采用陰極還原變色材料。
氣體壓強(qiáng)對靶濺射電壓的影響 在磁控濺射或反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，工作氣體或反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對磁控靶濺射電壓能夠造成一定的影響。 1.工作氣體壓強(qiáng)對靶濺射電壓的影響 一般的規(guī)律是：在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時(shí)，隨著工作氣體(如氬氣)壓強(qiáng)(0.1~10Pa)的逐步增加，氣體放電等離子體的密度也會(huì)同步增加，致使等離子體等效阻抗減小，磁控靶的濺射電流會(huì)逐步上升，濺射工作電壓亦會(huì)同步下降。 2. 反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對靶濺射電壓的影響 在反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時(shí)，隨著反應(yīng)氣體(如氮?dú)?、氧?壓強(qiáng)(或流量)的逐步增加(一般應(yīng)注意不要超過工藝設(shè)定值的上限值)，隨著磁控靶面和基片(工件)表面逐步被絕緣膜層覆蓋，陰-陽極間放電的等效阻抗也會(huì)同步增高，磁控靶的濺射電流會(huì)逐步下降(直至“陰極中毒”和“陽極消失”為止)，濺射工作電壓亦會(huì)同步上升。陽極消失：靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽極的電子無法進(jìn)入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。
磁控靶材面積與承載功率范圍 1、靶材面積與承載功率范圍 (1) 圓形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~25瓦/cm2。 (2)矩形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~36瓦/cm2。 (3)柱狀磁控靶、錐形平面磁控靶功率密度范圍一般為40~50瓦/cm2。 2、磁控靶實(shí)際承載功率 磁控靶的實(shí)際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質(zhì)量要求等因數(shù)有關(guān)外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關(guān)。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種。 考慮到濺射靶長期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質(zhì)的散熱系數(shù)的不同，磁控靶的使用時(shí)的承載功率，直接水冷卻靶實(shí)際的承載大功率可按略小于功率密度范圍的上限選取;間接水冷卻靶的實(shí)際承載大功率可按功率密度范圍上限值的二分之一左右選取。 磁控靶材(主要是Cu，Ag，黃銅(Brass)和Al青銅(Al bronze) “自濺射”時(shí)，一般是選用經(jīng)過專門設(shè)計(jì)“靶材直接水冷卻”的磁控濺射靶。其使用時(shí)的承載功率，均需大于靶功率密度范圍的上限值(即>100W/cm2以上)。七．濺射靶材的制備方法有哪些？成都錳鎳酸鋰靶
濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。成都錳鎳酸鋰靶
PECVD制備氫化非晶硅薄膜本實(shí)驗(yàn)采用單晶硅片為襯底，按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干，然后置于PECVD系統(tǒng)中。樣品制備條件為襯底溫度250℃，工作氣壓120Pa，射頻功率100W，氣體流量SiH4/H2=15/5sccm，沉積時(shí)間30min，制備得到a-Si：H薄膜樣品。(1)非晶硅薄膜的表面粗糙度會(huì)隨著濺射功率的增大而增大，膜的均勻性將會(huì)變差;(2)非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小，非晶硅薄膜均勻性變好;(3)在0.5Pa至2.0Pa范圍內(nèi)，隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大;(4)隨著濺射時(shí)間的增加,膜的厚度成非線性增加，沉積速率開始較快，之后逐漸減慢，膜的表面粗糙度逐漸變大;(5)隨著濺射氣壓的增大，沉積速率有所降低。成都錳鎳酸鋰靶
江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進(jìn)技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時(shí)也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗(yàn)用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機(jī)加工設(shè)備七臺，檢驗(yàn)設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好。”的發(fā)展理念。