PoP(Package-on-Package)，是用于將邏輯器件和存儲器器件進行疊層封裝的技術。通常情況下底層多為邏輯器件，例如移動電話基帶（調制解調器）處理器或應用處理器，上層為存儲器，例如閃存或者疊層內存芯片。顯然，這種垂直組合封裝的一個優(yōu)點是節(jié)省了電路板空間。適用于需要在更小空間內實現更多功能的應用，例如數碼相機、PDA、MP3 播放器和移動游戲設備等。POP的工藝流程，PoP的組裝方式目前有兩種。一種是預制PoP工序，即先將PoP的多層封裝堆疊到一起，焊接成一個元器件，再貼裝到PCB上，然后再進行一次回流焊。一種是在板PoP工序上，依次將底部的BGA和頂部BGA封裝在PCB上，然后過一次回流焊。由于SiP電子產品向高密度集成、功能多樣化、小尺寸等方向發(fā)展，傳統(tǒng)的失效分析方法已不能完全適應。福建芯片封裝供應
近年來，半導體公司面臨更復雜的高集成度芯片封裝的挑戰(zhàn)，消費者希望他們的電子產品體積更小，性能參數更高，功耗更低，并將更多功能集成到單部設備中。半導體封裝工藝的提升，對于解決這些挑戰(zhàn)具有重要意義。當前和未來的芯片封裝工藝，對于提高系統(tǒng)性能，增加使用功能，降低系統(tǒng)功耗、縮小外形尺寸的要求，需要一種被稱為系統(tǒng)集成的先進封裝方法。模塊劃分是指從電子設備中分離出一塊功能，既便于后續(xù)的整機集成又便于SiP封裝。SiP工藝技術難點：清洗，定制清洗設備、清洗溶液要求、清洗參數驗證、清洗標準制定；植球，植球設備選擇、植球球徑大小、球體共面性檢查、BGA測試、助焊劑殘留要求等；基板，陶瓷基板的設計及驗證難度高，工藝難度高，加工成本高；有機基板的導熱性差，容易導致IC焊接處電氣鏈接失效。北京芯片封裝型式封裝基板的分類有很多種，目前業(yè)界比較認可的是從增強材料和結構兩方面進行分類。
2.5D SIP，2.5D本身是一種在客觀世界并不存在的維度，因為其集成密度超越了2D，但又達不到3D集成密度，取其折中，因此被稱為2.5D。其中的表示技術包括英特爾的EMIB、臺積電的CoWos、三星的I-Cube。在先進封裝領域，2.5D是特指采用了中介層（interposer）的集成方式，中介層目前多采用硅材料，利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。物理結構：所有芯片和無源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和無源器件安裝在中介層上，在XY平面的上方有中介層的布線和過孔，在XY平面的下方有基板的布線和過孔。電氣連接：中介層可提供位于中介層上芯片的電氣連接。雖然理論上講，中介層可以有TSV也可以沒有TSV，但在進行高密度互連時，TSV幾乎是不可或缺的，中介層中的TSV通常被稱為2.5D TSV。
無須引線框架的BGA：1、定義，LSI芯片四周引出來的像蜈蚣腳一樣的端子為引線框架，而BGA（Ball Grid Array）無須這種引線框架。2、意義：① 隨著LSI向高集成度、高性能不斷邁進，引腳數量不斷增加（如DIP與QFP等引線框架類型的封裝，較大引腳數、引腳間距、切筋使用的刀片厚度與精度均達到極限）；② 引線框架的引腳越小，彎曲問題就越嚴重，會嚴重妨礙后續(xù)線路板的安裝，因此需要尋求不需要引線端子的封裝，即BGA類型的封裝（需在封裝樹脂底板上植球（焊錫球），以及分割封裝的工序）。SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動組件SMT及塑封技術。
3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區(qū)別在于：2.5D封裝是在Interposer上進行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結構：所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合，XY平面之上設有貫穿芯片的TSV，XY平面之下設有基板布線及過孔。電氣連接：芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊，將若干同類型芯片豎直疊放，并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成，見下圖。類似的芯片集成多用于存儲器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。隨著SiP模塊成本的降低，且制造工藝效率和成熟度的提高。北京芯片封裝型式
SiP系統(tǒng)級封裝為設備提供了更高的性能和更低的能耗，使電子產品在緊湊設計的同時仍能實現突出的功能。福建芯片封裝供應
無引線縫合（Wireless Bonding）：1、定義，不使用金線連接芯片電極和封裝基板的方法。2、分類；3、TAB，① 工藝流程，使用熱棒工具，將劃片后的芯片Al焊盤（通過電鍍工藝形成Au凸點）與TAB引腳（在聚酰亞胺膠帶開頭處放置的Cu引腳上鍍金而成）進行熱黏合，使其鍵合到一起。② 特色，TAB引線有規(guī)則地排列在聚酰亞胺帶上，以卷軸的形式存放。4、FCB，FCB工藝流程：① 在芯片電極上形成金球凸點；② 將芯片翻轉朝下，與高性能LSI專門使用的多層布線封裝基板的電極對齊，然后加熱連接；③ 注入樹脂以填滿芯片與封裝基板之間的間隙（底部填充）；④ 在芯片背面貼上散熱片，在封裝基板外部引腳掛上錫球。福建芯片封裝供應