在電子領(lǐng)域,所有器件都會(huì)在不同程度上產(chǎn)生熱量。器件散發(fā)一定熱量屬于正?,F(xiàn)象,但某些類型的缺陷會(huì)增加功耗,進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)熱量上升。
在失效分析中,這種額外的熱量能夠?yàn)槎ㄎ蝗毕荼旧硖峁┯杏镁€索。熱紅外顯微鏡可以借助內(nèi)置攝像系統(tǒng)來(lái)測(cè)量可見(jiàn)光或近紅外光的實(shí)用技術(shù)。該相機(jī)對(duì)波長(zhǎng)在3至10微米范圍內(nèi)的光子十分敏感,而這些波長(zhǎng)與熱量相對(duì)應(yīng),因此相機(jī)獲取的圖像可轉(zhuǎn)化為被測(cè)器件的熱分布圖。通常,會(huì)先對(duì)斷電狀態(tài)下的樣品器件進(jìn)行熱成像,以此建立基準(zhǔn)線;隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現(xiàn)了器件的功耗情況,可用于隔離失效問(wèn)題。許多不同的缺陷在通電時(shí)會(huì)因消耗額外電流而產(chǎn)生過(guò)多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護(hù)二極管等,通過(guò)熱紅外顯微鏡觀察時(shí)會(huì)顯現(xiàn)出來(lái),從而使我們能夠精細(xì)定位存在缺陷的損壞部位。 熱紅外顯微鏡突破傳統(tǒng)限制,以超分辨率清晰呈現(xiàn)芯片內(nèi)部熱分布細(xì)節(jié) 。國(guó)產(chǎn)熱紅外顯微鏡分析
紅外顯微鏡(非熱紅外)與熱紅外顯微鏡應(yīng)用領(lǐng)域各有側(cè)重。前者側(cè)重成分分析,在材料科學(xué)中用于檢測(cè)復(fù)合材料界面成分、涂層均勻性及表面污染物;生物醫(yī)藥領(lǐng)域可識(shí)別生物組織中蛋白質(zhì)等分子分布,輔助診斷;地質(zhì)學(xué)和考古學(xué)中能鑒定礦物組成與文物顏料成分;食品農(nóng)業(yè)領(lǐng)域則用于檢測(cè)添加劑、農(nóng)藥殘留及農(nóng)作物成分。熱紅外顯微鏡聚焦溫度與熱特性研究,電子半導(dǎo)體領(lǐng)域可定位芯片熱點(diǎn)、評(píng)估散熱性能;材料研究中測(cè)試熱分布均勻性與熱擴(kuò)散系數(shù);生物醫(yī)藥領(lǐng)域監(jiān)測(cè)細(xì)胞代謝熱分布及組織熱傳導(dǎo);工業(yè)質(zhì)檢能檢測(cè)機(jī)械零件隱形缺陷,評(píng)估電池充放電溫度變化。二者應(yīng)用有交叉,但分別為成分分析與熱特性研究。紅外光譜熱紅外顯微鏡規(guī)格尺寸熱紅外顯微鏡利用鎖相技術(shù),有效提升熱成像的清晰度與準(zhǔn)確性 。
非破壞性分析(NDA)以非侵入方式分析樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)和性能,無(wú)需切割、拆解或化學(xué)處理,能保留樣品完整性,為后續(xù)研究留有余地,在高精度、高成本的半導(dǎo)體領(lǐng)域作用突出。
無(wú)損分析,通過(guò)捕捉樣品自身紅外熱輻射成像,全程無(wú)接觸,無(wú)需對(duì)晶圓、芯片等進(jìn)行破壞性處理。在半導(dǎo)體制造中,可識(shí)別晶圓晶體缺陷;封裝階段,能檢測(cè)焊接點(diǎn)完整性或封裝層粘結(jié)質(zhì)量;失效分析時(shí),可定位內(nèi)部短路或斷裂區(qū)域的隱性熱信號(hào),為根源分析提供依據(jù),完美適配半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)高價(jià)值樣品的保護(hù)需求。
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢(shì)一:
熱紅外顯微鏡(Thermal emmi )能夠檢測(cè)到極其微弱的熱輻射和光發(fā)射信號(hào),其靈敏度通??梢赃_(dá)到微瓦甚至納瓦級(jí)別。同時(shí),它還具有高分辨率的特點(diǎn),能夠分辨出微小的熱點(diǎn)區(qū)域,分辨率可以達(dá)到微米甚至納米級(jí)別。具備極高的探測(cè)靈敏度,能夠捕捉微瓦級(jí)甚至納瓦級(jí)的熱輻射與光發(fā)射信號(hào),適用于識(shí)別早期故障及微小異常。同時(shí),該技術(shù)具有優(yōu)異的空間分辨能力,能夠準(zhǔn)確定位尺寸微小的熱點(diǎn)區(qū)域,其分辨率可達(dá)微米級(jí),部分系統(tǒng)也已經(jīng)可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)識(shí)別。通過(guò)結(jié)合熱圖像與光發(fā)射信號(hào)分析,熱紅外顯微鏡為工程師提供了精細(xì)、直觀的診斷工具,大幅提升了故障排查與性能評(píng)估的效率和準(zhǔn)確性。 快速鎖定 PCB 板上因線路搭接、元件損壞導(dǎo)致的熱點(diǎn),尤其是隱藏在多層板內(nèi)部的短路點(diǎn)。
現(xiàn)市場(chǎng)呈現(xiàn) “國(guó)產(chǎn)崛起與進(jìn)口分野” 的競(jìng)爭(zhēng)格局。進(jìn)口品牌憑借早期技術(shù)積累,在市場(chǎng)仍占一定優(yōu)勢(shì),國(guó)產(chǎn)廠商則依托本土化優(yōu)勢(shì)快速突圍,通過(guò)優(yōu)化供應(yīng)鏈、降低生產(chǎn)成本,在中低端市場(chǎng)形成強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力,尤其在工業(yè)質(zhì)檢、電路板失效分析等場(chǎng)景中,憑借高性價(jià)比和快速響應(yīng)的服務(wù)搶占份額。同時(shí),國(guó)內(nèi)企業(yè)持續(xù)加大研發(fā)投入,在探測(cè)器靈敏度、成像分辨率等指標(biāo)上不斷追趕,部分中端產(chǎn)品可以做到超越國(guó)際水平,且在定制化解決方案上更貼合本土客戶需求,如針對(duì)大尺寸主板檢測(cè)優(yōu)化的機(jī)型。隨著國(guó)產(chǎn)技術(shù)成熟度提升,與進(jìn)口品牌的競(jìng)爭(zhēng)邊界不斷模糊,推動(dòng)整體市場(chǎng)向多元化、高性價(jià)比方向發(fā)展。分析倒裝芯片(Flip Chip)、3D 封裝(TSV)的層間熱傳導(dǎo)異常,排查焊球陣列、TSV 通孔的熱界面失效。制造熱紅外顯微鏡貨源充足
熱紅外顯微鏡在 SiC/GaN 功率器件檢測(cè)中,量化評(píng)估襯底界面熱阻分布。國(guó)產(chǎn)熱紅外顯微鏡分析
RTTLIT P10 熱紅外顯微鏡在光學(xué)配置上的靈活性,可通過(guò)多種可選物鏡得以充分體現(xiàn),為不同尺度、不同場(chǎng)景的熱分析需求提供精細(xì)適配。
Micro 廣角鏡頭擅長(zhǎng)捕捉大視野范圍的整體熱分布,適合快速定位樣品宏觀熱異常區(qū)域,如整片晶圓的整體散熱趨勢(shì)觀測(cè);0.2X 鏡頭在保持一定視野的同時(shí)提升細(xì)節(jié)捕捉能力,可用于中等尺寸器件(如傳感器模組)的熱行為分析,平衡效率與精度;0.4X 鏡頭進(jìn)一步聚焦局部,能清晰呈現(xiàn)芯片封裝級(jí)的熱分布特征,助力排查封裝缺陷導(dǎo)致的散熱不均問(wèn)題;1X 與 3X 鏡頭則聚焦微觀尺度,1X 鏡頭可解析芯片內(nèi)部功能模塊的熱交互,3X 鏡頭更是能深入到微米級(jí)結(jié)構(gòu)(如晶體管陣列、引線鍵合點(diǎn)),捕捉納米級(jí)熱點(diǎn)的細(xì)微溫度波動(dòng)。
國(guó)產(chǎn)熱紅外顯微鏡分析
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