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半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡運動

來源: 發(fā)布時間:2025-07-12

致晟光電的熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)系列 ——RTTLIT P10 實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng),搭載非制冷型熱紅外成像探測器,采用鎖相熱成像(Lock-In Thermography)技術(shù),通過調(diào)制電信號大幅提升特征分辨率與檢測靈敏度,具備高靈敏度、高性價比的突出優(yōu)勢。該系統(tǒng)鎖相靈敏度可達 0.001℃,顯微分辨率可達 5μm,分析速度快且檢測精度高,重點應(yīng)用于電路板失效分析領(lǐng)域,可多用于適配 PCB、PCBA、大尺寸主板、分立元器件、MLCC 等產(chǎn)品的維修檢測場景。 監(jiān)測微流控芯片、生物傳感器的局部熱反應(yīng),研究生物分子相互作用的熱效應(yīng)。半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡運動

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從傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡到致晟光電熱紅外顯微鏡的技術(shù)進化,不只是觀測精度與靈敏度的提升,更實現(xiàn)了對先進制程研發(fā)需求的深度適配。它以微觀熱信號為紐帶,串聯(lián)起芯片設(shè)計、制造與可靠性評估全流程。在設(shè)計環(huán)節(jié)助力優(yōu)化熱布局,制造階段輔助排查熱相關(guān)缺陷,可靠性評估時提供精細熱數(shù)據(jù)。這種全鏈條支撐,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破先進制程的熱壁壘提供了扎實技術(shù)保障,助力研發(fā)更小巧、運算更快、性能更可靠的芯片,推動其從實驗室研發(fā)穩(wěn)步邁向量產(chǎn)應(yīng)用。
IC熱紅外顯微鏡校準方法熱紅外顯微鏡憑借≤0.001℃的溫度分辨率,助力復(fù)雜半導(dǎo)體失效分析 。

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除了熱輻射,電子設(shè)備在出現(xiàn)故障或異常時,還可能伴隨微弱的光發(fā)射增強。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學(xué)探測器,如光電倍增管(PMT)或電荷耦合器件(CCD),能夠有效捕捉這些低強度的光信號。這類光發(fā)射通常源自電子在半導(dǎo)體材料中發(fā)生的能級躍遷、載流子復(fù)合或其他物理過程。通過對光發(fā)射信號的成像和分析,熱紅外顯微鏡不僅能夠進一步驗證熱點區(qū)域的存在,還可輔助判斷異常的具體機制,為故障定位和性能評估提供更精確的信息。

非制冷熱紅外顯微鏡基于微測輻射熱計,無需低溫制冷裝置,具有功耗低、維護成本低等特點,適合長時間動態(tài)監(jiān)測。其通過鎖相熱成像等技術(shù)優(yōu)化后,雖靈敏度(通常 0.01-0.1℃)和分辨率(普遍 5-20μm)略遜于制冷型,但性價比更高,。與制冷型對比,非制冷型無需制冷耗材,適合 PCB、PCBA 等常規(guī)電子元件失效分析;而制冷型(如 RTTLIT P20)靈敏度達 0.1mK、分辨率低至 2μm,價格高,多用于半導(dǎo)體晶圓等檢測。非制冷熱紅外顯微鏡在中低端工業(yè)檢測領(lǐng)域應(yīng)用較多。檢測 PCB 焊點、芯片鍵合線的接觸電阻異常,避免虛焊導(dǎo)致的瞬態(tài)過熱。

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近年來,非制冷熱紅外顯微鏡價格呈下行趨勢。在技術(shù)進步層面,國內(nèi)紅外焦平面陣列芯片技術(shù)不斷突破,像元間距縮小、陣列規(guī)模擴大,從早期的 17μm、384×288 發(fā)展到如今主流的 12μm 像元,1280 ×1 024、1920 × 1080 陣列規(guī)模實現(xiàn)量產(chǎn),如大立科技等企業(yè)推動技術(shù)升級,提升生產(chǎn)效率,降低單臺設(shè)備成本。同時,國產(chǎn)化進程加速,多家本土廠商崛起,如我司推出非制冷型鎖相紅外顯微鏡,打破進口壟斷格局,市場競爭加劇,促使產(chǎn)品價格更加親民。熱紅外顯微鏡結(jié)合自研算法,對微弱熱信號進行定位分析,鎖定潛在缺陷 。Thermo熱紅外顯微鏡

熱紅外顯微鏡通過分析熱輻射分布,評估芯片散熱設(shè)計的合理性 。半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡運動

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢二:

與傳統(tǒng)接觸式檢測方法相比,熱紅外顯微鏡的非接觸式檢測優(yōu)勢更勝——無需與被測設(shè)備直接物理接觸,從根本上規(guī)避了傳統(tǒng)檢測中因探針壓力、靜電放電等因素對設(shè)備造成的損傷風險,這對精密電子元件與高精度設(shè)備的檢測尤為關(guān)鍵。在接觸式檢測場景中,探針接觸產(chǎn)生的機械應(yīng)力可能導(dǎo)致芯片焊點形變或線路微損傷,而靜電放電(ESD)更可能直接擊穿敏感半導(dǎo)體器件。

相比之下,熱紅外顯微鏡通過捕捉設(shè)備運行時的熱輻射信號實現(xiàn)非侵入式檢測,不僅能在設(shè)備正常工作狀態(tài)下獲取實時數(shù)據(jù),更避免了因接觸干擾導(dǎo)致的檢測誤差,大幅提升了檢測過程的安全性與結(jié)果可靠性。這種非接觸式技術(shù)突破,為電子設(shè)備的故障診斷與性能評估提供了更優(yōu)解。 半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡運動

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