從技術(shù)原理來看，該設(shè)備構(gòu)建了一套完整的 “熱信號捕捉 - 解析 - 成像” 體系。其搭載的高性能探測器（如 RTTLIT P20 采用的 100Hz 高頻深制冷型紅外探測器）能敏銳捕捉中波紅外波段的熱輻射，配合 InGaAs 微光顯微鏡模塊，可同時實現(xiàn)熱信號與光子發(fā)射的同步觀測。在檢測過程中，設(shè)備先通過熱紅外顯微鏡快速鎖定可疑區(qū)域，再啟動 RTTLIT 系統(tǒng)的鎖相功能：施加周期性電信號激勵后，缺陷會產(chǎn)生與激勵頻率同步的微弱熱響應(yīng)，鎖相模塊過濾掉環(huán)境噪聲，將原本被掩蓋的熱信號放大并成像。這種 “先定位、再聚焦” 的模式，既保證了檢測效率，又突破了傳統(tǒng)設(shè)備對微弱信號的檢測極限。鎖相檢測模塊功能是通過與電激勵信號的同步鎖相處理，從熱像序列中提取與激勵頻率一致的溫度波動分量。缺陷定位鎖相紅外熱成像系統(tǒng)按需定制

電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的電子漿料檢測中有用武之地，為電子漿料的質(zhì)量控制提供了重要手段，確保印刷線路的性能。電子漿料是用于印刷電子線路、電極等的關(guān)鍵材料，其導(dǎo)電性、均勻性和附著力直接影響印刷線路的性能和可靠性。電子漿料若存在顆粒團(tuán)聚、成分不均、氣泡等缺陷，會導(dǎo)致印刷線路的電阻增大、導(dǎo)電性能下降，甚至出現(xiàn)線路斷路。通過對印刷有電子漿料的基板施加電激勵，電流會沿著漿料線路流動，缺陷處由于電阻異常，會產(chǎn)生局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測到這些溫度差異，并通過分析溫度場的分布，評估電子漿料的質(zhì)量。例如，在檢測太陽能電池板的銀漿電極時，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)因銀漿成分不均導(dǎo)致的電阻異常區(qū)域，這些區(qū)域會影響電池板的發(fā)電效率。檢測結(jié)果為電子漿料生產(chǎn)企業(yè)提供了質(zhì)量反饋，幫助企業(yè)優(yōu)化漿料配方和生產(chǎn)工藝，提升電子產(chǎn)業(yè)相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)質(zhì)量。國產(chǎn)平替鎖相紅外熱成像系統(tǒng)P10鎖相熱紅外電激勵成像主動加熱，適用于定量和深層缺陷檢測，被動式檢測物體自身溫度變化，用于定性檢測。

這款一體化設(shè)備的核心競爭力，在于打破了兩種技術(shù)的應(yīng)用邊界。熱紅外顯微鏡擅長微觀尺度的熱分布成像，能通過高倍率光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片表面微米級的溫度差異；鎖相紅外熱成像系統(tǒng)則依托鎖相技術(shù)，可從環(huán)境噪聲中提取微弱的周期性熱信號，實現(xiàn)納米級缺陷的精細(xì)定位。致晟光電通過硬件集成與算法優(yōu)化，讓兩者形成 “1+1＞2” 的協(xié)同效應(yīng) —— 既保留熱紅外顯微鏡的微觀觀測能力，又賦予其鎖相技術(shù)的微弱信號檢測優(yōu)勢，無需在兩種設(shè)備間切換即可完成從宏觀掃描到微觀定位的全流程分析。

電激勵參數(shù)的實時監(jiān)控對于鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)檢測中的準(zhǔn)確性至關(guān)重要，是保障檢測結(jié)果可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在電子元件檢測過程中，電激勵的電流大小、頻率穩(wěn)定性等參數(shù)可能會受到電網(wǎng)波動、環(huán)境溫度變化等因素的影響而發(fā)生微小波動，這些波動看似細(xì)微，卻可能對檢測結(jié)果產(chǎn)生干擾，尤其是對于高精度電子元件的檢測。通過實時監(jiān)控系統(tǒng)對電激勵參數(shù)進(jìn)行持續(xù)監(jiān)測，并將監(jiān)測數(shù)據(jù)實時反饋給控制系統(tǒng)，可及時調(diào)整激勵源的輸出，確保電流、頻率等參數(shù)始終穩(wěn)定在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。例如，在檢測高精度 ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換）芯片時，其內(nèi)部電路對電激勵的變化極為敏感，即使是 0.1% 的電流波動，也可能導(dǎo)致芯片內(nèi)部溫度分布出現(xiàn)異常，干擾對真實缺陷的判斷。而實時監(jiān)控系統(tǒng)能將參數(shù)波動控制在 0.01% 以內(nèi)，有效保障了檢測的準(zhǔn)確性，為電子元件的質(zhì)量檢測提供了穩(wěn)定可靠的技術(shù)環(huán)境。鎖相熱成像系統(tǒng)提升電激勵檢測的缺陷識別率。

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ)，能夠協(xié)同應(yīng)對集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢在于，即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”，其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實現(xiàn)精細(xì)檢測——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。電激勵作為一種能量輸入方式，能激發(fā)物體內(nèi)部熱分布變化，為鎖相熱成像系統(tǒng)捕捉細(xì)微溫差提供熱源基礎(chǔ)。高分辨率鎖相紅外熱成像系統(tǒng)P20

鎖相熱成像系統(tǒng)提升電激勵檢測的抗干擾能力。缺陷定位鎖相紅外熱成像系統(tǒng)按需定制

鎖相熱成像系統(tǒng)的電激勵方式在電子產(chǎn)業(yè)的 LED 芯片檢測中扮演著不可或缺的角色，為 LED 產(chǎn)品的質(zhì)量提升提供了重要支持。LED 芯片是 pn 結(jié)，pn 結(jié)的質(zhì)量直接決定了 LED 的發(fā)光效率、壽命和可靠性。如果 pn 結(jié)存在缺陷，如晶格失配、雜質(zhì)污染等，會導(dǎo)致芯片的電光轉(zhuǎn)換效率下降，發(fā)熱增加，嚴(yán)重影響 LED 的性能。通過對 LED 芯片施加電激勵，使芯片處于工作狀態(tài)，缺陷處的電流分布和熱分布會出現(xiàn)異常，導(dǎo)致局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠精確檢測到這些溫度差異，并通過圖像處理技術(shù)，清晰顯示出 pn 結(jié)缺陷的位置和形態(tài)。

制造商可以根據(jù)檢測結(jié)果，篩選出良好的 LED 芯片，剔除不合格產(chǎn)品，從而提升 LED 燈具、顯示屏等產(chǎn)品的質(zhì)量和使用壽命。例如，在 LED 顯示屏的生產(chǎn)過程中，利用該系統(tǒng)對 LED 芯片進(jìn)行檢測，可使產(chǎn)品的不良率降低 30% 以上，推動了電子產(chǎn)業(yè)中 LED 領(lǐng)域的發(fā)展。 缺陷定位鎖相紅外熱成像系統(tǒng)按需定制