升壓穩(wěn)壓器-穩(wěn)壓IC
將輸入電壓高效轉(zhuǎn)換到更高的輸出電壓
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我們品類豐富的升壓穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列包括同步和非同步器件，這些器件能夠以高達(dá) 96% 的效率滿足從幾毫安到 100A 等各種應(yīng)用的需求。我們的產(chǎn)品具有有助于延長電池壽命的低靜態(tài)電流 (IQ)、實(shí)現(xiàn)小尺寸的高功率密度和實(shí)現(xiàn)低 EMI 的展頻技術(shù)等關(guān)鍵特性。您可以找到升壓、SEPIC 和反激式解決方案。
按類別分類:
升壓控制器（外部開關(guān)）
升壓轉(zhuǎn)換器（集成開關(guān)）
升壓模塊（集成電感器）
按類型選擇
控制器
我們提供靈活的同步和非同步升壓控制器以支持更高的功率級別。
我們的低功耗升壓轉(zhuǎn)換器可滿足您對小尺寸解決方案、低系統(tǒng)成本和高功率密度的需求。
我們的升壓模塊支持小解決方案尺寸、高功率密度和快速設(shè)計(jì)。
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TI穩(wěn)壓IC的EMI不再是事后諸葛亮，因?yàn)樗锌赡茉谠O(shè)計(jì)階段后期造成重大挫折，這將耗費(fèi)時間和金錢。
開關(guān)電源（SMPS）是現(xiàn)代技術(shù)中**普遍的電路之一，在大多數(shù)應(yīng)用中，它比線性穩(wěn)壓器的效率有了極大的提高。
但這種效率是有代價的，因?yàn)殚_關(guān)電源中的功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的開關(guān)使其
是電磁干擾的主要來源，而電磁干擾反過來又會影響可靠性。EMI主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的快速轉(zhuǎn)換率、，
以及功率環(huán)路中寄生電感引起的沿開關(guān)邊緣的附加振鈴。
下頁的圖1說明了這些元素中的每一個如何使用buck轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓诓煌念l帶中表現(xiàn)出來。
例如。隨著壓力的增加，增加開關(guān)頻率以減小尺寸和成本，并增加轉(zhuǎn)換率以提高
效率、電磁干擾問題加劇。因此，有必要結(jié)合具有成本效益且易于集成的EMI緩解技術(shù)不要影響電源設(shè)計(jì)。
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什么是穩(wěn)壓IC的EMI？
在需要電磁兼容性（EMC）的系統(tǒng)中，用作電磁源的組件設(shè)計(jì)用于減少其干擾，易受干擾的組件設(shè)計(jì)用于降低其敏感性。當(dāng)終端設(shè)備制造商集成來自不同供應(yīng)商的組件時，確保干擾源和敏感電路能夠和平共存的***方法是制定一套通用規(guī)則，其中干擾限制在一定水平，敏感電路能夠處理該水平的干擾。
這些規(guī)則是在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中制定的，如國際擾動無線電委員會（CISPR）25用于汽車行業(yè)，CISPR32用于多媒體設(shè)備。CISPR標(biāo)準(zhǔn)對于EMI設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈儗⒁?guī)定任何EMI緩解技術(shù)的目標(biāo)性能。本文的重點(diǎn)是減少干擾，因?yàn)殚_關(guān)電源通常是電磁干擾源。有關(guān)EMI標(biāo)準(zhǔn)的***列表，請參閱白皮書“電源傳導(dǎo)EMI規(guī)范概述”和“電源輻射EMI規(guī)范概述”
具有TILDO的處理器-穩(wěn)壓IC
在FPGA和處理器中，開關(guān)噪聲會威脅性能。TI的穩(wěn)壓IC-LDO為當(dāng)今的處理器和FPGA提供干凈、準(zhǔn)確和高效的電源。高PSRRLDO消除紋波，提供高輸出精度（比較大1%），并提供250mV及以下的低壓差。它們還具有***的電壓范圍和小型、堅(jiān)固的封裝，適用于許多應(yīng)用。使用高性能AEC-Q100LDO增強(qiáng)您的汽車電源穩(wěn)壓ICTI的AEC-Q100LDO通過低IQ、低噪音、高PSRR、反向電池和電流保護(hù)等功能優(yōu)化您的汽車應(yīng)用，以提供可靠、清潔的電源。
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功率MOSFET概述：
TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個低導(dǎo)通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺無法實(shí)現(xiàn)的組合。
NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率，**了離散設(shè)計(jì)的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
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低噪音和精度-TI穩(wěn)壓IC發(fā)展趨勢
增強(qiáng)電源和信號完整性，以提高系統(tǒng)級保護(hù)和準(zhǔn)確性。
為了比較大限度地提高系統(tǒng)性能和可靠性，監(jiān)控、調(diào)節(jié)和處理電源鏈中信號的能力至關(guān)重要。高精度系統(tǒng)需要精確的低噪聲基準(zhǔn)，以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進(jìn)的電路和測試技術(shù)，以提高精度并將失真降至比較低。
減少和緩解IC錯誤源
?利用TI高度優(yōu)化的低噪聲互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝，減少工藝的非理想性。
?利用先進(jìn)的電路和測試技術(shù)減少工藝非理想性的影響。
TPS40193DRCT穩(wěn)壓IC
深圳市特克電子技術(shù)有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開創(chuàng)新天地，繪畫新藍(lán)圖，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念，市場是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來深圳市特克電子供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績，也不足以驕傲，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢想！