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UC2526N穩(wěn)壓IC

來源: 發(fā)布時間:2023-05-24

為減少電源中的電磁干擾而進行的省時、經濟高效的創(chuàng)新-IT穩(wěn)壓IC關鍵技術
隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集和互連,減少電磁干擾(EMI)的影響成為越來越重要的系統(tǒng)設計考慮因素。
1、什么是EMI?
電磁干擾(EMI)是一種電磁能量,是開關電流和電壓產生的不良副產品,它來自各種物理現象,并在嚴格的電磁干擾測試中表現出來。
2、減少電磁干擾的常規(guī)方法
減少電磁干擾是一項充滿權衡的努力。減少電磁干擾的傳統(tǒng)方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開關轉換率,這是一種直接影響效率的技術。
3、減少電磁干擾的創(chuàng)新
為了實現開關電源的所有優(yōu)點,降低EMI技術必須解決傳統(tǒng)的權衡問題。這需要針對低頻和高頻EMI的創(chuàng)造性解決方案,以及精確的建模技術。

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增強型熱棒? QFN公司
增強型HotRod quad flat no lead(QFN)封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能,并具有更低開關節(jié)點電容的額外優(yōu)勢,從而大降低了振鈴。在具有增強型熱棒QFN的設備中,寄生在輸入電壓(VIN)和接地(GND)引腳上的電阻-導體-電容器(RLC)也較低
與HotRod軟件包相比。
LM60440-Q1降壓轉換器采用增強型熱棒QFN,下頁圖18顯示了引腳和電路板布局。增強型HotRod QFN不僅提高了效率,還包括封裝中心有一個大型模具連接墊(DAP)的封裝外形。與熱棒封裝相比,DAP有助于通過PCB更好地散熱,并將結溫升高降低15%以上。此外,VIN、GND和開關節(jié)點引腳上較低的RLC寄生也會提高效率并降低EMI。正如預期的那樣,這會產生更好的EMI,尤其是在交換機節(jié)點振鈴頻帶周圍
如下圖19所示。
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電力趨勢-穩(wěn)壓IC技術發(fā)展趨勢

我們一直在努力突破功耗的極限:開發(fā)新的工藝、封裝和電路設計技術,為您的應用提供比較好的設備。無論您需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性,還是在高壓下保持安全,我們都致力于與您攜手合作,幫助解決您的電源管理難題。德州儀器:您進一步推動電力發(fā)展的合作伙伴。
1、功率密度
提高功率密度,在較小的空間內實現更大的功率,以降低系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能。
2、智商低
降低靜態(tài)電流以延長電池和保質期,同時不影響系統(tǒng)性能。
3、低電磁干擾
將干擾降至比較低,以降低系統(tǒng)成本并快速滿足EMI標準。
4、低噪音、高精度
增強電源和信號完整性,以提高系統(tǒng)級保護和準確性。
5、隔離
通過高壓隔離柵傳輸信號和/或電源,以比較高的工作電壓和可靠性提高安全性。

穩(wěn)壓IC-開放式機架PTH08T2xx“T2”電源模塊高電流模塊,

用于需要高達50A的應用。

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?渦輪變速器?可調瞬態(tài)響應特性

?均流(50-A版本)

穩(wěn)壓IC-QFN電源模塊易于使用的高功率密度模塊,

適用于占地面積小的應用。

?輸入電壓范圍:2.95至60V

?輸出電流高達30A

?功能豐富靈活

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穩(wěn)壓IC-帶導線的SIMPLESWITCHER®模塊易于使用的模塊,

適用于需要高達42V輸入電壓的應用。

?單個外露底部

?支持5-V、12-V和24-V導軌


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圖10顯示了時域中的DRSS調制剖面,三角形包絡瞄準較低的RBW,疊加偽隨機序列瞄準較高的RBW。

穩(wěn)壓IC技術專題

圖11顯示了LM5156-Q1的傳導發(fā)射性能,LM5156-Q1是一種非同步boost控制器,有無DRS。您可以看到150 kHz至30 MHz頻段以及30至108 MHz頻段的頻譜峰值***降低,這是CISPR 25汽車標準的兩個關鍵頻段。LM5157-Q1非同步boost轉換器還具有DRS功能,并實現類似的性能。 特克電子十年IC代理,海量現貨,經營德州儀器穩(wěn)壓IC,歡迎新老客戶來旬!UCC2813PWTR-5穩(wěn)壓IC

擴頻技術適用于非隔離拓撲和隔離拓撲,因為這兩種拓撲的EMI源相似,而頻率擴展提供了相同的好處。
帶集成變壓器的UCC12040和UCC12050隔離DC/DC轉換器能夠通過CISPR 32 B級EMI測試限值,部分原因是內部擴頻技術。

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TI穩(wěn)壓IC的EMI不再是事后諸葛亮,因為它有可能在設計階段后期造成重大挫折,這將耗費時間和金錢。
開關電源(SMPS)是現代技術中**普遍的電路之一,在大多數應用中,它比線性穩(wěn)壓器的效率有了極大的提高。
但這種效率是有代價的,因為開關電源中的功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的開關使其
是電磁干擾的主要來源,而電磁干擾反過來又會影響可靠性。EMI主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關節(jié)點上的快速轉換率、,
以及功率環(huán)路中寄生電感引起的沿開關邊緣的附加振鈴。
下頁的圖1說明了這些元素中的每一個如何使用buck轉換器拓撲在不同的頻帶中表現出來。
例如。隨著壓力的增加,增加開關頻率以減小尺寸和成本,并增加轉換率以提高
效率、電磁干擾問題加劇。因此,有必要結合具有成本效益且易于集成的EMI緩解技術不要影響電源設計。

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