為減少電源中的電磁干擾而進(jìn)行的省時(shí)、經(jīng)濟(jì)高效的創(chuàng)新-IT穩(wěn)壓IC關(guān)鍵技術(shù)
隨著電子系統(tǒng)變得越來(lái)越密集和互連，減少電磁干擾（EMI）的影響成為越來(lái)越重要的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。
1、什么是EMI？
電磁干擾（EMI）是一種電磁能量，是開(kāi)關(guān)電流和電壓產(chǎn)生的不良副產(chǎn)品，它來(lái)自各種物理現(xiàn)象，并在嚴(yán)格的電磁干擾測(cè)試中表現(xiàn)出來(lái)。
2、減少電磁干擾的常規(guī)方法
減少電磁干擾是一項(xiàng)充滿(mǎn)權(quán)衡的努力。減少電磁干擾的傳統(tǒng)方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換率，這是一種直接影響效率的技術(shù)。
3、減少電磁干擾的創(chuàng)新
為了實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源的所有優(yōu)點(diǎn)，降低EMI技術(shù)必須解決傳統(tǒng)的權(quán)衡問(wèn)題。這需要針對(duì)低頻和高頻EMI的創(chuàng)造性解決方案，以及精確的建模技術(shù)。
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TI穩(wěn)壓IC-火棒? 包裹
熱棒封裝翻轉(zhuǎn)硅芯片，并將其直接放置在引線框架上，以比較大限度地減少由運(yùn)行開(kāi)關(guān)電流的引腳上的鍵合線引起的寄生電感。圖16顯示了HotRod軟件包的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點(diǎn)。
隨著功率回路電感的改善，熱棒式封裝也有助于降低功率路徑中的電阻，從而提高效率，同時(shí)使較小的解決方案尺寸成為可能。
HotRod封裝中設(shè)備的另一個(gè)好處是，它們有助于并行輸入路徑引腳，即DC/DC轉(zhuǎn)換器輸入電容的布局安排。通過(guò)優(yōu)化DC/DC轉(zhuǎn)換器的引腳，使輸入電容器的布局具有對(duì)稱(chēng)性，輸入功率回路產(chǎn)生的反向磁場(chǎng)位于對(duì)稱(chēng)回路內(nèi)，從而將對(duì)附近系統(tǒng)的發(fā)射降至比較低。平行輸入路徑進(jìn)一步將高頻EMI降至比較低，尤其是在**嚴(yán)格的FM頻段，如下圖17所示。
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穩(wěn)壓IC專(zhuān)題知識(shí)，
為了**小化濾波電感的尺寸，您可以為SMPS設(shè)計(jì)選擇更高的開(kāi)關(guān)頻率。然而，切換器操作時(shí)應(yīng)避免使用敏感頻段。
例如，傳統(tǒng)上，汽車(chē)電源解決方案的優(yōu)先開(kāi)關(guān)頻率為亞AM頻段（約400 kHz）。
選擇更高的開(kāi)關(guān)頻率以**小化電感器尺寸意味著您必須避免整個(gè)AM頻段（525至1705 kHz），以便在更嚴(yán)格的汽車(chē)EMI頻段中沒(méi)有基本開(kāi)關(guān)雜散。
德州儀器（TI）的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率高于1.8 MHz，以滿(mǎn)足EMI頻段的要求。向更高開(kāi)關(guān)頻率的推進(jìn)對(duì)開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換上升和下降時(shí)間施加了嚴(yán)格限制，以減少開(kāi)關(guān)損耗。然而，如圖6所示，上升和下降時(shí)間很短的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)即使在接近其100次諧波的高頻下也能保持較高的能量含量，這再次突出了高效率和低EMI之間的權(quán)衡。
UCC28084穩(wěn)壓IC的說(shuō)明
UCC38083/4/5/6穩(wěn)壓IC是一系列BiCMOS脈寬調(diào)制（PWM）控制器，用于直流到直流或離線固定頻率電流模式開(kāi)關(guān)電源。雙輸出級(jí)配置為推拉拓?fù)?。兩個(gè)輸出都使用切換觸發(fā)器以振蕩器頻率的一半進(jìn)行切換。兩個(gè)輸出之間的死區(qū)時(shí)間通常為110ns，將每個(gè)輸出的占空比限制在50%以下。
UCC38083穩(wěn)壓IC和UCC38085穩(wěn)壓IC設(shè)備的開(kāi)啟/關(guān)閉閾值為12.5 V/8.3 V，而UCC38084穩(wěn)壓IC和UCC38086穩(wěn)壓IC的開(kāi)啟/關(guān)閉閾值為4.3 V/4.1 V。每個(gè)設(shè)備均采用8針TSSOP（PW）、8針SOIC（D）和8針PDIP（P）封裝。
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升壓穩(wěn)壓器-穩(wěn)壓IC
將輸入電壓高效轉(zhuǎn)換到更高的輸出電壓
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我們品類(lèi)豐富的升壓穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列包括同步和非同步器件，這些器件能夠以高達(dá) 96% 的效率滿(mǎn)足從幾毫安到 100A 等各種應(yīng)用的需求。我們的產(chǎn)品具有有助于延長(zhǎng)電池壽命的低靜態(tài)電流 (IQ)、實(shí)現(xiàn)小尺寸的高功率密度和實(shí)現(xiàn)低 EMI 的展頻技術(shù)等關(guān)鍵特性。您可以找到升壓、SEPIC 和反激式解決方案。
按類(lèi)別分類(lèi):
升壓控制器（外部開(kāi)關(guān)）
升壓轉(zhuǎn)換器（集成開(kāi)關(guān)）
升壓模塊（集成電感器）
按類(lèi)型選擇
控制器
我們提供靈活的同步和非同步升壓控制器以支持更高的功率級(jí)別。
我們的低功耗升壓轉(zhuǎn)換器可滿(mǎn)足您對(duì)小尺寸解決方案、低系統(tǒng)成本和高功率密度的需求。
我們的升壓模塊支持小解決方案尺寸、高功率密度和快速設(shè)計(jì)。
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真回轉(zhuǎn)率控制
盡管有上述技術(shù)，在一些設(shè)計(jì)中，高頻EMI（60至250 MHz）可能仍不在規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)限值范圍內(nèi)。為了通過(guò)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，減輕和提高裕度的一種方法是使用與開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的啟動(dòng)電容串聯(lián)的電阻器。使用電阻器可以降低開(kāi)關(guān)邊緣轉(zhuǎn)換率，從而降低EMI，但會(huì)帶來(lái)效率降低的預(yù)期損失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)使得可以使用電阻器來(lái)選擇高側(cè)FET驅(qū)動(dòng)器在開(kāi)啟期間的強(qiáng)度。如下頁(yè)圖22所示，通過(guò)RBOOT引腳（teal虛線環(huán)）的電流被倍增，并從CBOOT（紅色虛線）穿過(guò)，以打開(kāi)高壓側(cè)功率MOSFET。通過(guò)這樣做，電阻器可以控制轉(zhuǎn)換速率，但不會(huì)遭受串聯(lián)啟動(dòng)電阻器運(yùn)行大部分電流時(shí)發(fā)生的效率損失。當(dāng)RBOOT對(duì)CBOOT短路時(shí)，上升時(shí)間很快；開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波在高于150 MHz之前不會(huì)衰減。如果CBOOT和RBOOT通過(guò)700Ω保持連接，則在將13.5 V轉(zhuǎn)換為5 V時(shí)，回轉(zhuǎn)時(shí)間將增加到10 ns。此緩慢上升時(shí)間可使開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波中的能量在大多數(shù)情況下在50 MHz附近衰減。
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