功率MOSFET概述：

TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個低導(dǎo)通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺無法實現(xiàn)的組合。

NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負載到全負載的效率，**了離散設(shè)計的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。 TPS53014DGS穩(wěn)壓IC電源穩(wěn)壓IC，就選特克集團，原廠代理！期待您的光臨！

升壓升壓轉(zhuǎn)換器-數(shù)據(jù)表規(guī)定了-穩(wěn)壓IC

集成功率MOSFET開關(guān)?？蓪崿F(xiàn)的實際輸出電流的粗略估計是占空比的函數(shù)，可以使用以下公式進行估計：IOUT=0.65xISwitch（**?。﹛（VIN/VOUT）降壓升壓轉(zhuǎn)換器-ADC/DC轉(zhuǎn)換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調(diào)節(jié)輸出電壓，無論VIN高于或低于VOUT。

TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個功率MOSFET，以節(jié)省空間并在操作模式之間無縫過渡。

分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個成員

轉(zhuǎn)換器（+VOUT1/–VOUT2）從一個輸入軌產(chǎn)生調(diào)節(jié)的正負電源電壓。這降低了BOM成本和空間，同時為工業(yè)和汽車應(yīng)用提供了前列的性能。

與非隔離變流器不同，隔離邊界上的額外發(fā)射路徑是隔離變流器***模（CM）EMI的關(guān)鍵原因。下頁的圖14顯示了標(biāo)準(zhǔn)反激變換器中隔離變壓器上存在的寄生電容。CM電流可通過與每個開關(guān)節(jié)點相關(guān)的寄生電容直接從一次側(cè)流向接地。由于繞組之間的寄生電容，CM電流也從初級流向次級，導(dǎo)致測量的CM EMI增加。按照慣例，您可以通過在輸入功率路徑中使用大型CM扼流圈來衰減這種額外干擾。

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穩(wěn)壓IC專題

由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉(zhuǎn)換率還會導(dǎo)致高頻開關(guān)節(jié)點振鈴，從而進一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。 UCD7230RGWR穩(wěn)壓IC

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