功率MOSFET概述：
TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個低導(dǎo)通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺無法實現(xiàn)的組合。
NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率，**了離散設(shè)計的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
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降低低頻和高頻范圍內(nèi)電磁干擾的常規(guī)方法2-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
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UCC28084穩(wěn)壓IC的說明
UCC38083/4/5/6穩(wěn)壓IC是一系列BiCMOS脈寬調(diào)制（PWM）控制器，用于直流到直流或離線固定頻率電流模式開關(guān)電源。雙輸出級配置為推拉拓?fù)洹蓚€輸出都使用切換觸發(fā)器以振蕩器頻率的一半進(jìn)行切換。兩個輸出之間的死區(qū)時間通常為110ns，將每個輸出的占空比限制在50%以下。
UCC38083穩(wěn)壓IC和UCC38085穩(wěn)壓IC設(shè)備的開啟/關(guān)閉閾值為12.5 V/8.3 V，而UCC38084穩(wěn)壓IC和UCC38086穩(wěn)壓IC的開啟/關(guān)閉閾值為4.3 V/4.1 V。每個設(shè)備均采用8針TSSOP（PW）、8針SOIC（D）和8針PDIP（P）封裝。
穩(wěn)壓IC-帶導(dǎo)線的SIMPLESWITCHER®模塊易于使用的模塊，適用于需要高達(dá)42V輸入電壓的應(yīng)用。
?單個外露底部?
支持5-V、12-V和24-V導(dǎo)軌
?輸出電流高達(dá)10A
?輸出電流高達(dá)10A
穩(wěn)壓IC-微型IP?模塊解決方案總占地面積**小。
?帶集成蓋和電感器：如TPS826x系列（6MHz）和TPS82740
?*帶集成電感器：如TPS82084/85（6-V輸入）和TPS82130/40/50（17-V輸入）
?**功耗，如TPS82740，只有360nAIQ（運(yùn)行）
?LMZM23601比較高36-V輸入
TI的電源模塊包括實現(xiàn)DC/DC電源解決方案，可簡化設(shè)計、減少解決方案大小并縮短開發(fā)時間。產(chǎn)品的電壓高達(dá)60V，電流高達(dá)50A。
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支持3D集成的MicroSiP軟件包。
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