場景是新技術應用中的重要一環(huán)，場景越多意味著應用的廣大性和未來的期望空間越大，而如果一款技術誕生沒有實際的應用場景，即無法融入人們的日常生活和生產(chǎn)制造中，這對它的后續(xù)發(fā)展影響是致命的。

機械手臂的應用場景有哪些呢？它的應用特點十分明顯，主要代替人工從事場景危險的工作或者是代替密集型、重復性高的動作。如果工作場景符合上述兩個特點，機械手臂都可以得到應用。

機械手臂應用場景多在制造業(yè)，有重工業(yè)屬性，如金屬加工、拋光打磨、裝配、機床上下料、碼垛/搬運、橡膠/塑料、分揀等。 手臂伸縮機構是機械臂伸出和縮回的伸縮位置檢測器作用基本等同于升降位置檢測器。肇慶新款晶圓運送機械吸臂批發(fā)

可用于300mm半導體晶圓搬送的5軸水平多關節(jié)潔凈機械手臂GTCR5000系列。

單臂雙手指結構能夠實現(xiàn)和雙臂結構同樣的功能。

適用于300mm半導體生產(chǎn)設備內(nèi)部，檢測設備等的晶圓搬運。

機械手臂標準臂長: 210mm, 280mm機械手臂可以單獨對應2個FOUP（210mm臂長）

或者3個FOUP（280mm臂長）雙手指結構能夠縮短更換晶圓時的手臂動作時間適應設備需求可以選擇底座固定方式，或者法蘭固定方式配備動作監(jiān)視器控制通訊方式：RS232C及并口I/O方式全軸采用絕對值編碼器規(guī)格的AC伺服電機通過S曲線加減速控制方式以及對運動軌跡的優(yōu)化

能夠高速，高精度地搬運半導體晶圓晶圓固定方式：真空吸附式，下托式，邊緣夾持式，伯努利非接觸式手指材質(zhì)：CFRP(碳纖維),鋁合金，高純度陶瓷等多種可選材質(zhì) 陽江晶圓運送機械吸臂設計在運動臂上加裝滾動軸承或采用滾珠導軌也能使手臂運動輕快、平穩(wěn)。

晶圓運送機械吸臂的工作原理主要包括以下幾個步驟：

吸附：吸盤通過真空吸附原理將晶圓緊密吸附在其表面，確保晶圓在傳送過程中不會發(fā)生相對位移。

移動：傳動系統(tǒng)驅動機械臂按照預定軌跡進行移動，將晶圓從一處工藝設備傳送至另一處。放置：到達目標位置后，吸盤釋放真空，將晶圓放置在指定位置。

返回：完成放置動作后，吸臂返回原點，等待下一次傳送任務。

在整個工作過程中，控制系統(tǒng)始終監(jiān)測機械臂的運動狀態(tài)，確保傳送精度和穩(wěn)定性。同時，為了降低晶圓表面污染的風險，晶圓運送機械吸臂還需要配備潔凈室環(huán)境控制系統(tǒng)，以維持潔凈室內(nèi)恒定的溫度、濕度和潔凈度。

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術中的不足，提供了一種晶圓搬運機械手，本發(fā)明的機械手在傳送過程中晶片中心始終保證直線運動，且角度不會發(fā)生改變。從而提高機械手整體剛度和承重能力，同時提高了重復定位精度。本發(fā)明結構合理性能穩(wěn)定，維護方便，多功能集一身，可滿足多種工藝設備要求，適用于各種半導體設備。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明通過下述技術方案得以解決：一種晶圓搬運機械手，包括升降軸、旋轉軸和伸展軸，其特征為，所述的伸展軸包括伸展電機、一級伸展臂、二級伸展臂和手指固定座，所述的一級伸展臂與所述伸展電機之間設置有一級關節(jié)，所述的一級伸展臂與所述的二級伸展臂之間設置有二級關節(jié)，所述的二級伸展臂和所述的手指固定座之間設置有三級關節(jié)，所述的伸展電機、所述的一級關節(jié)、所述的二級關節(jié)和所述的三級關節(jié)依次傳動，所述的手指固定座始終保持直線運動。 手臂的結構要緊湊小巧，才能做手臂運動輕快、靈活。

3) 加速度反饋控制。Khorrami FarShad 和Jain Sandeep研究了利用末端加速度反饋控制柔性機械臂的末端軌跡控制問題。4) 被動阻尼控制。為降低柔性體相對彈性變形的影響 選用各種耗能或儲能材料設計臂的結構以控制振動。 或者在柔性梁上采用阻尼減振器、阻尼材料、復合型阻尼金屬板、、阻尼合金或用粘彈性大阻尼材料形成附加阻尼結構均屬于被動阻尼控制。 近年來 粘彈性大阻尼材料用于柔性機械臂的振動控制已引起高度重視。RoSSi Mauro 和Wang David研究了柔性機器人的被動控制問題。5) 力反饋控制法。柔性機械臂振動的力反饋控制實際上是基于逆動力學分析的控制方法 即根據(jù)逆動力學分析 通過臂末端的給定運動求得施加于驅動端的力矩 并通過運動或力檢測對驅動力矩進行反饋補償。手端的定位由各部關節(jié)相互轉角來確定，其誤差是積累誤差，因而精度較差，其位置精度也更難保證。梅州進口晶圓運送機械吸臂工廠

吸臂具有快速吸附和釋放功能，提高了工作效率。肇慶新款晶圓運送機械吸臂批發(fā)

電鍍：

到這一步，晶圓基本上就完成了，現(xiàn)在要在晶圓上鍍一層硫酸銅，銅離子會從正極走向負極。

拋光：

然后將Wafer進行打磨，到這一步晶圓就真正的完成了。

切割：

對晶圓進行切割，值得一提的是晶圓十分易碎，因此對切割的工藝要求也是非常高的。

測試：

測試分為三大類：功能測試、性能測試、抗老化測試。大致測試模式如下:接觸測試、功耗測試、輸入漏電測試、輸出電平測試、動態(tài)參數(shù)測試、模擬信號參數(shù)測試等等。全部測試都通過的，就是正片；部分測試未通過，但正常使用無礙，這是白片；未開始測試，就發(fā)現(xiàn)晶圓具有瑕疵的，這是黑片。

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