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河北光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

來源: 發(fā)布時間:2025-06-01

大尺寸晶圓的高效處理:Polos-BESM XL的優(yōu)勢!Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計,寫入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm,平臺重復(fù)性精度0.1 μm,滿足工業(yè)級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭,實時觀測與多層對準(zhǔn)功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復(fù)雜圖案設(shè)計,內(nèi)置高性能筆記本實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。亞微米級精度:0.8 μmmost小線寬,支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。河北光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

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某能源研究團隊采用 Polos 光刻機制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極,器件的能量轉(zhuǎn)換效率達(dá) 35%,在 10Hz 振動下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過自定義電極間距和厚度,該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動,在智能穿戴設(shè)備中實現(xiàn)了運動能量的實時采集與存儲。其輕量化設(shè)計(體積 < 1mm3)還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點,使傳感器續(xù)航時間從 3 個月延長至 2 年。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。北京光刻機MAX層厚可達(dá)到10微米納 / 微機械:亞微米級結(jié)構(gòu)加工,微型齒輪精度達(dá) ±50nm,推動微機電系統(tǒng)創(chuàng)新。

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Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構(gòu)合作,推動光子集成與半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展。例如,Quantum X align系統(tǒng)的高對準(zhǔn)精度(100 nm)為光通信芯片提供可靠解決方案,彰顯德國精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

針對碳化硅(SiC)功率模塊的柵極刻蝕難題,Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制,較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備,將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%,開關(guān)損耗減少 20%,推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結(jié)構(gòu),使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周,助力我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。生物界面創(chuàng)新:微納結(jié)構(gòu)可控加工,為組織工程提供新型仿生材料解決方案。

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對于納 / 微機械系統(tǒng)的研究與制造,德國 Polos 光刻機系列展現(xiàn)出強大實力。無掩模激光光刻技術(shù)賦予它高度的靈活性,科研人員能夠快速將創(chuàng)新設(shè)計轉(zhuǎn)化為實際器件。在制造微型齒輪、納米級懸臂梁等微機械結(jié)構(gòu)時,Polos 光刻機可precise控制激光,確保每個部件的尺寸和形狀都符合設(shè)計要求。? 借助該光刻機,科研團隊成功研發(fā)出新型微機械傳感器,其靈敏度和響應(yīng)速度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)產(chǎn)品。并且,由于系統(tǒng)占用空間小,即使是小型實驗室也能輕松引入。Polos 光刻機以其低成本、高效率的特性,成為納 / 微機械系統(tǒng)領(lǐng)域的制造先鋒,助力科研人員不斷探索微納世界的奧秘。無掩模技術(shù)優(yōu)勢:摒棄傳統(tǒng)掩模,圖案設(shè)計實時調(diào)整,研發(fā)成本直降 70%。北京光刻機MAX層厚可達(dá)到10微米

技術(shù)Benchmark:Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品,推動無掩模光刻技術(shù)普及。河北光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

無掩模激光光刻技術(shù)為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具,可用于創(chuàng)建亞微米級特征,并促進電路和器件的快速原型設(shè)計。經(jīng)濟高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴展至微機電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計和制造,例如以下領(lǐng)域:醫(yī)療(包括微流體)、半導(dǎo)體、電子、生物技術(shù)和生命科學(xué)、先進材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預(yù)計在 2022 年達(dá)到 3.3606 億美元,預(yù)計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元,復(fù)合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長,預(yù)計未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長。河北光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

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