在半導(dǎo)體制造這一高科技領(lǐng)域中，光刻技術(shù)無疑扮演著舉足輕重的角色。作為制造半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵步驟，光刻技術(shù)不但決定了芯片的性能、復(fù)雜度和生產(chǎn)成本，還推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)進(jìn)步和創(chuàng)新。進(jìn)入20世紀(jì)80年代，光刻技術(shù)進(jìn)入了深紫外光（DUV）時(shí)代。DUV光刻使用193納米的激光光源，極大地提高了分辨率，使得芯片的很小特征尺寸可以縮小到幾百納米。這一階段的光刻技術(shù)成為主流，幫助實(shí)現(xiàn)了計(jì)算機(jī)、手機(jī)和其他電子設(shè)備的小型化和高性能。SU-8光刻膠在近紫外光(365nm-400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低。河南曝光光刻

氧等離子去膠是利用氧氣在微波或射頻發(fā)生器的作用下產(chǎn)生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機(jī)聚合物發(fā)生氧化反應(yīng)，是的有機(jī)聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，從而達(dá)到去除光刻膠的目的，這個(gè)過程我們有時(shí)候也稱之為灰化或者掃膠。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡(jiǎn)單、適應(yīng)性更好。市面上常見氧等離子去膠機(jī)按照頻率可分為微波等離子去膠機(jī)和射頻等離子去膠機(jī)兩種，微波等離子去膠機(jī)的工作頻率更高，更高的頻率決定了等離子體擁有更高的激子濃度、更小的自偏壓，更高的激子濃度決定了去膠速度更快，效率更高；更低的自偏壓決定了其對(duì)襯底的刻蝕效應(yīng)更小，也意味著去膠過程中對(duì)襯底無損傷，而射頻等離子去膠機(jī)其工作原理與刻蝕機(jī)相似，結(jié)構(gòu)上更加簡(jiǎn)單。佛山紫外光刻光刻技術(shù)對(duì)于提升芯片速度、降低功耗具有關(guān)鍵作用。

對(duì)準(zhǔn)與校準(zhǔn)是光刻過程中確保圖形精度的關(guān)鍵步驟?，F(xiàn)代光刻機(jī)通常配備先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)和校準(zhǔn)系統(tǒng)，能夠在拼接過程中進(jìn)行精確調(diào)整。通過定期校準(zhǔn)系統(tǒng)中的電子光束和樣品臺(tái)，可以減少拼接誤差。此外，使用更小的寫場(chǎng)和增加寫場(chǎng)的重疊區(qū)域也可以減輕拼接處的誤差。這些技術(shù)共同確保了光刻過程中圖形的精確對(duì)準(zhǔn)和拼接。隨著科技的不斷發(fā)展，光刻技術(shù)將不斷突破和創(chuàng)新，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力。同時(shí)，我們也期待光刻技術(shù)在未來能夠不斷突破物理極限，實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和更小的特征尺寸，為人類社會(huì)帶來更加先進(jìn)、高效的電子產(chǎn)品。

隨著新材料、新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，光刻技術(shù)將更加精細(xì)化、智能化。例如，通過人工智能（AI）優(yōu)化光刻過程、提升產(chǎn)量和生產(chǎn)效率，以及開發(fā)新的光敏材料，以適應(yīng)更復(fù)雜和精細(xì)的光刻需求。此外，學(xué)術(shù)界和工業(yè)界正在探索新的技術(shù)，如多光子光刻、電子束光刻、納米壓印光刻等，這些新技術(shù)可能會(huì)在未來的“后摩爾時(shí)代”起到關(guān)鍵作用。光刻技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的重要技術(shù)之一，不但決定了芯片的性能和集成度，還推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)進(jìn)步和創(chuàng)新。隨著科技的不斷發(fā)展，光刻技術(shù)將繼續(xù)在半導(dǎo)體制造中發(fā)揮關(guān)鍵作用，為人類社會(huì)帶來更加先進(jìn)、高效的電子產(chǎn)品。同時(shí)，我們也期待光刻技術(shù)在未來能夠不斷突破物理極限，實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和更小的特征尺寸，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力。對(duì)于透明基片的雙面光刻加工，其準(zhǔn)標(biāo)記可靈活設(shè)計(jì)。

光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當(dāng)中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個(gè)比較大的概念，其實(shí)它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機(jī)物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對(duì)準(zhǔn)，在紫外光下曝光一定的時(shí)間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時(shí)間，受過紫外線曝光的地方會(huì)溶解在顯影液當(dāng)中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強(qiáng)光刻膠與襯底之前的粘附力。自適應(yīng)光刻技術(shù)可根據(jù)不同需求調(diào)整參數(shù)。佛山紫外光刻

圖形反轉(zhuǎn)膠的顯影過程。河南曝光光刻

刻膠顯影完成后，圖形就基本確定，不過還需要使光刻膠的性質(zhì)更為穩(wěn)定。硬烘干可以達(dá)到這個(gè)目的，這一步驟也被稱為堅(jiān)膜。在這過程中，利用高溫處理，可以除去光刻膠中剩余的溶劑、增強(qiáng)光刻膠對(duì)硅片表面的附著力，同時(shí)提高光刻膠在隨后刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性能力。另外，高溫下光刻膠將軟化，形成類似玻璃體在高溫下的熔融狀態(tài)。這會(huì)使光刻膠表面在表面張力作用下圓滑化，并使光刻膠層中的缺陷減少，這樣修正光刻膠圖形的邊緣輪廓。河南曝光光刻