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半導(dǎo)體：向光伏產(chǎn)業(yè)學(xué)習(xí)
我國工業(yè)硅生產(chǎn)相對分散，家工業(yè)硅企業(yè)產(chǎn)量占到全國產(chǎn)量的34%左右。從工業(yè)硅開始，光伏與半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)慢慢產(chǎn)生了分歧。
多晶硅以工業(yè)硅為原料，光伏和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所用的多晶硅純度不同，通常將多晶硅分為電子級與太陽能級。用于制備半導(dǎo)體單晶硅的電子級多晶硅，與制備光伏硅片的太陽能級多晶硅的區(qū)別，主要就在于對純度的控制。
太陽能能多晶硅純度要求為99.9999%，小數(shù)點(diǎn)后6個(gè)9，而電子級多晶硅純度要求至少小數(shù)點(diǎn)后9個(gè)9(9N)。在整個(gè)工藝流程里，電子級比太陽能級在原料純度，管道清洗，提純塔，廠房潔凈度等要求都要高得多。
從技術(shù)路線來看，電子級多晶硅大多數(shù)企業(yè)選用改良西門子法和硅烷CVD法，這兩種方法相對成熟完善。以改良西門子法為例：該方法主要是借助HCI與硅粉進(jìn)行結(jié)合，形成SiHCl3，然后再將SiHCl3進(jìn)行提純，獲得高純度的電子級多晶硅。
該方法的主要優(yōu)勢在于成本低、效率高，提純效果相對較好，而且對環(huán)境的污染相對較低。不過，其劣勢同樣明顯，那就是改良西門子法所生產(chǎn)的電子級多晶硅，在產(chǎn)品質(zhì)量上一直不盡如人意。在生產(chǎn)時(shí)，通常要借助較大的還原爐，會帶來極高的工藝控制要求。
對于太陽能級多晶硅，TCS西門子法和硅烷流化床法是主流的技術(shù)。太陽能多晶硅的改良西門子法的生產(chǎn)流程為：將硅粉和HCl兩種物質(zhì)投入到還原爐中，在一定條件下進(jìn)行反應(yīng)，生成產(chǎn)物三氯氫硅(SiHCl3)。接著通過蒸餾的方式對SiHCl3進(jìn)行提純。對SiHCl3進(jìn)行還原，采用氣相沉積的方法，在密封環(huán)境中進(jìn)行反應(yīng)，得到高純度的多晶硅。
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